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철이 뜨나요? 물리적 실험

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무슨 질문? 카네이션, 나사, 베어링의 공을 물에 던지십시오. 모두 즉시 익사합니다. 깡통에서 깡통을 잘라낸 정사각형도 바닥으로 이동합니다. 그것은 도끼나 철보다 나을 것이 없습니다.

그러나 같은 사각형을 상자로 구부리십시오. 봐요, 떠요! 이제이 상자에 카네이션, 나사, 공을 넣을 수 있습니다. 더 깊이 가라 앉을 뿐 바닥으로 가지 않습니다. 그리고 큰 철제 상자에서 철제 도끼는 물 위를 이동할 수 있습니다. 강철 총, 강철 기계, 무거운 강철 사슬에 강철 앵커가 달린 강철 선박이 바다를 항해하고 있습니다!

철이 뜨나요?

물론 이것이 왜 그런지 이해합니다. 강철 선박에는 공기가 있습니다. 그것은 많은 공간을 차지합니다. 거대한 부레처럼! 공기 대신 물을 넣으면 배가 즉시 침몰합니다. 주석 상자로 "난파선"을 만들 수 있습니다. 못으로 바닥을 펀칭하면 구멍을 뚫은 배가 침몰하는 모습을 볼 수 있습니다!

저자: Galpershtein L.Ya.

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곤충용 에어트랩 01.05.2024

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다중 레벨 ROM 메모리 셀 28.06.2013

도시바와 TSMC는 셀당 몇 비트를 저장하여 데이터 밀도가 높은 MROM(읽기 전용) 메모리 마스크를 개발했습니다.

통상적으로 ROM 마스크는 단일 워드와 비트 라인이 교차하여 형성되며 다이오드 연결 여부에 따라 단일 비트를 셀에 저장합니다. 그러나 40나노 공정은 첨단 기술의 제조 공정이 불안정하고 셀 트랜지스터 채널 면적이 좁아져 이전 세대 공정에 비해 접근 시간이 늘어난다.

지난주 일본 교토에서 열린 VLSI Circuits Symposium에서 Toshiba는 표준 단일 레벨 셀의 두 배 면적을 차지하는 다중 비트 셀을 개발했다고 발표했습니다.

이 기사에서는 40개의 비트 라인이 있는 단일 트랜지스터로 구성되고 셀에 1비트의 데이터를 저장하는 TWPC(38-wire programmable cell)를 고려합니다. Toshiba는 42Mbit 테스트 칩에서 XNUMXnm 공정의 메모리를 출시했으며 TWPC를 사용하여 액세스 시간이 XNUMX% 향상되었다고 보고했습니다. 액티브 모드와 스탠바이 모드에서의 소비 전력은 표준 셀과 동일한 수준으로 유지됩니다. 이 회로는 또한 단위 면적당 메모리 용량의 변화 없이 셀의 동작 특성을 XNUMX배로 만든다. 이것은 제조 공정에서 불안정성의 영향을 XNUMX%까지 감소시킨다고 도시바는 말했다.

MROM의 주요 목적은 다운로드 가능한 데이터를 저장하거나 하드웨어가 켜졌을 때 비휘발성 메모리에서 다른 소프트웨어를 로드할 수 있는 ROM을 구성하는 것입니다. 그러나 스마트폰 및 태블릿 컴퓨터와 같은 장치에서 시스템 온 칩 애플리케이션에 필요한 MROM의 양이 증가하고 있습니다.

도시바는 멀티비트 MROM 셀을 구현하는 디지털 애플리케이션용 SoC를 2014년에 출시하는 것을 목표로 하고 있다고 말했다. 그러나 Toshiba의 발표 이후 기사에서 파운드리 칩 공급업체인 TSMC는 28nm 공정을 사용하여 28비트 ROM 셀을 만들었다고 말했습니다. 이 기사에서는 단일 와이어 또는 차동 판독에 적합한 30단계 디코딩 방식을 고려합니다. TSMC는 190nm 저전력 공정 설계가 액세스 시간을 XNUMX% 개선하고 XNUMXmV 더 적은 전압으로 전력을 공급한다고 보고했습니다.

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