변환기 S. Zhutyaev의 현대화. 계획, 설명

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3MHz 범위에 대해 S. Zhutyaev(UW144FL)가 설계한 트랜스버터의 고주파 증폭기를 약간 개선하여 [1] 트랜시버로 셋톱 박스의 잡음 지수를 1,6dB를 초과하지 않도록 만들었습니다. 10dB의 잡음 지수. 트랜스버터 회로 조각(그림 1)에 새로 도입된 요소는 색상으로 표시됩니다. 저항 R22, R23은 제외되어야 합니다. 트랜지스터 GT329A(V9) 대신 KT3101-A2가 사용되었습니다.

S. Zhutyaev의 변환기 현대화
Pic.1

보드에서 변경된 부분이 그림 2에 나와 있습니다. 1 in 1:XNUMX 스케일.

스크린 파티션은 0,3 ... 0,8 mm 두께의 주석 도금 시트로 만들어지며 도면에 표시된 대로 전체 길이를 따라 보드에 납땜됩니다. 높이는 35...40mm입니다. 트랜지스터의베이스와 커패시터 C40의 단자의 접합부에서 3x8mm 크기의 창이 파티션에 만들어졌습니다. 모든 요소는 보드에서 1mm 이하의 거리에 배치해야 합니다.

S. Zhutyaev의 변환기 현대화
Pic.2

RF 증폭기는 MLT-0,125 저항, DPM-0,6 초크 등을 사용합니다. KT3101-A2 트랜지스터 대신 KT399A, KT391-A2, KT3115-A2, KT3120A를 켤 수 있습니다. 직류에 권장되는 트랜지스터 모드:

트랜지스터	Ik, mA	우케, 브이
KT3101-A2	5,5	5
KT391-A2	3	7
KT399A	4	5
KT3115-A2	4	7
T3120A	5	5

경우에 따라 게인이 높은 트랜지스터를 사용할 때 내경이 1 ... 2mm 인 기본 단자에 페라이트 링을 배치하는 것이 좋습니다 (초기 투자율은별로 중요하지 않음). 이것은 자체 여기에 대한 증폭기의 저항을 증가시킵니다.

UHF 튜닝에는 기능이 없습니다.

문학

Zhutyaev S. VHF 변환기. - 라디오, 1979, N1.c. 13-16, 1p. 포함

저자:V. 하르첸코(RB4EXN), 드네프로제르진스크; 간행물: N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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네덜란드의 한 대학원생이 고분자 태양전지의 특성을 개선하는 데 성공했습니다.

고분자 태양전지의 한 유형은 반도체층에 증착되는 염료층이다. 일반적으로 그 역할은 흰색 페인트 인 이산화티타늄의 기초입니다. 두 물질 모두 저렴하며 그러한 배터리가 지상에서 태양열 발전을 얻을 수 있다고 믿어집니다. 그리고 실리콘 배터리의 생산 비용이 매우 비싸고, 이를 위한 원료인 실리콘 자체가 많지 않기 때문에 마킹 타임입니다.

염료와 반도체 배터리는 이렇게 작동합니다. 햇빛의 광자는 첫 번째 층에 떨어지고 전자 시스템의 여기 인 준 입자 인 소위 여기자 (exciton)를 흡수하여 여기시킵니다. 이 여기자는 반도체로 이동하여 그 안에 자유 전하를 형성합니다. 즉, 기본 전류를 형성합니다. 문제는 여기자가 이동하는 경로가 매우 짧고 대부분이 반도체에 도달하기 전에 손실된다는 것입니다.

"나는 엑시톤 경로가 20배, 최대 XNUMXnm까지 증가하는 염료를 선택했습니다. 엑시톤이 화학 에너지로 전환되기 전에 식물 잎에서 거의 같은 시간을 통과해야 합니다. 태양 전지의 경우, 이 경로를 XNUMX배 더 늘려야 합니다. 그러면 효율성이 더 이상 백분율로 계산되지 않습니다."라고 Delft University of Technology의 박사 과정 학생인 Annemarie Heiser는 말합니다.

이제 폴리머 배터리의 경우 빛을 전기로 변환하는 계수가 4%이고 실리콘에 대한 기록은 40%임을 상기하십시오.

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