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무선 전자 및 전기 공학 백과사전 / 톤, 볼륨 조절

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Highf-End UMZCH를 구축할 때 볼륨 컨트롤을 위한 IC를 선택하는 문제가 발생합니다. TDA 1524/1526, TSA740/730, KR 174XA53/54, TEA6300/6310/6330, LM1036과 같은 잘 알려진 IC는 Hight-End UMZCH(-57 ~ -90dB)에 대해 비교적 큰 잡음 지수를 갖습니다.

전자 볼륨 컨트롤의 특징:
잡음 지수 70dB
THD 0,001%
XNUMX에 가까운 ACH의 불규칙성
작동 주파수 범위 0 - 100000Hz
입력 전압 0,5V
출력 전압 0 - 0,5V
입력 임피던스 10kOhm
공급 전압 7 - 20V

디지털 볼륨 조절

디지털 볼륨 조절

상호변조 왜곡 계수(IMD) 및 잡음 지수와 같은 매개변수는 주로 회로 설치 품질에 따라 결정됩니다. 이 매개변수에 특별한 주의를 기울이십시오. 설치가 불량하면 용량 성 및 유도 성 결합이 나타나 CII, 고르지 않은 주파수 응답 및 "아 여기"가 증가합니다. 장치의 블록 다이어그램이 그림 1에 나와 있습니다. 1. 디지털 제어 회로(2), 왼쪽 및 오른쪽 채널(3) 및 (2)에 대해 동일한 전압 분배기 블록으로 구성됩니다. 전압 분배기는 저항을 기반으로 합니다(그림 XNUMX).

미세 회로 DD1, DD2에 양방향 스위치가 통합되어 입력 전압의 원하는 분할 비율을 정류합니다. 이 장치에는 9개의 분할 비율이 있습니다. 저항 값은 지정되지 않습니다. 사용자는 저항을 선택하여 원하는 분할 계수를 직접 선택합니다. 저항 체인의 총 저항은 15-1kOhm이어야 합니다. 저항 값 선택에 대한 몇 가지 권장 사항: R100 - 볼륨 수준이 매우 낮은(잠들기에 좋은) 저항이 있어야 하며, 그 값은 약 10Ohms이고 총 회로 저항은 XNUMXkOhms입니다. 저항의 저항(kΩ)은 공식에 의해 결정될 수 있습니다.

R1=러시아1/U

R2=러시아1/U-R1

R3=러시아1/U - R1 - R2

R4=러시아1/U - R1 - R2 - R3

R5=러시아1 - R1 - R2 - R3 - R4

R6=러시아1/U - R1 - R2 - R3 - R4 - R5

R7=러시아1/U - R1 - R2 - R3 - R4 - R5 - R6

R8=러시아1 - R1 - R2 - R3 - R4 - R5 - R6 - R7

R9=러시아1/U - R1 - R2 - R3 - R4 - R5 - R6 - R7 - R8,

여기서: R은 분배기의 임피던스(kΩ)입니다. U - 입력 전압(mV), U1 - 출력에서 ​​얻을 수 있는 전압(mV).

디지털 볼륨 조절
(확대하려면 클릭하십시오)

저항은 R1에서 R9까지 순서대로 계산됩니다. 나눗셈 계수는 다음 공식에 의해 결정됩니다.

K \uXNUMXd U / U1 = R/Rc,

어디서 유, 유1 - 입력 및 출력 전압(mV), R, Rc - 총 저항 및 체인(R1에서 원하는 저항까지 계산).

디지털 제어 장치의 개략도는 그림 3에 나와 있습니다. 여기에는 DD1 칩의 제어 장치, 가역 펄스 카운터 DD2, 원하는 볼륨 레벨을 결정하는 디코더 DD3 및 전압 조정기 DA1이 포함됩니다. 고정 볼륨 레벨은 SB1 및 SB2 버튼으로 선택합니다. 접점의 바운스는 DD1.1 및 DD1.2 요소에 의해 제거됩니다. 요소 DD1의 출력에서 ​​버튼 SB1.1("+")을 누르면 낮은 논리 레벨로 설정됩니다. 이 레벨은 DD1.3 요소에 입력되며 출력에서 ​​높은 논리 레벨이 나타나 DD2 칩의 카운터를 전환합니다. 카운팅 방향 제어(출력 10 MC DD2)의 입력에서 요소 DD1.2의 출력에서 ​​높은 논리 레벨이기 때문에 카운터 판독값이 XNUMX만큼 증가합니다.

SB1 버튼을 9번 누르면 카운터는 최대 3까지 카운트하고 DD1의 핀 5에 로그가 나타납니다. "하나". 커패시터 C5는 저항 RXNUMX를 통해 충전을 시작하여 하이 레벨 펄스를 형성합니다. 카운터가 재설정되고 프로세스가 반복됩니다.

SB2("-")를 누르면 DD1.2 요소의 입력에 낮은 논리 레벨이 나타나며 그 신호는 가역 카운터 DD2를 빼기 모드로 전환합니다. 요소 DD15의 출력에서 ​​카운터 DD2의 입력 1.3가 하이 레벨 신호를 수신하기 때문에 카운터가 트리거되고 판독 값이 2 감소합니다. 커패시터 C15는 카운터가 합산 모드에서 감산 모드로 또는 그 반대로 전환될 때 DD2 칩의 출력 0에서 카운팅 펄스 수신에 지연을 제공합니다. 9자리 이진 코드 형태의 볼륨 레벨(2에서 3까지)의 조건부 숫자는 카운터 DD3에서 디코더 DDXNUMX으로 전달됩니다. DDXNUMX 디코더는 XNUMX비트 이진 코드를 위치 코드로 변환하는 반면 출력 중 하나에는 고전압 신호가 표시되고 다른 출력에는 저전압 신호가 표시됩니다. DL 버스의 신호는 왼쪽 및 오른쪽 채널의 전압 분배기로 공급됩니다.

활성 레벨은 로그입니다. "하나". 공급 전압이 연결되면 저항 R1를 통해 흐르는 커패시터 C4의 충전 전류가 높은 레벨의 펄스를 생성합니다. 결과적으로 초소형 회로는 디코더(DD5)의 출력이 기록되는 초기(제로) 상태로 설정됩니다. "3"은 DL 버스를 통해 전압 분배기 장치에 공급되며 양방향 통합 스위치 DD1(그림 2.4)의 제어 입력에 공급되며 저항 R2 및 R1의 연결 지점을 출력에 연결합니다. 장치. 관리는 이렇게 구성되어 있습니다.

다음 전자 부품을 장치에 사용할 수 있습니다. MLT-0,125 저항기; 커패시터 C1 - C8, C10, C11(그림 3), C1, C2(그림 2) - 세라믹 K10-17 또는 이와 유사한 것; 전해 콘덴서 C9 - 삼성. 칩은 유사한 시리즈 K176, K564, KR1561로 교체하거나 수입할 수 있습니다. 통합 안정기(DA1) - 안정화 전압이 5V인 모든 것. 이 장치는 유리 섬유로 만든 양면 호일 보드에 장착됩니다.

부분 측의 포일은 스크린으로 사용됩니다. 요소의 리드는 가능한 한 짧아야 합니다. 장치로 연결되는 신호 와이어는 차폐되어 있습니다. 차단 커패시터는 C6에서 DD1, C7에서 DD2로 분배됩니다. C8 ~ DD3, C9, C10, C11 ~ DA1(그림 3); C1 ~ DD1, C2 ~ DD2(그림 2) 및 이러한 미세 회로의 전원 핀에 직접 납땜됩니다. SB1 및 SB2 버튼은 UMZCH의 전면 패널에 표시됩니다. 장치는 UMZCH 전원 공급 장치에 의해 전원이 공급됩니다. 블록 2와 3(그림 1) 위에는 얇은 호일로 만든 스크린이 있어야 합니다.

설치를 잘 고려해야 합니다. 그렇지 않으면 레귤레이터가 불안정하게 작동합니다. 이 장치는 전압 분배기(필요한 경우)를 제외하고 조정이 필요하지 않습니다. 오류 없이 장착되면 공급 전압이 인가되는 즉시 작동을 시작합니다. 디지털 부분의 작동 제어는 합산 및 감산 모드에서 SB1 및 SB2에서 오는 펄스 형성 횟수를 확인하는 것으로 구성됩니다. 그런 다음 장치가 UMZCH에 연결되고 볼륨 조정 가능성이 확인됩니다.

간행물: cxem.net

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