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무선 장비의 퓨즈가 끊어졌다는 사실은 잡지 "Radio Fernsehen Elektronik"(GDR)에서 발표한 간단한 자동 장치에 의해 경고됩니다. 퓨즈 F1이 온전한 동안(그림 참조) 트랜지스터 V1의 에미터와 베이스 사이의 전압은 1이고 반도체 장치는 닫힙니다. 퓨즈가 끊어지면 트랜지스터를 여는 V1베이스에 즉시 전압이 나타나고 컬렉터 회로에 포함 된 LED BXNUMX이 빛나기 시작하여 "사고"를 나타냅니다.

퓨즈 단선 표시기

LED 유형과 공급 전압에 따라 트랜지스터가 완전히 열리도록 저항 R1의 저항이 선택됩니다. 공급 전압이 4,5V를 초과하는 경우 추가 안정 저항을 LED와 직렬로 연결하여 B1을 통과하는 전류를 최대 허용 값으로 제한해야 합니다.

트랜지스터 V1 - 모든 실리콘, 저전력: KTZ61, KT326, KT208, KT203. 다이오드 V2, VZ - D219, D220. LED B1 - 문자 인덱스가 있는 AL102.

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배려심 많은 남자의 매력 14.04.2024

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그래핀 위의 나노와이어가 스스로 성장 09.05.2013

일리노이 대학(University of Illinois)의 엔지니어들은 그래핀 시트의 나노와이어로부터 반도체 화합물을 성장시키려고 시도했고 나노와이어가 완전히 예상치 못한 방식으로 성장한다는 것을 발견했습니다. 이 발견은 전자 산업에 매우 중요하며 에피택시 기술의 패러다임을 변화시킵니다.

나노와이어는 반도체 물질의 작은 스트립입니다. 전문가들은 나노와이어가 미래 전자공학의 기초가 될 것이며 트랜지스터, 태양광 패널, 레이저, 센서 등의 제조에 널리 사용될 것으로 보고 있다.

미국 과학자들은 실리콘과 같은 반도체 재료의 평평한 기판에 반 데르 발스 에피택시 기술을 사용하여 나노와이어를 성장시킴으로써 나노와이어의 가능성을 탐구했습니다. 특히, 그들은 소위 클래스 III-V (XNUMX-XNUMX)의 성장 전선에 종사했습니다. 이러한 반도체는 차세대 태양광 패널과 레이저를 만드는 데 필수적입니다. 이전에 과학자들은 이미 실리콘 기판에서 III-V 나노와이어의 성장을 관찰했습니다.

최근 일리노이 대학의 연구원들은 그래핀 시트에 인듐 갈륨 비소(InGaAs) 나노와이어를 성장시키려고 시도했고 예상치 못한 결과를 발견했습니다. InGaAs 나노와이어는 코어가 한 물질인 인듐 비소로 만들어지고 외부 쉘이 다른 InGaAs로 만들어진 특이한 구조로 자체 형성됩니다. 동시에 인듐과 갈륨의 비율을 이용하여 나노와이어의 구조를 조절할 수 있어 나노와이어의 광학적 특성과 전도성을 조절할 수 있다.

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