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라디오 전자 및 전기 공학의 백과사전 콘서트 앰프용 10kW 스위칭 전원 공급 장치. 무선전자공학 및 전기공학 백과사전
디스코텍 및 소규모 공연장용 사운드 시스템의 증폭 시스템이 소비하는 전력은 2~10kW에 이릅니다. 이 경우 증폭기의 출력단에는 ±80~±160V(및 그 이상)의 공급 전압이 필요합니다. 이 기사에서는 콘서트 UMZCH의 최종 단계에 전력을 공급하도록 설계된 SMPS(바이폴라 스위칭 전원 공급 장치)(그림 1)를 제안합니다. 현재 잡지 페이지에 소개된 전원 공급 장치 중에서 이 SMPS가 가장 강력합니다. SMPS는 펄스 폭 원리에 따라 안정화되는 일정한 바이폴라 출력 전압을 제공하며 과전류 보호 시스템도 갖추고 있습니다(구성 요소 과열 방지 기능은 제공되지 않음). SMPS는 3Hz 주파수의 50상 네트워크에서 전원을 공급받습니다. 출력 부하가 없는 상태에서 소스를 네트워크에 연결하면 사고가 발생하지 않지만 전압 안정화 계수에만 부정적인 영향을 미칩니다. 그러나 SMPS의 정상적인 시작은 오디오 컴플렉스의 다른 모든 장치와 시스템을 예비적으로 켠 후에만 수행된다는 점을 강조해야 합니다. 장치의 변환 주파수는 상대적으로 낮으며(25kHz) 이는 펄스 변환기의 강력한 핵심 트랜지스터의 주파수 특성 때문입니다. 위상 불균형이 없는 경우. SMPS의 역률은 최대 0,955에 도달할 수 있는데, 이는 제로 다이오드와 유도 응답 필터를 갖춘 Larionov 정류기의 기능 특성 때문입니다.
구성 요소의 목적 장치 오작동 시 공급 네트워크 보호는 FU3 1상 회로 차단기에 의해 제공됩니다. 배리스터 RU1, RU6은 네트워크에서 발생하는 단기 과전압을 차단합니다. 커패시터 C2, C5, C7, C10, C11 C22, C28, C32, C34, C35, C37, C39, C44...C45과 함께 초크 L221...L223는 리플을 억제하는 고주파 반응 필터의 기능을 수행합니다. 전원 공급 장치 네트워크를 통과할 수 있습니다. 저항 R45...R47은 초크 L3...L5를 약화시켜 자체 유도 EMF를 줄입니다. 필터링된 교류 전원 전압은 제로 다이오드 VD35이 있는 Larionov 정류기 VD36에 공급됩니다. 출력의 리플 주파수는 300Hz입니다. 공급망에 들어갈 수 있는 고주파 성분을 필터링하고 커패시터 C11, C317 C346이 Larionov 정류기의 출력에 연결될 때 역률이 실제로 감소하지 않도록 하려면 인덕턴스가 작은 초크 L381이 필요합니다. 위상 전류의 모양이 왜곡되지 않습니다. 펄스 변환기의 정상적인 작동에는 폴리프로필렌 커패시터 C317, C346, C381이 필요합니다. 고정 저항 R63...R66은 장치 완성 후 커패시터 C317, C346.C381을 방전시킵니다. 11권선 인덕터 L38의 권선 II와 다이오드 VD317 덕분에 인덕터의 자기장에 저장된 에너지는 컨버터 전원 공급 장치 회로의 커패시터 C346, C381, C7로 다시 회수됩니다. 배리스터 RU8 및 RU11은 인덕터 LXNUMX의 자체 유도 EMF로 인해 발생하는 과전압 펄스를 억제합니다. 3상 공급 전압이 380V이고 위상 불균형이 없으면 위상 전압 Uph는 동일합니다.
부하가 없는 정격 주전원 전압에서 Larionov 정류기 출력의 정전압은 다음과 같습니다.
실제로 정류기 다이오드 VD35, 개방형 사이리스터 VS1, 인덕터 L11의 권선 I 등에 전압 강하가 있기 때문에 펄스 변환기에 공급되는 정전압은 약 10% 더 낮을 수 있습니다. 소스가 켜지는 순간 커패시터 C317, C346...C381의 전하는 Larionov 브리지 VD35를 통해 흐르는 전류 펄스를 생성합니다. 필터 커패시터의 충전으로 인해 전류 과부하가 발생하는 것을 방지하기 위해 작동 요소가 사이리스터 VS1인 스텝 시작 회로가 사용됩니다. 소스가 켜지면 VS1이 닫히고 충전 전류 C317, C346...C381이 저항 R53을 통해 흐르며 22,6A(최대 네트워크 전압에서)로 제한됩니다. 이 전류는 VD35 다이오드에 위험하지 않습니다(펄스 변환기가 소비하는 최대 전류는 약 24A입니다). 필터 커패시터를 충전한 후 R53은 사이리스터 VS1에 의해 션트되며 이는 C287-R57 체인에 의해 결정된 지연으로 켜집니다. 전계 효과 트랜지스터 VT1는 VS12을 열고 저항 R55는 제어 전극 전류를 제한합니다 (저항 R55는 제어 전극 전류가 잠금 해제 전류를 여유만큼 초과하도록 선택됨). 커패시터 C286은 간섭으로 인해 사이리스터가 우발적으로 활성화되는 것을 방지합니다. 커패시터 C317, C346...C381의 충전에 의해 생성된 전류 펄스를 제한하는 회로는 파라메트릭 안정기 R54-VD37-VT11로부터 전원을 공급받습니다. 커패시터 C288은 전압 리플을 억제합니다. 팬 M1...MZ는 동일한 안정기에서 전원을 공급받으며 권선의 자기 유도 EMF는 VD39 다이오드에 의해 억제됩니다. 안정기는 C228, C229, L6, VD27, VD30에 안티 앨리어싱 LC 필터가 있는 펄스 정류기에 연결됩니다. 초크 L6이 복조 중입니다. 커패시터 C228 및 C229의 전압은 진폭이 아닌 변압기 T4 권선 II의 유효 전압 값에 비례해야 합니다. 기생 저항과 인덕턴스가 낮은 폴리프로필렌 커패시터 C229는 고주파에서 전해 커패시터 C228을 우회하여 과열을 방지합니다. 선형 변압기 T2의 2차 권선은 퓨즈 FU24를 통해 라인 필터에 연결됩니다. 36차 권선은 평활 필터 C38, C34을 사용하여 브리지 정류기 VD13에 연결됩니다. 정류된 전압은 파라메트릭 안정기 R9-VD14-VT19에 공급되고 안정화된 전압은 U자형 필터 C1-C23에 공급됩니다. -L27, C30, CXNUMX, CXNUMX. SMPS 마스터 오실레이터는 배선 회로가 있는 Texas Instruments(Unitrode)의 1사이클 컨트롤러 UC2인 DA3825 마이크로 회로에 구축되었습니다." 지정된 IC의 각 주요 트랜지스터의 최대 전류는 2A이고 펄스 지속 시간은 0,5입니다. μs(정전류에서 0,5A) DIP-3825 플라스틱 케이스(그림 16)에서 UC2 IC의 핀 할당은 다음과 같습니다. 1 - 오류 증폭기의 반전 입력,
저항 R2, R10, R52, R58(그림 1)에는 SMPS의 출력 전압 분배기가 구성되어 있으며 이는 커패시터 C230...C257, C258...C285에 적용됩니다. 요소 C5 및 R11은 자동 제어 시스템의 소음 내성을 증가시킵니다. 저항 R2 및 R10에 걸쳐 강하된 정전압은 DA1 칩 오류 증폭기의 반전 입력에 연결됩니다. 제조업체의 참조 데이터에 따르면 이 전압은 마이크로 회로의 핀 0,3을 기준으로 -7...+10V 범위에 있어야 합니다. 2V의 정전압이 분배기 R10-R52-R58-R200에 공급되는 경우 저항 R10을 조정하면 DA1의 핀 1에서 +0,27...+5,3V(상대값) 범위의 전압을 얻을 수 있습니다. 핀 10과 12의 전위에 연결). R10을 조정하면 출력 전압이 변경되고 그에 따라 오류 신호 증폭기의 반전 입력 전압이 변경된다는 점에 유의해야 합니다. 출력 전압 안정화 시스템은 다음과 같이 작동합니다. 어떤 이유로 SMPS의 출력 전압이 증가하면 분배기에서 DA1의 핀 1로 공급되는 전압도 증가합니다. 이로 인해 전원 모듈에 들어가는 미세 회로에 의해 생성된 펄스의 듀티 사이클이 감소합니다. 일정한 생성 주파수에서 다극 펄스의 지속 시간을 줄입니다. 펄스 변압기 T4의 7차 권선의 유효 전압이 감소하고, 커패시터 C230...C285에 적용되는 복조 초크 LXNUMX 이후의 정전압이 원래 수준으로 돌아갑니다. DC 전압 제어는 출력이 아닌 전력 고주파 필터의 입력에서 정확하게 수행됩니다. 과도한 위상 편이가 있으면 자동 출력 전압 제어 시스템이 불안정해질 수 있기 때문입니다(네거티브 피드백 대신 포지티브 피드백). SMPS의 피드백 및 자가 여기가 발생할 수 있습니다. 커패시터 C230...C243 및 C258...C271이 최소 기생 저항 및 인덕턴스 값을 갖는 것이 매우 중요합니다. 체인 R9-C8은 정정 오류 신호 증폭기입니다. 기준 전압(+5,1V)은 오차 증폭기의 비반전 입력 2에 직접 적용됩니다. 세라믹 커패시터 C2는 리플을 필터링합니다. R1, R4 및 C1 등급은 DA1이 생성하는 펄스의 주파수를 설정합니다. 커패시턴스 C1은 서로 다른 극성의 펄스 사이의 일시 정지 기간("데드 타임")을 결정합니다. 커패시턴스 C1이 클수록 데드 타임은 길어집니다. 구성 요소 C6, R3, VT1은 마스터 발진기 DA1의 "소프트" 시작 회로를 조립합니다. 소자 R12, C12, C13은 고주파 리플을 억제하고 저전류 예비 회로와 고전류 최종단 DA1을 "분리"하는 수동 필터입니다. 커패시터 C12 및 C13은 기생 저항과 인덕턴스가 가능한 한 작아야 합니다. 커패시터 C13은 세라믹입니다. 탄탈륨 커패시터 C12의 정격 전압은 50V보다 낮아서는 안 됩니다. 그렇지 않으면 파손될 수 있으며 탄탈륨 커패시터는 일반적으로 단락으로 인해 작동하지 않습니다. DA1 마이크로 회로의 출력 단계와 전원 모듈 VT2 및 VT10의 주요 트랜지스터의 게이트 이미 터 커패시터 방전을 강제하는 회로 사이에는 두 개의 MOSFET VT5 및 VT6이 있는 드라이버가 있습니다. 그 목적은 정합 변압기 T1의 권선 I에 공급되는 펄스를 증폭하는 것입니다. 저항 R16 및 R17은 트랜지스터 VT5 및 VT6의 잠금 해제 및 닫힘을 지연시키고 R18 및 R19는 게이트 소스 커패시턴스를 방전하며 RC 체인 C20-R22 및 C21-R23은 펄스 변압기 T1의 2차 반권선을 감쇠하는 데 필요합니다. 그것들이 없으면 VT10 및 VTXNUMX 모듈의 주요 트랜지스터의 제어 펄스 모양이 크게 왜곡되어 필연적으로 긴급 상황이 발생할 수 있습니다. 전력 펄스 변압기의 4차 권선 I를 통해 흐르는 전류의 강도. T39, 변류기 TK를 모니터링합니다. 저항기 R40, R43, R44 및 R40를 통해 흐르는 전류 펄스는 저항기 전체에 전압 강하를 생성하며 그 크기는 37차 권선 전류에 비례합니다. 이러한 저항기의 전압 상승률은 RC 체인 C41-R38 및 C20-R21에 의해 감소되며, 이는 또한 기생 진동 프로세스의 빠른 감쇠에 기여합니다. 양방향 트랜실(트랜실 - 과도 전압 억제 다이오드) VDXNUMX 및 VDXNUMX은 과전압 펄스의 진폭을 제한합니다. 펄스는 C16Z 및 R17에 로드된 쇼트키 다이오드 VD3 및 VD33에 의해 정류되어 피크 검출기를 형성합니다. 정류된 전압은 전압 분배기 R27-R32에 공급되며 조정된 저항 R27의 슬라이더를 회전시켜 전류 보호 시스템에 필요한 감도를 조정합니다. 전압 분배기에서 과부하 신호는 고주파 리플을 억제하는 다단계 필터 C9-C29-C31-R15-R26으로 전송됩니다. 커패시턴스 C9, C29, C31이 크고 저항 R15 및 R26이 높을수록 전류 보호 시스템의 관성이 커집니다. 관성이 너무 높으면 보호 기능을 수행할 수 없고, 너무 빠르면 오경보가 발생할 수 있습니다. 과부하 신호의 필터링된 전압은 DA9 마이크로 회로의 입력 1에 공급되며, 비상 전류 증가가 발생하면 컨트롤러가 차단됩니다. 핀 9 DA1의 전압이 핀 0,9에 비해 +1,1...+10V인 동안 펄스 듀티 사이클은 감소하고 이 전압이 +1,25...+1,55B에 도달하면 임펄스 형성이 중지됩니다. UC9, UC1825 및 UC2825 IC 핀 3825의 일반적인 끄기 지연 시간은 50ns에 불과하며 최대 지연 기간은 80ns를 초과하지 않습니다. 참고서에 따르면 핀 9을 기준으로 입력 10에 적용할 수 있는 최대 전압은 +6V이며 이 장치에서는 3,8V를 초과하지 않습니다. 정합 변압기 T1, 전류 변압기 T3 및 전력 펄스 변압기 T4는 장치의 입력 및 출력 회로에 갈바닉 절연을 제공합니다. 변압기 T1은 IGBT 모듈 VT2 및 VT10의 게이트 커패시턴스의 강제 방전 회로를 서로 및 트랜지스터 드라이버로부터 갈바닉 절연 기능을 수행합니다. IGBT 모듈 VT2 및 VT10의 강제 잠금 회로는 R13, R20, R24, VD5, VD7, VD9, VT3의 네 가지 구성 요소 그룹으로 표시됩니다. R14, R21, R25, VD6, VD8, VD10, VT4; R28, R30, R35, VD11, VD14, VD18, VT7; R29, R31, R36, VD12, VD15, VD19, VT8도 있습니다. 저항 R20, R21, R30 및 R31은 VT2 및 VT10 전원 모듈에서 해당 트랜지스터의 켜기 및 끄기 속도를 늦추고 진동 프로세스의 진폭과 지속 시간을 줄이는 데 필요합니다. 이것이 없으면 지나치게 높은 신호 슬루율로 인해 발생하는 기생 사이리스터 구조의 "래칭"으로 인해 IGBT 모듈의 제어 가능성이 손실될 위험이 있습니다. CM300DU-24NFH 전원 모듈을 생산하는 Powerex, Inc.의 전문가들은 1~10Ω 범위의 게이트 저항 저항을 권장합니다. 저항 R24, R25, R28 및 R29는 회로에서 발생하는 기생 진동을 완화합니다. 정합 변압기 T1의 권선 II, III, IV 및 V와 저항 R24, R25, R28 및 R29의 부하를 제거하면 이 변압기의 3차 권선의 전압 펄스 모양은 그림 5과 같습니다. (스위프 기간 - XNUMXμs/div.) . 그러한 감쇠된 진동 프로세스로 펄스를 수신하는 것은 피해야 합니다.
소스가 켜지면 컨버터 공급 전압이 IGBT 모듈의 게이트-이미터 및 게이트-컬렉터 커패시터로 형성된 기생 전압 분배기에 적용됩니다. 트랜지스터에 안전한 수준으로 게이트와 이미터 사이의 전압을 제한하지 않으면 트랜지스터가 파손될 것입니다. CM300DU-24NFH IGBT 모듈의 게이트-이미터 전압은 이 장치 등급의 일반적인 값인 ±20V를 초과해서는 안 됩니다. 게이트 이미터 회로는 양방향 클램핑 다이오드 VD5, VD6, VD18 및 VD19로 보호됩니다. IGBT 모듈의 게이트-에미터 커패시턴스의 가속 방전은 열 때 전자 키의 제어 입력을 우회하는 바이폴라 pn-p 트랜지스터 VT3, VT4, VT7 및 VT8에 의해 제공됩니다. 저항 R13, R14, R35, R36도 게이트-이미터 커패시터를 방전하는 데 도움이 됩니다. 강력한 제한 다이오드 VD3, VD4, VD22 및 VD23은 주요 트랜지스터를 과전압으로부터 보호합니다. 댐핑 체인 C3-R7-VD1; C4-R8-VD2; C42-R41-VD25; C43-R42-VD26은 "스너버"입니다. 이것이 없으면 키가 IGBT 크리스털에 잠길 때마다 수 킬로와트에 달하는 큰 전력이 전원 모듈 VT2 및 VT10에서 잠시 방출되고 이로 인해 파워 트랜지스터의 반도체가 심하게 저하되고 , 궁극적으로 서비스 중단으로 이어집니다. 커패시터 C46.C220은 펄스 변압기 코어의 장기 DC 바이어스를 방지합니다. T4 자기 회로의 포화를 일으킬 수 있는 T4. 강력한 VD31 다이오드. 스너버 C34-R224, C48-R225, C49-R226 및 C50-R227로 분류된 VD51에는 두 개의 개별 출력 펄스 정류기가 조립됩니다. 초크 L7은 복조 및 그룹 전압 안정화에 사용됩니다. 커패시터 C230...C285, C289...C316, C318...C345 및 초크 L8...L10이 출력을 형성합니다. 고주파 잔물결을 완화하는 U자형 필터입니다. 커패시터 C230.C243, C258...C271, C289.C316은 최소한의 기생 저항과 인덕턴스를 가져야 합니다. 저항 R60 및 R61은 SMPS가 완료된 후 출력 필터 커패시터를 방전시킵니다. LED HL1은 장치의 켜짐 상태를 나타내며 저항 R59 및 R62는 이를 통해 흐르는 전류를 제한합니다. 퓨즈 FU3 및 FU4는 과전류 발생 시 SMPS 출력 필터 커패시터에서 부하를 차단합니다. 가능한 구성 요소 교체 UC0 브랜드의 1A3825 칩은 UC2825, UC1825 또는 K1156EU2로 교체할 수 있습니다. 주파수 설정 커패시터 C1에는 온도 안정성 그룹 MPO가 있어야 합니다. 예를 들어 브랜드 커패시터가 적합합니다. K71-7. 커패시턴스 깜박임이 나타날 수 있는 커패시터를 사용하지 마십시오. 용량이 3nF이고 정격 전압이 4kV(직류 기준)인 댐핑 회로의 커패시터 C42, C43, C15 및 C4은 WIMA의 Snubber FKP15N/4000 브랜드 폴리프로필렌 유전체와 함께 사용됩니다. Snubber FKP15N/3000 장치로 교체할 수 있습니다. 커패시터 C7, C10, C11, C34, C35, C37은 세라믹, Y22 유형이고 C28, C32, C39, C44, C45, C221, C223...C1은 금속화 폴리프로필렌, X7 유형입니다. 커패시터 C10, C11, C34, C35, C37, C33은 DECE222J4ZC34B 브랜드로 사용할 수 있으며 용량 102nF 및 정격 전압 2kV의 유사한 브랜드 DHRB15C5M2.2FB 또는 K6,3-22로 교체할 수 있습니다. 자체 소화 하우징이 있는 "WIMA"의 커패시터 C28, C32, C39, C44, C45, C221, C223...C10 - MKP330N1K0K27-10470. 지정된 커패시터는 MKP2N/10K, MKP1 1.6U/0,33K 또는 유사 제품으로 교체할 수 있습니다. 0,47μF, 0,68μF 또는 1840μF 시리즈 용량의 금속화 폴리프로필렌 커패시터를 사용할 수 있습니다. Vishay의 MKR600은 46V AC 전압용으로 설계되었습니다. 용량이 220nF이고 정격 DC 전압이 47kV인 커패시터 C2.C14 - 고주파수 폴리프로펜, FKP7 2000N/175. 병렬로 연결된 8,2개 커패시터 그룹의 총 정전용량은 약 XNUMXμF입니다. 커패시터 C230, C243, C258, C271, C289...C316은 폴리프로필렌 고주파 등급 FKP4 0.1U/630 또는 MKR10 0.1U/630입니다. 이러한 커패시터는 최소한의 기생 인덕턴스와 저항을 가져야 합니다. 금속화 폴리프로필렌으로 만들어진 유전체가 있는 커패시터 C317 - DC-LINK NS VZ 유형. 255μF 커패시터 대신 동일한 유형 및 정격 전압의 340μF 커패시터를 사용할 수 있습니다. 커패시터 C346...C381 - 폴리프로필렌 고주파, FKP147N/2000. 커패시터 C244, C257, C272, C285, C318, C345 - NQ 시리즈 f. "아이환 기술 그룹". 용량 1600μF, 정격 전압 450V의 이 시리즈 커패시터는 주파수 9,8Hz, 온도 300°C에서 85A의 리플 전류를 견딜 수 있습니다. 리플의 진폭이 최대 허용 값을 초과하지 않도록 하려면 병렬로 연결된 커패시터를 그룹으로 결합해야 했습니다. SP1-10V 브랜드의 튜닝 저항 R27, R5, R2을 저항 SPZ-19A, SPZ-39, SP5-ZV, SP5-16 또는 SP5-22로 교체해 볼 수 있습니다. 무라타제작소에서 가능합니다. 그러나 수입된 트리밍 저항기는 저항 계열이 다르기 때문에 교체 시 트리머와 직렬로 연결된 상수 저항기의 저항값을 조정해야 합니다. 하우징에 있는 LAET의 저항기 R7, R8, R41, R42 - PA6(비유도성). TO-247. 저항기를 냉각시키기 위해 104x50x100mm 크기의 별도 HS102-24,5 라디에이터가 사용됩니다. 저항기 R48, R51은 동일한 브랜드 PA6 중 하나를 사용하거나 TT 전자 제품의 TO-20 패키지에서 263W 전력의 SMHP 시리즈 저항기를 사용하거나 4W. 고정 저항 R5 - 와이어, C53-5V-43 또는 C50-5V. 이 저항기는 단기 전류 과부하를 쉽게 견딜 수 있어야 합니다. 저항기 R35, R63 - 권선, C66-5V. CVT RU1...RU6 유형 S20K680은 브랜드 B72220-S 681-K101, TVR20112 또는 CNR20D112에서 선택할 수 있습니다. RU7B72220-S102-K101 배리스터는 895V DC의 전압에서 작동하고 최대 410J의 에너지를 흡수할 수 있습니다. 병렬로 연결된 72220개의 B681-S101-K895 배리스터로 교체할 수 있습니다(각각 250V의 전압에서 작동). 최대 8J의 에너지를 흡수할 수 있습니다. RU20241 TVR200 배리스터는 108V의 DC 작동 전압을 가지며 72220J의 최고 에너지를 흡수할 수 있습니다. 지정된 배리스터는 B2131-S101-K20, JVR-241N20K, S130K2E20 또는 S150KXNUMX으로 교체할 수 있습니다. DSDI1-2A 브랜드의 다이오드 VD25, VD26, VD36, VD38, VD60 및 VD16은 동일한 제조업체의 DSDI60-18A 다이오드 또는 RHRG75120, RHRU100120으로 교체할 수 있습니다. f. Fairchild Semiconductor Corporation". 다이오드는 별도의 냉각기 HS143-100 또는 이와 유사한 장치에 장착됩니다. 양방향 제한 다이오드 VD3. VD4, VD22 및 VD23(ONS261-10-9)은 ONS261-Yu-8 또는 ONS261-10-10으로 교체 가능 적합한 쿨러는 0171 또는 0371입니다. 양방향 제한 다이오드 VD5, VD6, VD18 및 VD19 브랜드 1.5KE18CA는 5KR15CA 또는으로 교체할 수 있습니다. P6KE18CA. 쇼트키 다이오드 VD7...VD12, VD14, VD15(SB5100)는 MBR750으로 교체됩니다. SB560, SB860 또는 SB860F. VD13 1N5354B 제너 다이오드의 항복 전압은 17V입니다. 1SMA5930B, 1N5355B-MBR 또는 1N5353B로 교체할 수 있습니다. 쇼트키 다이오드 VD16 및 VD17(1N5819)은 11DQ06, 11DQ10, MBR160, SB140...SB160으로 대체됩니다. SB1100, SR1100, SR106 또는 SR180. 양방향 다이오드 VD20 및 VD21(1.5KE8.2CA)은 보호 다이오드 P6KE8.2CA, P6KE10CA 또는 1.5KE10CA로 교체 가능합니다. VD24 다이오드 어셈블리 유형 MB154W는 BR154, BR156, BR158 또는 MB156W 장치 중 하나로 교체할 수 있습니다. 예를 들어 Kinsten Industrial에서 생산한 183x30x50mm 크기의 HS17 브랜드와 같은 쿨러에 장착됩니다. 초고속 다이오드 VD27...VD30 HFA15PB60은 DSEI12-06A로 교체할 수 있습니다. FES16DT. FES16FT 또는 HFA15TB60. 전체 크기가 184x30x30mm 또는 이와 유사한 41개의 별도 HS30-31 쿨러에 장착됩니다. 초고속 다이오드 VD34.VD150 04EBU150는 104A(온도 400°C에서)의 순방향 전류를 허용하고 172V의 가장 높은 역전압을 견딥니다. 일반적인 역회복 기간은 150ns(순방향 전류 200A에서)입니다. , 역전압 125V, 온도 150°C). 04EBU1.17 다이오드 전체의 최대 순방향 전압 강하는 150A 전류 및 125°C에서 320V입니다. 이러한 구성 요소는 두 개의 다이오드로 구성된 HFA40NJ280C 또는 HFA60NJ20060C 어셈블리로 교체할 수 있습니다. 그러나 다이오드에는 공통 음극이 있다는 점을 기억해야합니다. MURXNUMXCT로 교체하는 것도 허용됩니다. 31개의 다이오드(VD34...VD153)는 모두 독립 냉각기 HS100-35 f에 장착됩니다. "Kinsten Industrial" 또는 이와 유사한 것. 75상 다이오드 브리지 VD2 브랜드 RM160TC-160H는 유사한 브리지 153MT50KV로 교체할 수 있습니다. 다이오드 브리지는 HSXNUMX-XNUMX 쿨러 또는 이와 유사한 장치에 설치됩니다. 제너 다이오드 VD37 브랜드 1N5350B의 항복 전압은 13V(±5%)입니다. 1N5351V, BZX85C-13V 또는 ZY13 제너 다이오드 중 하나로 교체할 수 있습니다. MUR39 브랜드의 VD420 다이오드는 BYD1100, BYV28-100으로 교체할 수 있습니다. SBYV28-200. SF22. SF54 또는 SB5100. HL1 LED는 녹색 또는 파란색으로 빛나는 것이 바람직합니다. L-7113CGCK LED 대신 KIPM01V-1L, KIPM07G-1L, L-383SGWT, ARL2-5213PGC 또는 L-1503SGC 장치 중 하나를 사용할 수 있습니다. 저전력 pn-p 트랜지스터 KT361G(VT1)는 KT361 시리즈의 다른 트랜지스터 및 유사한 장치로 대체할 수 있습니다. VS 157, VS 158 VS250V, VS250S. 전원 모듈 VT2 및 VT10에는 각각 반대 다이오드가 통합된 하프 브리지 회로에 연결된 300개의 강력한 IGBT가 포함되어 있습니다. CM24DU-30NFH 모듈의 트랜지스터는 하드 스위칭으로 최대 60kHz의 주파수에서 작동하고 공진 모드에서 70~300kHz의 주파수에서 작동할 수 있습니다. 트랜지스터 콜렉터의 직류 전류는 최대 600A, 펄스 전류는 1200A, 최대 콜렉터-이미터 전압은 25V(온도 6,5°C에서)입니다. 모듈 트랜지스터의 최고 컬렉터-이미터 포화 전압은 5V이고 일반적인 값은 300V입니다. 각 전원 모듈은 IHV 또는 IHM 시리즈의 "DAU"와 같은 별도의 냉각기에 설치해야 하며 길이는 200mm면 충분합니다. 이러한 구성 요소 대신 CM24DU-60NFH 모듈 또는 IRGPS120B105KDP와 같은 여러 개별 트랜지스터를 사용할 수 있습니다. 후자는 240A의 일정한 콜렉터 전류, 1200A의 펄스 전류, 25V의 최대 콜렉터-이미터 전압(온도 4°C에서)을 갖습니다. 장치는 작성자가 가지고 있던 구성 요소를 사용합니다. 주요 트랜지스터를 선택할 때 IGBT의 허용 컬렉터 전류는 변환 주파수와 온도가 증가함에 따라 크게 감소한다는 점을 기억해야 합니다. 온도가 증가함에 따라 트랜지스터의 허용 전력 손실도 감소합니다. 전력 펄스 변압기의 24차 권선의 최고 전류입니다. TXNUMX는 약 XNUMXA이므로 이 점도 고려해야 합니다. 트랜지스터 VT3, VT4, VT7 및 VT8(2SA1244)은 2SB1202로 교체할 수 있습니다. MOSFET VT5, VT6 및 VT12(IRF530N)는 IRFU3910, IRF530, IRL530N 또는 IRFI540G로 교체할 수 있습니다. 트랜지스터 VT5 및 VT6은 Kingcooler에서 제조한 소형 쿨러 KG-331에 장착되고, 트랜지스터 VT12는 라디에이터 HS115-50, HS113-50 'Kinsten Industrial' 또는 이와 유사한 효율성에 장착됩니다. 구성 요소 VT9 브랜드 2N6284는 2N6283으로 교체 가능하며, KT827A, KT827B. 트랜지스터는 쿨러 HS143-150 또는 이와 유사한 장치에 장착됩니다. 바이폴라 트랜지스터 VT11 브랜드 2N6284는 KT827A로 교체할 수 있습니다. 쿨러 HS153-50 또는 유사한 장치에 장착해야 합니다. Thyristor VS1 브랜드 T161-160-18은 쿨러 0171 또는 0371에 장착됩니다. T161-160-14, T161-160-15, T161-160-16, T261-160-18 또는 T161-200-으로 교체할 수 있습니다. 14. 스로틀 L1 - LPV2023-501KL f. "번스". 참고 데이터에 따르면 권선의 인덕턴스는 500(±10%)μH이고 최고 저항은 0,28Ω입니다. 초크는 최대 1,5A의 전류를 견딜 수 있습니다. L2 인덕터는 함께 접힌 원자화된 철로 만들어진 두 개의 환상형 자기 코어로 만들어집니다. T650-26 또는 T650-52 표준 크기 K165,0x88,9x50,8 f. "마이크로 금속". 인덕터 권선은 세 개의 와이어로 동시에 감겨 있습니다. 각 권선은 18개의 권선을 포함해야 하며 인덕턴스는 265μH여야 합니다. 권선으로는 PEV-10 또는 PETV 2mm(구리용) 구리선 0,55가닥의 "피그테일"을 사용할 수 있습니다. 초크 L3...L5는 표준 크기 K400x26x102mm의 원자화 철 T57.2-33D로 만들어진 환상형 코어에 만들어지며 직경이 각각 10mm인 PEV-2 또는 PETV 구리선 0,55가닥으로 구성된 "피그테일"이 있습니다. 구리). 각 권선은 32개의 턴으로 구성되며 인덕턴스는 265μH입니다. 스로틀 L6은 LPV2023-501KL에서 가져옵니다. f. "번스". 최대 전류는 1,5A이고 권선 인덕턴스는 500(±10%)μH이며 저항은 0,28Ω 이하입니다. 7권선 인덕터 L650은 원자화된 철로 만들어진 하나의 토로이드 자기 코어에 만들어집니다. T26-650 또는 T52-165 K88,9x50,8x35mm. 인덕터 권선은 각 권선의 인덕턴스가 10μH(각 권선의 권선 수는 90)가 될 때까지 두 개의 와이어에 동시에 배치됩니다. 권선은 각각 2mm(구리)의 PEV-0,55, PETV 또는 PELSHO XNUMX개 와이어 가닥의 "피그테일"로 만들어집니다. 출력 정류기가 전파(full-wave)라는 사실로 인해 정류된 전압 리플은 변환 주파수보다 두 배 높은 주파수를 갖습니다. 초크 L8...L10은 원자화된 철로 만들어진 링 자기 코어로 만들어집니다. T650-26 또는 T650-52 K165x88,9x50,8mm. 각 권선의 권수는 10이고, 각 인덕터의 인덕턴스는 35μH이다. 권선은 각각 직경이 90mm인 0,62개 코어로 구성된 "피그테일"입니다. 11권선 인덕터 L650은 함께 접힌 원자화된 철로 만들어진 두 개의 토로이달 자기 코어에 구현됩니다. T26-650 또는. Micrometals에서 생산한 T52-165 표준 크기 K88,9x50.8x22mm. 권선은 2가닥의 PETV 또는 PEV-0,55 29mm 와이어(구리)로 구성된 "피그테일"로 감겨 있습니다. 각각 675회 감겨 있는 권선은 두 개의 와이어로 감겨 있습니다. 각 권선의 인덕턴스는 약 XNUMXμH입니다. T1 펄스 변압기는 표준 크기 K2000x39x24의 M7NM-A 페라이트로 만들어진 토로이드 자기 코어로 제작됩니다. 권선 I은 2개로 접힌 PEV-0,38 또는 PETV 0,38mm 와이어로 감겨 있고 권선 II, III, IV 및 V는 동일한 등급의 130mm 와이어를 반으로 접은 상태입니다. 권선 I에는 130+130권선이 있고, 권선 II, III, IV 및 V에는 각각 22권이 있습니다. 권선간 단열은 폴리에스터 또는 라브산 테이프로 수행됩니다. 권선 II, III, IV 및 V와 XNUMX차측 반권선의 인덕턴스는 XNUMXmH입니다. T1 변압기는 M36NM2000 페라이트로 만든 B1 장갑 코어(트리머 및 간격 없이)에 감을 수도 있습니다. 이 경우 권선 II, III, IV 및 V와 각 88차측 반권선에는 동일한 등급 및 동일한 직경의 와이어 XNUMX회전이 포함되어야 합니다. 권선의 인덕턴스도 변하지 않습니다. 선형 단상 변압기 T2 브랜드 대신. OSM1 -0,063 380/5-24, OSM 1-0,063 380/36, OSM 1-0,1 380/5-24, OSM 1-0,16 380/5-24 또는 이와 유사한 변압기를 사용할 수 있습니다. 변류기. T3은 망간-아연 페라이트 12NMS15-2500 또는 1NMS로 만들어진 자기 코어 Ш 11x3000로 만들어집니다. 22차 권선은 편의상 PEV-2 또는 PETV 0,55mm 와이어(구리용) 0,62개 코어 묶음으로 만들어진 74회전으로 구성됩니다. 절연 코팅의 두께를 고려한 각 정맥의 직경은 74mm입니다. 절연체의 전기 강도를 높이기 위해 변류기의 0,33차 권선은 유리 섬유 튜브를 통과하며, 0,05차 권선에는 동일한 등급(구리의 경우) XNUMXmm의 접힌 단일 심선 XNUMX개가 XNUMX+XNUMX회 감겨져 있습니다. 포화를 방지하기 위해 코어에 XNUMXmm 두께의 비자성 간격이 남습니다. 전력 펄스 변압기. T4는 0,05mm 두께의 절연 패드를 통해 함께 접힌 20세트의 자기 코어로 만들 수 있습니다. 강력한 자기장에서 작동하도록 설계된 페라이트 28NMS2500로 제작된 Sh1x0,02. 이 구성을 사용하면 대부분의 권선이 측면 코어를 둘러싸는 페라이트로부터 보호됩니다. 자기 코어에 0,02+XNUMXmm의 비자성 간격을 만드는 것이 유용하며, 이는 코어의 최대 허용 자기장 강도를 증가시킵니다. 대형 자기 코어를 사용하는 이유는 25kHz의 변환 주파수 때문이며, 그 선택은 VT2 및 VT10 모듈 트랜지스터의 허용 가능한 스위칭 속도와 관련됩니다. 권선 I T4에는 PEV-9 또는 PETV 18mm 와이어 2가닥으로 구성된 0,47회전 "피그테일"이 있습니다. 권선 II에는 1mm의 0,47회전이 있습니다. 권선 III 및 IV는 가능한 한 동일해야 하며 각각 2mm의 2개 코어로 구성된 "피그테일"의 38+0,4 회전으로 구성됩니다. 권선 사이에 얇은 절연체(0,3mm 이하)를 놓아야 하지만 필요한 전기 강도를 제공해야 합니다. 자기 회로 창이 거의 완전히 채워져 있다는 점을 고려하면 권선을 놓는 것은 매우 어렵습니다. 최소 4개의 KG-370 또는 KG-222 브랜드 라디에이터를 절연 운모 개스킷을 통해 변압기 코어에 접착해야 합니다. 1상 회로 차단기 FU203 브랜드 ABB S40 C203A는 ABB S32R C6, Moeller ZR PL40-C3/3, Moeller 6P PL32-C3/3으로 교체할 수 있습니다. 4A의 작동 전류용으로 설계된 퓨즈 FU120 및 FU2는 "FLOSSER", 유형 "B" 또는 브랜드의 자동차 퓨즈에 사용할 수 있습니다. PN-XNUMX. 공급 전압 1V, 소비 전류 0825A의 Jamicon Corporation에서 제조한 팬 M1...MZ JF12B0,19Н의 크기는 80x80x25mm이고 용량은 1,1m3/min입니다. JF0815B1H로 교체할 수 있습니다. JF0825S1H,EC8025M12SA.KF0820B1H, KF0820S1H 또는 이와 유사하며 0,2A 이하의 전류를 소비합니다. 디자인 전원 공급 장치는 브랜드의 유연한 케이블을 사용하여 네트워크에 연결됩니다. KGET-6 3x10+1x6+1x6(TU16.K09-125-2002) 또는 유사. 커패시터 C12, C13은 DA12 마이크로 컨트롤러의 핀 13 및 1에 가깝게 배치되어야 합니다. 도체의 길이와 트랙의 길이는 가능한 한 최소화되어야 합니다. 마스터 오실레이터가 있는 보드는 전자기 차폐에 배치되고 DA10의 핀 12 및 1에 전기적으로 연결됩니다. 커패시터 C46.C220은 눈금자를 연상시키는 긴 양면 인쇄 회로 기판의 양쪽에 서로 가깝게 납땜되어 있으며, 이를 따라 한쪽에 4개, 반대쪽에 346개 등 381개의 버스 트랙만 에칭됩니다. 커패시터 C2...C10은 VTXNUMX 및 VTXNUMX 모듈의 주요 트랜지스터 단자에 직접 연결됩니다. 댐핑 회로 C3-R7-VD1, C4-R8-VD2, C42-R41-VD25 및 C43-R42-VD26은 VT2 및 VT10 모듈 트랜지스터의 콜렉터-이미터 단자에 직접 연결됩니다. RC 댐핑 회로 C40-R37, C41-R38, C224-R48, C225-R49, C226-R50 및 C227-R51은 해당 구성 요소에 최대한 가깝게 위치합니다. 변류기 T3 및 다이오드 VD31...VD34. 쿨러에 장착된 부품은 ALSBG-3, KPT-8 또는 이와 유사한 브랜드의 열 페이스트를 사용하여 설치됩니다. 전력 펄스 변압기. T4는 팬 M1...MZ 중 하나의 공기 흐름 경로에 배치됩니다. SMPS가 최대 출력 전력으로 장기 모드에서 작동할 때 변압기가 상당히 가열되기 때문입니다. 전체 SMPS는 차폐되어 있으며 전자기 차폐는 공통 와이어에 연결됩니다. 커패시터 C8 및 저항 R9와 양면 보드의 반대쪽에 이들을 연결하는 트랙 아래에 스크린 역할을 하는 에칭되지 않은 호일을 남겨 두는 것이 좋습니다. 이는 핀 10 및 12에 연결됩니다. DA1 마이크로 회로. 설정 및 조정. 조정하기 전에 변압기 T1, T4, 초크 L2, L7 및 L11의 설치 및 위상을 주의 깊게 확인한 다음 튜닝 저항기의 저항을 조정해야 합니다. 저항 R27은 최대이어야 하며 저항 R1 및 R10의 슬라이더는 중간 위치로 설정되어야 합니다. 이제 오실로스코프, 실험실 전원 공급 장치, 멀티미터, 등가 부하 장치(강력한 저항기) 및 300개의 XNUMXW 백열등이 필요한 장치의 단위별 테스트를 시작할 수 있습니다. 먼저 서지 보호기가 작동하는지 확인해야 합니다. 테스트 중에 퓨즈 FU2를 제거하여 마스터 발진기의 보조 전원 공급 장치를 끄고 VD35 정류기를 서지 보호기에 연결하지 마십시오. 필터가 네트워크에 연결되면 입력과 정확히 동일한 진폭의 교류 0,4상 전압이 출력에 존재해야 합니다. 부하가 없을 때 네트워크에서 필터가 소비하는 전류의 무효 구성 요소는 XNUMXA를 크게 초과해서는 안되며 전류의 활성 구성 요소는 XNUMX이 되는 경향이 있어야 합니다. 그런 다음 필터가 네트워크에서 연결 해제되고 Larionov 정류기가 여기에 연결됩니다. 다이오드 정류기 VD27...VD30은 펄스 변압기의 권선 II에서 분리됩니다. T4에 연결하고 출력 전압이 15...20V이고 허용 전류가 최소 1A인 실험실 전원 공급 장치에 연결합니다. 커패시터 C288, 팬 M12...MZ에는 약 1V의 정전압이 있어야 합니다. 일을 시작해야 한다 등등 마지막으로 사이리스터 VS1이 열려야 합니다. 이제 실험실 전원 공급 장치가 꺼졌지만 정류기에서 연결이 끊어지지 않았습니다. 인덕터 L8의 배리스터 RU11, 저항 R63, 커패시터 C317, C346, C381의 연결 지점과 IGBT 컬렉터 VT2.1.VT10.1, 저항 R7...R41의 연결 지점 사이의 회로를 차단합니다. 다이오드 VD1, VD3. VD22, VD25. 따라서 펄스 변환기는 필터 커패시터의 단계적 충전 시스템을 통해 주 정류기에서 분리됩니다. 커패시터 C317과 병렬로 등가 부하가 연결됩니다. 각각 300W의 전력을 갖는 두 개의 LON 유형 백열등이 직렬로 연결됩니다. 실험 중에 저항 R53이 눈에 띄게 가열되기 시작하면 실험실 전원 공급 장치에서 정류기 VD27.VD30에 전압이 공급됩니다. 모든 준비 작업을 완료한 후 장치를 네트워크에 연결합니다. VD36 다이오드는 정격 라인 전압(515V ~ 463V)에서 약 565V의 DC 전압을 제공해야 하며 라인 전압 편차는 ±10%입니다. 이 경우 사이리스터 VS1은 닫혀야 하며 이는 기기와 저항 R53의 가열 여부에 따라 결정될 수 있습니다. 실험실 전원 공급 장치를 켜면 VS1이 열려 온도가 감소합니다. 저항 R53의 이 경우 네트워크에서 장치를 분리하고 실험실 전원 공급 장치를 끄고 커패시터 C317과 트랜지스터 VT2.1 및 VT10.1의 컬렉터, 정류기 VD27...VD30 및 사이의 연결을 복원하십시오. 변압기 T4의 권선 II. 제거된 퓨즈 FU2는 제자리로 돌아갑니다. VD24 다이오드 브리지는 변압기 T2에서 분리되고 출력 전압이 20V(19~24V)로 설정된 실험실 전원 공급 장치에 연결됩니다. 커패시터 C19 및 C30에는 약 15V의 정전압이 존재해야 하며 오실로스코프는 DA11 마이크로 회로의 핀 14 및 1에 연결되고 주파수는 조정된 저항 R1을 사용하여 25kHz로 설정됩니다. 이 기간 동안 가파른 가장자리를 가진 두 개의 반대 극성 직사각형 펄스가 관찰되어야 하며 펄스 사이에는 보호 일시 중지가 있어야 합니다(그림 4, 감도 - 5V/셀, 스위프 지속 시간 - 5μs/구간). 보호 일시 중지 기간은 사용된 주요 트랜지스터의 매개변수에 따라 선택됩니다. 2,1μs 이상인 것이 바람직하다. 데드타임 기간을 변경하려면 커패시턴스가 다른 커패시터 C1을 사용해야 합니다.
용량이 클수록 1 수준에서 일시 중지 기간이 늘어나고 용량이 작을수록 그 반대가 됩니다. 그러나 커패시터 C1의 커패시턴스를 조정하면 변환 주파수가 변경되므로 트리밍 저항 RXNUMX을 사용하여 주파수를 다시 조정해야 합니다. 트랜지스터 VT5와 VT6의 드레인 사이에는 그림 4와 거의 동일한 모양의 전압 펄스가 있어야 합니다. 정합 변압기 T1의 5차 권선 양쪽 절반의 전압 펄스 모양이 그림 XNUMX에 나와 있습니다(측정 시 권선 II, III, IV 및 V에 부하가 연결되지 않음). 전류 보호 회로의 기능을 확인하기 위해 변류기 T3의 39차 권선을 납땜하고 설정 전압 43V의 실험실 전원 공급 장치를 저항 R6 및 R16에 병렬로 연결하여 "+"가 연결되도록 합니다. VD10 다이오드의 양극에, "-"는 단자 12 및 1 DA17에 연결됩니다. 이 경우 컨트롤러는 펄스 생성을 중지해야 합니다. 실험실 전원 공급 장치의 "+"를 VD3 다이오드의 양극에 연결하면 펄스 생성도 중지되어야 합니다. 실험실 장치를 분리하고 TXNUMX 권선을 제자리에 납땜합니다. VT2 및 VT10 모듈 트랜지스터(R13-R20-R24-VD5-VD7-VD9-VT3, R14-R21-R25-VD6-VD8-)의 게이트 이미 터 커패시턴스 방전을 가속하는 회로의 작동을 확인할 수 있습니다. VD10-VT4, R28-R30-R35 -VD11-VD14-VD18-VT7 및 R29-R31-R36-VD12-VD15-VD19-VT8 표시된 회로가 있는 경우 게이트 커패시터의 방전이 보다 빠르게 발생해야 합니다. 전원 모듈 VT2 및 VT10의 키 트랜지스터의 게이트 이미 터 단자 사이의 전압 펄스 모양을 확인하는 것이 유용합니다. 게이트 커패시터 방전 회로가 없으면 펄스 모양이 그림의 오실로그램에 표시됩니다. 6a 및 표시된 회로가 있는 경우 - 그림 66(감도 - 2V/셀, 스위프 - 0.2x50μs/구간) 하나의 IGBT에 대해 두 오실로그램이 모두 제거되었습니다(IGBT 컬렉터는 변환기 회로에 연결되지 않음). , 나머지 XNUMX개의 IGBT와 해당 게이트 커패시터의 가속 방전 회로는 연결이 끊어집니다. 전원 모듈 VT2 및 VT10 트랜지스터의 게이트 이미 터 전압 펄스 모양에 중요한 영향은 댐핑 저항 R24, R25, R28, R29 및 체인 C20-R22 및 C21-R23의 저항에 의해 발휘됩니다. 모양을 개선하기 위해 선택할 수 있습니다. 펄스 폭 전압 조절을 확인하려면 R58에서 저항 R52을 분리하고 "-" 실험실 전원 공급 장치를 d 지점에 연결합니다. 오실로스코프는 펄스 변압기 T1의 20차 권선(II, III, IV 또는 V)에 병렬로 연결되고 저항 R21, R30, R31, R100은 실험 기간 동안 납땜되지 않습니다. 실험실 전원 공급 장치의 출력 전압을 5에서 5V로 변경하여 펄스의 듀티 사이클이 변경되지만 주파수와 모양은 변경되지 않도록 합니다. 이는 오실로그램(증폭기 감도 Y - 7V/셀, 스윕 - 76μs/구간)으로 표시됩니다. 그림 7a - 최소 듀티 사이클, 그림 20 - 평균, 그림 21c - 최대. 듀티 사이클 조정이 성공하면 실험실 전원 공급 장치를 끄고 납땜 저항 R30, R31, RXNUMX 및 RXNUMX을 제자리에 놓습니다.
절차가 완료된 후에만 네트워크에 부하를 연결하지 않고 SMPS를 켤 수 있습니다. 트리밍 저항 R10을 사용하여 소스의 출력 전압은 ±100V로 설정됩니다. SMPS 출력 -100V와 +100V(퓨즈 FU3 및 FU4 뒤) 사이에는 저항이 3.6Ω인 등가 부하가 연결됩니다. 등가 부하로 Danotherm의 OHMEGA 시리즈 제동 저항 모듈 또는 불연성 베이스에 장착된 니크롬 나선형 모듈을 사용할 수 있습니다. 저항 R27의 슬라이더를 회전시키면 보호 시스템이 활성화되고 11,1kW의 부하 전력에서 전원 공급 장치가 꺼집니다. 그런 다음 4kW의 출력 전력에 해당하는 10Ω의 등가 부하를 사용합니다. 장치에 연결할 때 보호 시스템이 작동하지 않아야 합니다. 설정 작업이 끝나면 장기 모드에서 전원 작동을 확인하고 구성 요소의 열 상태를 모니터링해야 합니다. 주목! 소스를 설정하고 작동하는 동안 안전 규칙을 따라야 합니다. 저자: E.Moskatov, 타간로크, 로스토프 지역.
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