하이브리드 선형 전력 증폭기. 계획, 설명

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하이브리드 선형 전력 증폭기. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전

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단파 트랜시버에서 전송 경로에는 일반적으로 전기 진공관을 기반으로 하는 강력한 최종 증폭기와 트랜지스터를 기반으로 하는 전치 증폭기가 포함됩니다. 동시에 전치 증폭기를 최종 증폭기와 일치시킵니다. 공진 회로를 사용합니다. 전치 증폭기와 전송 경로의 마지막 믹서 사이에도 유사한 회로가 포함됩니다.

이러한 송수신기의 전송 경로 구성은 최적이라고 볼 수 없습니다. 전치 증폭기의 입력 및 출력에서 XNUMX개의 전환 가능한 공진 회로를 사용하면 장치가 복잡해집니다. 또한 공진 회로의 회로에 강력한 트랜지스터의 컬렉터를 포함하면 트랜지스터의 컬렉터 접합 커패시턴스의 큰 비선형성으로 인해 비선형 왜곡이 나타날 수 있습니다.

그림은 출력단이 공통 이미 터 회로에 연결된 바이폴라 트랜지스터 VT4의 캐스 코드 연결과 공통 그리드 회로에 연결된 VL1 램프를 사용하는 하이브리드 전력 증폭기의 다이어그램을 보여줍니다. 이 디자인은 강력한 트랜지스터의 낮은 출력 임피던스를 램프의 입력과 잘 일치시킬 수 있을 뿐만 아니라 캐스케이드의 진폭-주파수 응답의 탁월한 선형성을 보장합니다. 또 다른 중요한 이점은 램프의 XNUMX개 전극(첫 번째 및 두 번째 그리드와 빔 형성 플레이트)이 "접지"되었다는 것입니다. 램프의 처리 용량은 무시할 수 있을 정도로 작아졌으므로 이를 중화할 필요가 없었습니다.

(확대하려면 클릭하십시오)

터미널 스테이지의 입력 저항을 증가시키기 위해 VT3 트랜지스터의 이미 터 팔로워가 입력에 포함됩니다. 이 트랜지스터의 에미터는 트랜지스터 VT4의 베이스에 직접 연결되기 때문에 출력단의 대기 전류는 VT20 베이스 회로에 포함된 트리머 저항 R3에 의해 제어될 수 있습니다. 증폭기의 선형성과 온도 안정성을 높이기 위해 병렬로 연결된 두 개의 저항 R23 및 R25를 통해 직렬 네거티브 피드백으로 캐스코드 단계를 덮습니다. 25mA의 대기 전류, 600V의 양극 전압 및 8 ... 10mW의 이미 터 팔로워 입력에서의 신호 전력으로 증폭기는 모든 KB 범위에서 최소 130W의 전력을 출력합니다. 이 경우 양극 전류의 일정 성분은 330mA입니다. 140W의 출력에서 37차 및 XNUMX차 상호 변조 왜곡은 -XNUMXdB를 초과하지 않습니다.

증폭기는 램프 오작동 시뿐 아니라 예열 시 과도 프로세스 중에 VT4 트랜지스터가 파손되지 않도록 보호합니다. 이를 위해 다이오드 VD4, VD2을 통한 트랜지스터 VT3의 콜렉터는 안정화 전압 4V의 제너 다이오드 VD50에 연결됩니다. 증폭기의 정상 작동 중에 다이오드 VD2, VD3은 닫힙니다. 콜렉터 VT4는 35V를 초과하지 않습니다. 어떤 이유로 콜렉터의 순간 전압이 50V를 초과하면 다이오드 VD2, VD3이 열리고 제너 다이오드 VD4의 낮은 차동 저항으로 인해 션트됩니다.

cascode 단계의 입력 임피던스(이미터 팔로워의 입력에서)는 실질적으로 활성이며 주파수에 거의 의존하지 않으며 400옴에 가깝습니다. 130W의 출력 전력을 얻으려면 이미 터 팔로워의 입력에 1,8V RF 신호가 있으면 충분합니다.이러한 레벨은 트랜지스터 믹서에 의해 제공될 수 있습니다. (트랜시버에서 전송 경로의 마지막 믹서가 다이오드에서 만들어진 경우 믹서 출력에서 RF 신호의 전력은 일반적으로 0,06 ... 0,1 mW를 초과하지 않습니다.)

이미 터 팔로워의 입력에서 이득을 높이기 위해 트랜지스터 VT1 및 VT2를 기반으로 하는 200단계 광대역 증폭기가 포함되어 있습니다. 증폭기의 입력 임피던스는 약 1옴으로 기존 다이오드 믹서의 출력 임피던스와 잘 일치합니다. 주파수 범위 30...26MHz의 이득은 거의 일정하며 130dB와 같습니다. 0,05W의 출력 전력을 얻으려면 전치 증폭기의 입력에 XNUMXmW 전력의 신호를 적용하면 충분합니다. 즉, 증폭기는 KB의 다이오드 믹서 출력에서 직접 켤 수 있습니다 트랜시버의 전송 경로.

입력에 RF 신호가 없을 때 증폭기는 +40V 소스에서 약 15mA, +25V 소스에서 600mA의 전류를 끌어오므로 수신 모드에서 증폭기를 "닫는" 것이 좋습니다. 이를 위해 인버터 DD1-DD3의 출력은 1.1개의 트랜지스터 VT1.3-VT1 베이스의 전원 회로에 연결됩니다. 수신 모드에서 논리 1.1이 입력에 적용됩니다.이 경우 인버터 출력의 전위는 실리콘 트랜지스터의 개방 전압보다 낮아서 증폭기의 모든 단계가 닫힙니다. 전송 모드에서 인버터의 입력은 로직 로우입니다. 요소 DD1.3-DDXNUMX의 출력 전위가 높아지고 증폭기가 열립니다.

증폭기의 출력단의 등가 저항은 약 900옴입니다. 증폭기와 안테나를 일치시키기 위한 P 루프의 반응 요소의 계산된 값은 표에 나와 있습니다.

P 루프의 요소 값
작동 주파수, MHz	첫 번째 커패시터의 커패시턴스, pF		인덕턴스. μH		두 번째 커패시터의 커패시턴스, pF
작동 주파수, MHz	Rн=50옴	Rн=75옴	R=50옴	Rн=75옴	Rн=50옴	Rн=75옴
1,85	4033	3433	2,8	2,8	13765	9177
3,6	2073	1764	1,4	1,4	7074	4716
7,05	1058	901	0,73	0,73	3612	2408
14,15	527	449	0,36	0,36	1800	1200
21,2	352	300	0,24	0,24	1201	801
28,5	262	223	0,18	0,18	894	596

있습니다. 1,8MHz 범위에서 증폭기를 사용하려면 양극 전압을 300V로 낮추고 VL1 램프의 두 번째 그리드를 VD4 제너 다이오드에 연결합니다.

6P45S 램프의 양극에서 허용되는 전력 손실의 여권 값은 35와트입니다. 이 증폭기에서 330mA의 양극 전류에서 램프의 양극에서 약 70와트의 전력이 소모됩니다. 그러나 전력 손실이 SSB 신호 엔벨로프의 피크 또는 전신 버스트 동안에만 70W에 도달하기 때문에 이것은 램프의 신뢰성을 크게 감소시키지 않습니다. 평균 전력 손실은 일반적으로 허용 값을 초과하지 않습니다.

구조적으로 6P45S 램프와 일치하는 P 회로의 요소는 차폐 구획에 배치되며 결론은 KTP 피드스루 커패시터를 통해 이루어집니다. 램프 냉각을 개선하려면 상단 및 하단 덮개에 구멍을 뚫어야 합니다. 램프는 수평 위치에 있을 때 더 잘 냉각된다는 점에 유의해야 합니다. 트랜지스터 VT4 및 VT3은 램프 패널에 가깝게 배치되고 섀시에 장착되어 열 방출이 잘됩니다. 증폭기의 나머지 요소는 트랜시버의 인쇄 회로 기판에 배치할 수 있습니다.

인덕터 L6은 직경 14mm의 원통형 유전체 프레임에 만들어지며 원형에서 원형으로 감긴 PEV 270 와이어의 0,33턴을 포함합니다. 인덕터 L7에는 저항 R3에 배치된 0,11턴의 PEV 21 와이어가 포함되어 있습니다.

적절하게 설치하면 증폭기에 튜닝이 필요하지 않으며 튜닝 저항 R20을 사용하여 출력 단계의 대기 전류를 설정하는 것만으로 필요한 조정이 가능합니다.

저자: V. Žalnerauskas(UP2NV), Kaunas; 간행물: N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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MeMO Pad 7은 소유성 코팅이 된 7인치 멀티 터치 IPS 디스플레이, 1920 x 1200픽셀(323ppi) 해상도 및 선명한 이미지를 위한 광시야각(178°)을 갖추고 있습니다. Asus TruVivid 기술은 정확한 색 재현과 향상된 화면 밝기에 기여합니다. MeMO Pad 7은 태블릿 자체에서 영화나 사진을 보는 것 외에도 TV나 모니터와 같은 다른 장치에 연결하는 휴대용 멀티미디어 센터로 사용할 수 있습니다. 무선 네트워크를 통해 멀티미디어 파일을 스트리밍하기 위해 태블릿은 Miracast 표준을 지원하며 적절한 블루투스 헤드셋을 사용하면 사용자가 CSR aptX 인코딩으로 고품질 사운드를 즐길 수 있다고 회사는 전했다.

태블릿에는 후면 5만 화소와 전면 2만 화소의 두 대의 카메라가 내장되어 있습니다. Asus 전문가가 개발한 많은 추가 기능을 통해 고품질 사진과 동영상을 얻을 수 있습니다.

MeMO Pad 7(ME572C/CL)은 에너지 효율이 높은 64비트 쿼드 코어 Atom Z4 프로세서로 구동됩니다. 태블릿은 Wi-Fi 전용 또는 Wi-Fi + LTE의 두 가지 버전으로 제공됩니다. 최신 버전에는 액티브 및 슬립 모드 모두에서 저전력 소모에 최적화된 XMM 3560 고속 LTE 모듈이 탑재됐다. MeMO Pad 7160은 전 세계 대부분의 LTE 주파수 대역과 호환됩니다.

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