탱크 Ya-1-OSV 작동 중 노동 보호 지침

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탱크 Ya-1-OSV 작동 중 노동 보호 지침

노동 보호

사고 예방

1. 일반 안전 요구 사항

1.1. 의학적 금기 사항이 없고 직장에서 산업 훈련, 입문 및 기본 교육을 받은 신체적으로 건강한 사람도 Ya-1-OSV 탱크를 작동할 수 있어야 하며 위생 교육도 받고 1회에 한 번씩 검사에 합격해야 합니다. 정해진 프로그램에 따라 2년.

1.2. 탱크로 커드 작업을 하는 직원은 다음 사항을 알아야 합니다.

Ya-1-OSV 탱크의 기술 작동을 위한 장치, 설계, 작동 원리 및 규칙;
이 장비의 주요 오작동 유형,이를 제거하는 방법;
내부 노동 규정.

1.3. 작업이 허가된 직원은 노동 보호에 관한 지침을 제공받아 숙지해야 합니다.

2. 작업 시작 전 안전 요구 사항

2.1 규범에 따라 정해진 작업복을 입습니다.

2.2. 코티지 치즈 디스펜서의 접지 여부와 서비스 가능성을 확인하고 양호한 상태인지 확인하고 유휴 상태에서 테스트하고 손상이나 오작동이 발견되면 경영진에게 알립니다.

2.3. 통로가 막히지 않았는지 확인하십시오.

2.4. 안전한 작동을 위해 규정된 유지 관리 기간이 없는 장치 및 장비에 대해 매주 예방 검사를 수행해야 합니다.

2.5. 장비의 이동 및 회전 부분에는 작업자의 부상 가능성을 배제하는 보호 커버와 가드가 있어야 합니다.

3. 작업 중 안전 요구 사항

3.1. 당신에게 주어진 일만 하라

3.2 자신의 주의가 산만해지지 않도록 주의하고 다른 사람의 주의를 산만하게 하지 마십시오.

3.3. 승인되지 않은 사람이 탱크에서 작업하지 못하게 하십시오.

3.4. 낯선 사람이 없는지 확인하면서 작동중인 탱크를 시작하십시오.

3.5. 탱크 작동 및 외부 세척 중에는 뚜껑을 단단히 닫아야 합니다.

3.6. 벨트 가드는 올바른 위치에 있어야 하며 교반기 구동 메커니즘의 회전 부품을 적절하게 보호해야 합니다.

3.7. 수리 및 검사 중에는 해치 덮개를 열고 제어판에 "켜지 마십시오. 사람이 작업 중입니다"라는 표시를 해야 합니다.

3.8. 탱크 내부의 모든 작업은 항상 탱크 외부에 있어야 하는 파트너와만 수행할 수 있습니다.

3.9. 와셔로 탱크 내부를 세척할 때는 뚜껑을 닫아야 합니다.

3.10. 탱크 작동 중 오작동이 감지되면 중지하고 마스터에게 알리십시오.

마스터와 자물쇠 제조공이 있는 경우에만 문제 해결 후 탱크를 켭니다.

3.11. 작업장을 깨끗하게 유지하고 흘린 액체를 적시에 청소하고 바닥의 미끄러움을 제거하십시오.

4. 비상 상황에서의 안전 요구 사항

4.1. 장비의 금속 부분에서 전압이 감지되고(전류 감지) 전기 모터가 XNUMX상으로 작동하고(허밍) 접지선이 끊어지면 기계를 멈추고 즉시 경영진에 보고해야 합니다.

4.2. 장비 작동 중 오작동, 자연 정지, 사고가 감지되면 전원 공급 장치를 끄고 책임자에게 알리고 오작동이 제거 될 때까지 켜지 마십시오.

4.3. 부상의 경우 구급소에 연락하여 관리실에 알립니다.

4.4. 화재가 감지되면 전화 01로 소방대에 전화를 걸어 경영진에게 알릴 필요가 있습니다.

5. 작업 종료 시 안전 요구 사항

5.1. 작업이 완료되면 모든 장비와 메커니즘은 권한이없는 사람이 시작할 가능성을 배제한 위치로 이동하고 전원 공급 장치를 끄고 장비를 닦습니다. 소독, 분해, 청소 및 세척은 주 전원에서 장비를 분리한 후에만 수행됩니다.

5.2. 작업복을 벗고, 설치 작업에 대한 모든 의견을 감독자에게 보고하고, 장비를 직접 수리하지 말고, 샤워를 하십시오.

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Toshiba Electronics Europe은 무선 주파수(RF) 스위치 생산에 최적화된 차세대 TarfSOI(Toshiba advanced RF SOI) 워크플로의 개발을 발표했습니다. 새로운 SP8T 장치와 같은 새로운 TaRF12 공정 기술을 사용하여 만든 RF 스위치 IC는 업계에서 가장 낮은 삽입 손실 등급을 제공합니다. 새로운 제조 공정을 기반으로 하는 SP12T RF 스위치 IC 시험 샘플은 2016년 XNUMX월에 출하될 예정입니다.

스마트폰용으로 설계된 SP12T RF 스위치 IC에는 모바일 솔루션을 위한 통합 MIPI-RFFE 컨트롤러가 있습니다. 스위치는 3GPP GSM, UMTS, W-CDMA, LTE 및 LTE-Advanced 장치에서 사용할 수 있습니다.

새로운 TaRF8 SOI-CMOS TarfSOI 웨이퍼 공정을 사용하여 제조된 제품은 0,32GHz에서 2,7dB의 업계 최저 삽입 손실 등급을 제공합니다. Toshiba의 현재 TaRF6 공정 기술을 기반으로 하는 제품과 비교하여 동일한 수준의 왜곡을 유지하면서 삽입 손실이 0,1dB 개선되었습니다.

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Toshiba는 아날로그 및 개별 회로를 통합하는 SOI-CMOS 기술을 사용하여 사내에서 고성능 RF 스위치 IC를 개발합니다. RF 구성 요소 공정 개발에서 RF 스위치 IC 설계 및 제조에 이르기까지 제조 공정의 모든 측면을 추구함으로써 Toshiba는 자체 RF 스위치 IC 개발 결과를 기반으로 SOI-CMOS 기술을 신속하게 개발할 수 있습니다. IDM(통합 장치 제조업체)으로 일하면서 회사는 대량 생산에 적합한 새로운 제조 공정 기술을 신속하게 개발하고 최첨단 제조 공정을 사용하여 제품을 시장에 출시할 수 있습니다.

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