건설 믹서. 도면, 설명

건설 믹서. 홈 마스터를 위한 팁

빌더, 홈 마스터

접착 품질은 에폭시 수지와 경화제 및 가소제를 얼마나 잘 혼합하느냐에 크게 좌우됩니다. 나무 막대기를 사용하여 전통적인 방식으로 구성 요소를 혼합하면 이 작업에 최소 15분이 소요됩니다. 우리의 조언을 사용하면 상황이 훨씬 빨라질 것입니다. XNUMX-XNUMXmm 와이어에서 간단한 윤곽을 구부리고 드릴에 삽입하고 결과 믹서의 노즐을 혼합물로 낮추면 몇 분 안에 수지가 나머지 구성 요소와 완전히 혼합됩니다. 같은 방법이 카제인 접착제를 혼합할 때 잘 사용됩니다.

건설 믹서

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정원의 꽃을 솎아내는 기계 02.05.2024

현대 농업에서는 식물 관리 과정의 효율성을 높이는 것을 목표로 기술 진보가 발전하고 있습니다. 수확 단계를 최적화하도록 설계된 혁신적인 Florix 꽃 솎기 기계가 이탈리아에서 선보였습니다. 이 도구에는 이동식 암이 장착되어 있어 정원의 필요에 맞게 쉽게 조정할 수 있습니다. 운전자는 조이스틱을 사용하여 트랙터 운전실에서 얇은 와이어를 제어하여 얇은 와이어의 속도를 조정할 수 있습니다. 이 접근 방식은 꽃을 솎아내는 과정의 효율성을 크게 높여 정원의 특정 조건은 물론 그 안에 자라는 과일의 종류와 종류에 대한 개별 조정 가능성을 제공합니다. 다양한 유형의 과일에 대해 2년 동안 Florix 기계를 테스트한 후 결과는 매우 고무적이었습니다. 몇 년 동안 Florix 기계를 사용해 온 Filiberto Montanari와 같은 농부들은 꽃을 솎아내는 데 필요한 시간과 노동력이 크게 감소했다고 보고했습니다. ...>>

고급 적외선 현미경 02.05.2024

현미경은 과학자들이 눈에 보이지 않는 구조와 과정을 탐구할 수 있도록 함으로써 과학 연구에서 중요한 역할을 합니다. 그러나 다양한 현미경 방법에는 한계가 있으며, 그 중 적외선 범위를 사용할 때 해상도의 한계가 있습니다. 그러나 도쿄 대학의 일본 연구자들의 최근 성과는 미시세계 연구에 새로운 가능성을 열어주었습니다. 도쿄 대학의 과학자들은 적외선 현미경의 기능에 혁명을 일으킬 새로운 현미경을 공개했습니다. 이 첨단 장비를 사용하면 살아있는 박테리아의 내부 구조를 나노미터 규모의 놀라운 선명도로 볼 수 있습니다. 일반적으로 중적외선 현미경은 해상도가 낮다는 한계가 있지만 일본 연구진의 최신 개발은 이러한 한계를 극복했습니다. 과학자들에 따르면 개발된 현미경은 기존 현미경의 해상도보다 120배 높은 최대 30나노미터 해상도의 이미지를 생성할 수 있다고 한다. ...>>

곤충용 에어트랩 01.05.2024

농업은 경제의 핵심 부문 중 하나이며 해충 방제는 이 과정에서 필수적인 부분입니다. 심라(Shimla)의 인도 농업 연구 위원회-중앙 감자 연구소(ICAR-CPRI)의 과학자 팀은 이 문제에 대한 혁신적인 해결책, 즉 풍력으로 작동되는 곤충 공기 트랩을 생각해냈습니다. 이 장치는 실시간 곤충 개체수 데이터를 제공하여 기존 해충 방제 방법의 단점을 해결합니다. 트랩은 전적으로 풍력 에너지로 구동되므로 전력이 필요하지 않은 환경 친화적인 솔루션입니다. 독특한 디자인으로 해충과 익충을 모두 모니터링할 수 있어 모든 농업 지역의 개체군에 대한 완전한 개요를 제공합니다. "적시에 대상 해충을 평가함으로써 우리는 해충과 질병을 모두 통제하는 데 필요한 조치를 취할 수 있습니다"라고 Kapil은 말합니다. ...>>

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SRAM 칩 Renesas RMLV0816B 및 RMLV0808B 높은 방사선 경도 21.12.2014

Renesas Electronics는 RMLV0816B 및 RMLV0808B 시리즈에서 8개의 새로운 저전력 정적 랜덤 액세스 메모리(Advanced LP SRAM) 칩을 출시했다고 발표했습니다. 110Mbit의 밀도를 가지며 XNUMXnm의 표준에 따라 제조됩니다.

소비자 모바일 전자 제품을 위한 초소형 회로가 훨씬 더 정밀한 표준에 따라 오랫동안 생산되었는데 왜 그러한 "거친" 기술 프로세스를 사용합니까?

문제는 요소를 늘리면 내방사선성을 높일 수 있다는 것입니다. 제조사에 따르면 싱글 오류(Soft Error or Single-Event Upset, SEU)와 트랜지스터 래치업(Latch-up)은 새 메모리에서 제외된다.

단일 고장의 원인은 이온이 셀에 들어갈 때 발생하는 전류 펄스입니다. 그것은 세포를 반대 상태로 만들지만 회로는 건강한 상태를 유지합니다. 새로운 칩의 트랜지스터 크기가 상대적으로 크기 때문에 스위칭은 실패 확률이 150이 되는 경향이 있는 큰 전하를 필요로 합니다. 또한 셀 회로에 특수 커패시터가 도입되었습니다. ECC 오류 수정과 달리 이 접근 방식은 여러 오류가 동시에 발생하는 것을 방지합니다. Renesas에 따르면 이 기술과 다른 기술을 사용하면 XNUMXnm 표준에 따라 제조된 미세 회로의 경우와 동일한 수준의 방사선 저항을 얻을 수 있습니다.

트랜지스터 래칭의 경우 이온 유도 전류 펄스에 의해 발생하며, 이는 서로 다른 유형의 트랜지스터 쌍에서 기생 구조로 형성된 사이리스터와 같은 회로를 엽니다. 래치업의 결과, 이온 노출이 중지된 후에도 트랜지스터를 통과하는 전류가 증가하여 미세 회로의 과열 및 고장으로 이어질 수 있습니다. 새로운 메모리에서는 단결정 기판에 n채널 트랜지스터만 형성하고, 다결정 실리콘을 사용하여 p채널 트랜지스터를 박막 트랜지스터로 형성하여 기생 구조에서 사이리스터 형성을 없애고 위험을 근본적으로 제거합니다. 트랜지스터 스냅의. 그 과정에서 셀 면적과 크리스탈 크기를 줄이는 것이 가능해졌으며 이러한 지표를 65nm 표준에 따라 생산된 메모리에 더 가깝게 만들 수 있었습니다.

대기 전류 소비는 2°C에서 25µA 미만이므로 칩을 배터리 지원 장치의 데이터 저장에 적합합니다.

Renesas는 이러한 메모리를 16Mbps의 밀도로 출시할 계획입니다.

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