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칩 KR1008VZH18 및 KR1008VZH19. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전

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IS KR1008VZH18(삼성 - KT3170, MITEL - MT8870, HUALON - HM9270과 유사) 및 KR1008VZH19(UMC - UM91531과 유사)는 민스크의 NPO "INTEGRAL"에서 제조합니다.

IS KR1008VZH19는 정보의 병렬 입력이 있는 톤 펄스(DTMF/PULSE) 다이얼러입니다. 마이크로컨트롤러(컴퓨터)의 제어하에 작동하며 DTMF 및 펄스 다이얼링 신호를 생성합니다. 필요한 모든 XNUMX톤 및 펄스 신호의 주파수는 수정 발진기에 의해 생성됩니다. IP는 전화, 팩스 및 모뎀 통신 장비, 원격 제어 시스템에 적용됩니다.

칩 KR1008VZH18 및 KR1008VZH19

IS KR1008VZH19의 주요 특징

마이크로컨트롤러(컴퓨터)에서 4자리 정보를 병렬로 입력합니다.

TTL 칩의 입력과 출력은 호환됩니다.

높은 정확도와 주파수 안정성을 보장하기 위해 주파수가 3,579545MHz인 수정 발진기가 사용됩니다.

공급 전압 2,5 - 5,5V.

임펄스 계수를 선택할 수 있습니다.

다이얼링 펄스 주파수는 10Hz입니다.

0 - 9, *, #, A, B, C, D의 톤(DTMF) 전송

0 - 9, *, #, A의 펄스(PULSE) 전송

고음 출력 레벨: 2dB.

DTMF 신호의 작은 비선형 왜곡.

RS-470 인터페이스 및 CERT와 호환됩니다.

IC 핀아웃은 그림 8.1에 나와 있습니다. 8.1, 표의 결론 할당. 8.2, 그림의 블록 다이어그램. 1008. IS KR19VZH8.3의 입력 및 출력 타이밍 다이어그램은 그림 8.2에 나와 있습니다. 8.3, 표의 정적 및 동적 특성. 1008 및 19. 입력 D0 - D3의 병렬 코드에 해당하는 IC KR8.4VZHXNUMX의 출력 신호 DTMF 및 PULSE가 표에 나와 있습니다. XNUMX.

칩 KR1008VZH18 및 KR1008VZH19
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탭. 8.1. IS KR1008VZH19의 결론 할당.

출력 지정 예약
1 모드 톤(DTMF) 전송 모드 선택 입력. 이 입력에서 "하이" 레벨이 있으면 TONE 및 ACK 출력의 작동은 정상입니다(핀 14 및 16 할당 참조). DTMF가 "Low"이면 TONE 출력이 계속 생성되고 4비트 병렬 입력 DO + D3의 모든 새 데이터는 무시됩니다. 이 입력은 IC가 DTMF 신호 모드에 있을 때만 활성화됩니다(T/P 입력이 "낮음" 레벨임).
2 걸쇠 입력을 다운로드합니다. 이 입력의 입력 신호가 "낮음"에서 "높음"(상승 에지)으로 이동하면 IC는 4비트 데이터 입력 D0 - D3 및 T/P' 입력(핀 4)에 데이터를 로드합니다. LATCH 입력의 레벨이 "높음"에서 "낮음"으로 변경되면 다이얼링이 시작됩니다. LATCH 입력의 신호 레벨은 다시 "낮음"에서 "높음"으로 변경되어서는 안 되며 ACK 출력(핀 14)의 레벨이 "낮음"으로 유지되는 동안 새 데이터를 로드할 수 없습니다.
3 남 /여 펄스 인자 선택 입력. 이 입력의 "높음" 레벨은 펄스 계수 1,5, "낮음" - 2를 설정합니다(입력은 전원 플러스 또는 공통 단자에 연결되어야 함). CE 칩 샘플 입력(핀 13)이 활성("낮음" 상태)에 있을 때 이 핀의 상태를 변경하면 테스트 모드가 활성화됩니다.
4 T/R 전송 방식 선택 입력(DTMF 또는 PULSE). 입력은 톤("낮은" 레벨) 또는 펄스("높은" 레벨) 중 어느 모드가 활성화될 것인지 설정합니다. 입력 D4 - D0에 3비트 데이터 코드와 함께 로드됩니다.
5 6 7 8 D0 D2 D3 DXNUMX 4비트 데이터 입력. 이 4비트 병렬 입력은 마이크로컨트롤러에서 데이터를 수신하는 데 사용됩니다. (입력 및 출력 신호의 다이어그램은 그림 8.3에 나와 있습니다.) 이러한 입력의 입력 데이터는 "로드" 신호의 상승 에지 이전 또는 도중에 적용되어야 합니다.
9 DP 펄스 키 출력. 출력은 n채널 오픈 드레인 CMOS 트랜지스터에서 이루어집니다. 다이얼링하는 동안 라인 브레이크 펄스는 공통 와이어에 대한 키로 닫힙니다. 다른 모든 경우에는 키가 닫힙니다. 다이얼링 주파수는 10Hz이고 시리즈 간 일시 중지는 823ms입니다. (테스트 모드에서 이 출력의 상태는 아래에 설명되어 있습니다.)
10 OV 공통 출력(마이너스 전력).
11 OSC0 발전기 출력.

출력 지정 예약
12 OSC1 발전기 입력. IC에는 하우징에 필요한 디커플링 커패시터와 피드백 저항기가 있는 발진기가 포함되어 있습니다. 따라서 발전기를 작동하려면 3,579545MHz 주파수의 표준 TV 석영을 OSCO 및 OSC1 핀에 연결하는 것으로 충분합니다. (실습에 따르면 OSCO 및 OSC1008 터미널에서 공통 와이어에 연결된 19pF 커패시터가 없으면 KR30VZh1 IC 생성기가 시작되지 않는 경우가 있습니다.) OSC1 핀에 직접 외부 클럭을 적용하는 것도 가능합니다. 발전기는 CE 입력의 "낮은" 수준에서만 작동할 수 있습니다.
13 CS 크리스탈 샘플링 입력. 입력은 발전기의 시작을 제어하고 미세 회로의 초기 설정에 사용됩니다. "낮음"레벨은 미세 회로의 작동을 허용하고 "높음"은 금지합니다.
14 묻다 "확인"을 종료합니다. 마이크로컨트롤러에 대한 "확인" 신호를 생성합니다. IC가 다음 숫자를 다이얼할 준비가 되면 ACK 출력이 "하이"가 됩니다. "load" 신호의 상승 에지가 지나간 직후 "low"가 되고 입력 데이터 레지스터가 해제될 때까지(그림 8.2), 즉 로드된 자릿수 설정이 완료될 때까지 이 상태를 유지합니다.
15 TONE 톤 출력(DTMF) 신호. 그것은 n-p-n 트랜지스터로 구성되며, 그 컬렉터는 IC 내부에서 전원 플러스에 연결되고 이미 터는 DTMF 신호의 출력입니다. IC 내부에서 생성된 DTMF 신호는 이 트랜지스터의 베이스에 공급되며, 이 트랜지스터는 IC 출력과 공통 와이어 사이에 설치된 저항으로 이미 터 팔로워 회로에 따라 연결됩니다. 저항에서 신호는 공통 컬렉터가 있는 트랜지스터의 외부 증폭기로 공급되거나 Darlington 회로에 따라 연결됩니다. DTMF 신호의 지속 시간은 70ms이고, 자릿수 간격은 70ms입니다. DTMF 신호의 일반적인 출력 임피던스는 1,25kΩ입니다. npn 트랜지스터의 정적 전류 전달 계수(h21e)는 컬렉터 전류(Ik) = 30mA에서 최소 3입니다.
16 UDD 공급 전압(2,5...5,5V). (플러스 음식).

IS KR1008VZH19의 최대 허용 특성:

  • 공급 전압(OV + UDD) ........................................... -0.3V ~ +10V
  • 입력 전압(Uin) ........................................... -0,3V ~ (UDD + 0,3, XNUMX) V.
  • 허용 전력 손실(25C에서) ........................................... 600mW.
  • 작동 온도(토르) .................................................................. ... -20C ~ +70C.
  • 보관 온도(ТstG) ........................... -55C ~ +125°C

극한 조건에서 IC를 작동하는 것은 권장되지 않습니다. 그것들을 초과하면 미세 회로가 손상됩니다. IS의 안정적인 동작을 위해서는 Table에 제시된 정적 및 동적 특성을 참고할 것을 권장합니다. 8.2 및 8.3.

탭. 8.2. IS KR1008VZH19의 정적 특성

매개 변수

지정

가치

측정 모드

분.

유형.

맥스.

공급 전압, V

UDD

2,5

 

5,5

 

소비 전류, mA

아이디

 

0,42

1

CE = "0"

저장 전류, uA

이소

 

5

8

CE = "1"

출력 DP의 입력 전류, mA

IOL1

IOL2

1

3

 

 

UDD=2,5V; UoL=0,4V UDD = 5V; UoL= 0,4V

입력 전압 "높음" 레벨, V

UIH

0,8

 

UDD

 

입력 전압 "낮음" 레벨, V

UIL

0

 

0,2

UDD=3,6V

"높은" 레벨 입력 전류, uA

IIH

 

0,05

 

 

입력 전류 "낮음" 레벨, uA

IIL

 

-0,05

 

 

ASC 출력에서의 출력 전류, mA

아이오핵

1,6

 

 

UDD=5V; 어 = 2,4V

ASK 출력의 입력 전류, mA

아이오락

4

 

 

UDD=5V; UOL=0,4V

상위 주파수 그룹의 DTMF 신호 진폭, V(피크에서 피크까지)

UOR

0,779 0.98

0,84 1,07

0,91 1,18

UDD=2,5B; RL=2,2KOM UDD=5B; RL.=2.2KOM

더 낮은 주파수 그룹의 DTMF 신호 진폭, V(피크에서 피크까지)

UOR

0,98 1,25

1,06 1,35

1,16 1,45

UDD=2.5B; RL=2,2KOM UDD=5B; RL=2,2kOhm

DTMF 신호의 비선형 왜곡, %

비밀입니다

 

1

5

탭. 8.3. IS KR1008VZH19의 동적 특성

매개 변수 지정 가치 측정 모드
분. 유형. 맥스.
펄스(PULSE) 다이얼링 모드
임펄스 팩터 남 /여   2 1,5 M/S = "0" M/S = "1"
세트의 폐쇄 펄스 지속 시간, ms 티엠 33,3 40 M/S="0" M/S="1"
세트의 오프닝 임펄스의 지속 시간, ms TV 66,6 60 M/S="0" M/S="1"
시리즈 간 일시 중지, ms TIDP 783 790 M/S="1" M/S="0"
시리즈 전 일시 중지, ms TPDP 15 15 M/S="1" M/S="0"
톤(DTMF) 다이얼링 모드
톤 버스트 지속 시간, ms TMFD 70      
톤 사이의 인터디지털 일시 중지, ms TTIDP 70      
디지털 이전 일시 중지, ms TTPDP   0    
발전기 시작 시간, ms 티스타트   5  

칩 KR1008VZH18 및 KR1008VZH19
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탭. 8.4. 입력 D1008 - D19의 병렬 코드에 해당하는 IC KR0VZH3의 출력 신호.

D3 D2 D1 DO DTMF 전송 펄스 전송(펄스 수)
0 0 0 0 * 10
0 0 0 1 1 1
0 0 1 0 2 2
0 0 1 1 3 3
0 1 0 0 4 4
0 1 0 1 5 5
0 1 1 0 6 6
0 1 1 1 7 7
1 0 0 0 8 8
1 0 0 1 9 9
1 0 1 0 0 10
1 0 1 1 # 11
1 1 0 0 А 12
1 1 0 1 В 13
1 1 1 0 С 14
1 1 1 1 D 금지 콤비네이션

무화과에. 8.4. IS KR1008VZH19의 연결 다이어그램이 표시됩니다. 입력 DO-D3, LATCH 및 ASK 출력은 마이크로컨트롤러에 연결됩니다. TONE 출력은 DTMF 신호 증폭기에 연결되고 DP는 펄스 키에 연결됩니다. IC UM91531을 사용하는 경우 커패시터 C2 및 C3을 생략할 수 있습니다.

무화과에. 8.5는 IS KR1008VZH19의 다이얼러 연결도를 보여줍니다. 키보드 신호를 이진 코드로 변환하기 위해 우선순위 인코더 IC 8-3 K556IV1이 사용됩니다. 키보드 버튼 "0" - "7" 중 하나를 누르면 이 숫자의 이진 코드가 출력 A0 - A3(핀 9, 7, 6)에 형성됩니다. 논리 요소 DD2.4 - DD2.6은 이를 반전하여 IC KR0VZH2의 입력 D1008 - D19에 공급합니다. GS IS K555IV1(핀 14)의 출력에서 ​​키보드 버튼을 누르는 순간 레벨은 "높음"에서 "낮음"으로 변경되고 인버터 DD2.3의 출력에서는 "낮음"에서 " 높은". 입력 LATCH에서 레벨을 "낮음"에서 "높음"으로 변경하면 입력 D0 - D3에서 이진 코드가 로드됩니다. 키보드 버튼을 놓는 순간 IC K555IV1의 GS 출력과 IC KR1008VZH19의 LATCH 입력에서 역 레벨 변경은 TONE 또는 DP 출력에서 ​​번호를 다이얼링하게 합니다(SA1 스위치의 위치에 따라 다름 ). 바이너리 코드가 로드되는 순간부터 숫자 다이얼링이 끝날 때까지 VD1 LED가 켜집니다. VD1 LED가 켜져 있는 동안에는 다음 숫자로 전화를 걸 수 없습니다. 스위치 SA2가 열린 상태로 전환되면 7보다 큰 숫자 집합이 허용됩니다.

칩 KR1008VZH18 및 KR1008VZH19

칩 KR1008VZH18 및 KR1008VZH19
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테스트 모드에서 IC KR1008VZH19를 사용하면 훨씬 더 빠른 속도로 톤 및 펄스 다이얼링을 수행할 수 있습니다. CE 칩 샘플 입력(pin 13)이 활성(low) 상태일 때 M/S 입력의 상태가 변경되면 테스트 모드가 활성화됩니다. IC는 비활성화될 때까지 테스트 모드를 유지합니다. 테스트 모드에서 펄스 다이얼링은 48배 더 빠릅니다(480Hz에서). 톤 다이얼링은 8배 더 빠릅니다(톤 버스트 및 톤 버스트 사이의 일시 중지 기간은 8,75ms입니다). 이 경우 하위 및 상위 주파수 그룹은 TONE 및 DP 출력으로 분리됩니다. 숫자 0, 1, 6, 8의 경우 TONE 출력은 2개 주파수 메시지의 하위 그룹 주파수를 갖는 신호를 갖고 DP 출력은 상위 그룹을 갖습니다. 숫자 3, 4, 5, 8, 9, XNUMX, *, #, A, B, C, D의 경우 상위 그룹의 주파수 신호는 TONE 출력에 표시되고 하위 그룹은 DP에 표시됩니다. 산출. TONE 출력에는 정현파 신호가 공급되고 DP 출력에는 해당 주파수의 직사각형 펄스가 공급됩니다.

KR1008VZh18 초소형 회로는 수신기 - 2톤(DTMF) 신호(코드 8/2104.18)의 디코더입니다. IC는 CMOS 기술을 사용하여 플라스틱 패키지 유형 18-A(DIP-4)로 제조되며 스위치드 커패시터의 대역 통과 필터를 포함합니다. 초소형 회로는 들어오는 투톤 메시지의 지속 시간을 제어하고 메시지 사이에서 일시 중지합니다.출력 정보는 XNUMX비트 이진 코드 형식으로 표시됩니다. 마이크로 회로는 수정 발진기에 의해 클럭됩니다.

IS KR1008VZH18의 주요 특징

  • 16개의 모든 표준 DTMF 신호 감지.
  • 낮은 전력 소비: 15mW.
  • 단일 전원 공급 장치: 5V+5%.
  • 주파수가 3,579545MHz인 표준 텔레비전 석영 공진기가 사용됩니다.
  • XNUMX상 출력.
  • 비활성 상태의 전원 끄기 모드.
  • 낮은 디코딩 오류 확률: 1/10000.

IS KR1008VZH18의 주요 적용 분야

  • PBX 수신기.
  • 페이징 신호 전송 시스템.
  • 원격 제어 시스템.
  • 신용 카드 시스템.
  • 호출기.
  • 자동 응답기.
  • 가정용 자동 시스템.
  • 모바일 라디오 시스템.

IC 핀아웃은 그림 8.6에 나와 있습니다. 8.5, 표의 결론 할당. 8.7, 그림의 블록 다이어그램. 8.6. 전기적 및 시간적 특성은 표에 나와 있습니다. 8.8. 입력 및 출력의 타이밍 다이어그램은 그림 1에 나와 있습니다. 4, 입력 8.7톤(DTMF) 신호에 해당하는 출력 QXNUMX - QXNUMX의 병렬 코드 - 표. XNUMX.

칩 KR1008VZH18 및 KR1008VZH19
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탭. 8.5. IS KR1008VZH18의 핀 할당

출력 지정 예약
1 인+ 연산 증폭기의 비 반전 입력.
2 에- 연산 증폭기의 반전 입력.
3 GS 연산 증폭기 출력. 연산 증폭기의 게인을 설정하는 저항을 연결하는 데 사용됩니다.
4 UST 기준 전압 출력(U/2). 연산 증폭기 입력을 오프셋하는 데 사용할 수 있습니다.

칩 KR1008VZH18 및 KR1008VZH19

출력 지정 예약
5 IIN 입국금지. ' * 이 입력의 "높음" 레벨은 DTMF 신호 디코딩을 비활성화합니다.
6 PDN 소비전력 절감 모드를 설정하기 위한 입력입니다. 이 입력이 "높음"일 때 전력 감소가 발생합니다.
7 OSC1 클럭 입력. OSC3,579545 및 OSC1 핀에 연결된 저렴한 2 석영 공진기는 내부 발진기를 제공합니다. (경우에 따라 IC KR1008VZH18의 경우 발생기의 클록 출력과 공통 배선 사이에 30pF 커패시터를 설치해야 합니다.) 외부 클럭을 클럭 입력에 직접 적용할 수도 있습니다.
8 OSC2 클럭 출력.
9 GND 일반적인 결론.
10 OE 데이터 출력 활성화 입력. 출력 Q1 - Q4는 OE 입력이 "높음"일 때 열리고 OE 입력이 "낮음"일 때 닫힌(높은 임피던스 상태에서) CMOS 스위치입니다.
11 12 13 14 1분기 2분기 3분기 4분기 1상태 데이터 출력. 출력이 열리면(OE = "8.7") 마지막으로 수신된 톤 신호에 해당하는 이진 코드가 표시됩니다(표 XNUMX).
15 DSO 지연된 제어 출력. 이 출력에서 ​​출력 신호의 지속 시간("하이" 레벨)은 IC의 입력에서 수신된 톤 신호의 지속 시간에 해당합니다. "하이" 레벨은 DTMF 신호가 인식되고(최소 40ms 길이) 디코딩된 이진 코드가 데이터 출력 Q1 - Q4에 도달하는 순간부터 존재합니다. DSO 출력은 핀 17(SI/GTO)의 전압이 SI 제어 입력 임계값(UDD=2,4V에서 UTS=5V) 아래로 떨어지면 "낮음" 상태로 돌아갑니다(그림 8.8 참조).
18 ESO 조기 통제 종료. 이 출력은 DTMF 신호가 디지털 신호 처리 회로에 의해 인식될 때 즉시 "높음"입니다(그림 8.7). DTMF 신호가 일시적으로 손실되면 ESO 출력 상태가 "낮음" 수준으로 돌아갑니다.
17 SI/GTO 양방향: 제어 입력/설정 시간 설정 출력. 이 입력의 전압이 UTS 레벨(UDD = 2,4V에서 5V)보다 높을 때 DTMF 신호는 IC의 디지털 알고리즘에 따라 처리되고 4비트 데이터 코드 출력 상태(Q1 - Q4 )가 업데이트됩니다. 전압이 UTN보다 낮으면 IC 레지스터가 해제되어 새 신호를 받아들이고 출력 Q1 - Q4의 상태가 변경되지 않습니다. GTO 출력의 외부 요소를 사용하여 DTMF 신호 처리를 위한 타이밍 매개변수를 설정할 수 있으며 그 상태는 ESO 출력의 기능과 SI 입력의 전압에 따라 결정됩니다(그림 8.8 참조).
18 UDD 전원 플러스(+5V).

칩 KR1008VZH18 및 KR1008VZH19

최대 허용 특성. IS CR1008VZH18

최대 공급 전압(UDD) ........................... 6 V.

아날로그 신호 입력 전압(UIA) ....... -0,3 V ~ (UDD + 0,3) V.

디지털 신호 입력 전압(UID) ....... -0,3 V ~ (UDD + 0,3) V.

모든 출력에 대한 최대 연속 입력 전류(1m) ........................... 10mA.

작동 온도(TOPR) .................................................................. ... .. -40C ~ +85C

보관 온도(TSTG) ........................................................... ... -60C ~ +15C.

탭. 8.6. IC KR1008VZh18의 전기적 및 타이밍 특성

매개 변수 지정 가치 측정 모드
유형. макс
공급 전압, V UDD 4,75G.75 5,0 5,25  
소비 전류, mA 아이디   3,0 9,0 PDN="0"
저장 전류, uA IDDQ   10 25 PDN="1"
전력 소비, mW PD   15 45 PDN="0"
입력 전압 "높음" 레벨, V UIH 3,5     UDD = 5V
입력 전압 "낮음" 레벨, V UIL 1,5 UDD=5B
입력 누설 전류, μA IIH/IIL   0,1   UIN = 0V 또는 UDD
OE 출력 입력 전류, uA 아이오에이 7,5 20 OE=0B, UDD=5B
아날로그 입력의 입력 임피던스, MΩ RI 10 핀 = 1kHz
제어 입력 SI, V의 임계 전압 UTS 2,2 2,4 2,5 USD=5억
출력 전압 "낮음" 레벨, V UOL     0,03  
출력 전압 "높음" 레벨, V 우오 UDD-0,03      
출력 전류 "낮음" 레벨, mA IOL 1,0 2,5   UOL=0,4V
출력 전류 "하이" 레벨, V 아이오에 0,4 0,8   UOH = 4,6V
출력 UST의 출력 기준 전압, V UST 2. 3 2,5 2,7 UDD= 5V
UST 출력의 출력 임피던스, 옴 MMR   1    
입력 신호 레벨(투톤 메시지의 각 톤), dB UI -29   +1  
입력 신호 레벨(투톤 메시지의 각 톤), mV UI 27,5   869  
톤 편차 f     +1,5% +2Hz  
톤 신호 처리 기간, ms tREC 20   40 외부 요소에 의해 설치됨
Interdigit 일시 중지 처리 시간, ms tID 20   40 외부 요소에 의해 설치됨
톤 식별 시간, ms tDP 6 11 14  
Interdigit 일시 중지 식별 시간, ms tDA 0,5 4 8,5

 

탭. 8.7. 입력 1톤(DTMF) 신호에 해당하는 IC KR4VZh1008의 출력 Q18 - QXNUMX의 병렬 코드

칩 KR1008VZH18 및 KR1008VZH19

무화과에. 8.9는 IS KR1008VZH18의 결선도를 보여줍니다. 커플링 커패시터 C1 및 저항 R1을 통한 입력 신호 DTMF는 반전 입력 IN-연산 증폭기에 공급됩니다. OA 이득 Ku = R2/R1(이 회로의 경우 Ku = 1). 연산 증폭기의 입력을 바이어스하기 위해 Ust의 출력에서 ​​비반전 입력 IN+로 2,5V의 전압이 인가됩니다. 회로의 입력 임피던스는 저항 R1과 거의 같습니다. 수정 공진기 ZQ1이 OSC1 및 OSC2 단자에 직접 설치되고 발전기가 안정적인 경우 커패시터 C2 및 C3을 생략할 수 있습니다.

DSO(핀 15)의 출력에서 ​​출력 신호("높음" 레벨)의 지속 시간은 IC 입력에서 수신된 톤 신호의 지속 시간에 해당합니다. 이 출력은 DTMF 신호가 인식되고 디코딩된 이진 코드가 데이터 출력 Q1 - Q4에 도달하는 순간부터 "하이"입니다. DSO 출력은 숫자 간 일시 중지가 인식되고 처리된 후 "낮음" 상태로 돌아갑니다(그림 8.8 참조).

ESO 및 SI/GTO 핀에 연결된 저항 R3 및 커패시터 C4는 신호 또는 숫자 간 일시 중지가 식별된 후 톤 신호 또는 일시 중지를 처리하는 최소 기간을 설정합니다.

- 톤 신호 처리 지속 시간 tGTP = 0,875xR4xC26(XNUMXms);

- 자리간 일시 중지 처리 기간 tGTA = 0,956xR3xC4(29ms).

칩 KR1008VZH18 및 KR1008VZH19

그림의 구성표에 대한 톤 신호 처리 및 인터디지털 일시 중지 기간. 8.9는 거의 같습니다. 톤 신호의 지속 시간이 자릿수 간격보다 길면 가능합니다. 그림과 같이 외부 요소를 연결하십시오. 8.10a. 톤 신호의 지속 시간이 자릿수 일시 중지보다 짧은 경우 그림에 따라 외부 요소를 연결하는 것이 좋습니다. 8.106.

그림의 구성표에 대해 8.10a:

tGTP=0,875xR1xC;

tGTA= 0,956x[R1xR2/(R1+R2)]C.

그림의 구성표에 대해 8.106:

tGTP= 0,875x[R1xR2/(R1+R2)]xC;

칩 KR1008VZH18 및 KR1008VZH19

tGTA=0,956xR1xC.

하 무화과. 8.13은 IS KR1008VZH18을 확인하는 방식을 보여줍니다. IC KR1008VZH16은 톤 다이얼러로 사용됩니다. C12 DTMF 절연 커패시터를 통해 TONE 출력(핀 3)에서 다이얼러 버튼을 누르면 신호가 연산 증폭기 IC KR1008VZH18의 입력으로 공급됩니다. 톤 신호가 디코딩되고 입력 DTMF 신호에 해당하는 4비트 이진 코드(표 8.7)가 KR1ID2 디코더의 입력 4, 8, 514, 1에 공급됩니다. 식별 순간부터 톤 메시지가 끝날 때까지 VD1 LED가 켜집니다. 디코더의 출력 a - g는 XNUMX-세그먼트 LED 표시기에 연결됩니다.

표시기의 기호는 표의 끝에서 두 번째 열에 해당합니다. 8.7. 디코더 KR514ID1에는 내부 전류 제한 저항(Iout. = 5mA)이 포함되어 있어 공통 음극 AJI304A(B, C), ALS314A가 있는 표시기를 디코더의 출력에 직접 연결할 수 있습니다. 공통 양극(ALS324B, ALS3ZZV.G 등)이 있는 표시기를 사용하려면 디코더 KR514ID2(그림 8.11) 또는 K555ID18을 사용해야 합니다. IC KR514ID2의 출력은 오픈 컬렉터 트랜지스터에서 만들어지기 때문에 저항이 300옴인 제한 저항을 설치해야 합니다. K490IP2 디코딩 회로와 함께 제어 표시기 IC를 사용하여 회로를 단순화할 수 있습니다(그림 8.12).

무화과에. 8.14는 IS KR1008VZH19 및 KR1008VZH18의 공동 검증을 위한 체계를 보여줍니다. 초기 상태에서 논리 요소 DD1.2, DD1.3의 출력과 십진 카운터 DD0 K3IE2의 출력 Q555 - Q5은 "낮음" 레벨이고 ASC IS KR1008VZH19의 출력은 "높음"입니다. 수준. 회로 C1, R3은 회로가 켜질 때 IC DD2의 출력을 논리 "0" 상태로 설정합니다. SB1 버튼을 누르면 출력 DD1.2 및 DD1.3이 "낮음"에서 "높음"으로 이동하고 IC KRYU08VZH19는 입력 D0 - D3을 통해 이진 코드를 로드합니다. 버튼에서 손을 떼는 순간 논리 요소 DD1.1 및 DD1.2의 RS 트리거가 반전되어 로드된 숫자가 다이얼링되고 카운터 DD2가 한 사이클 앞으로 이동합니다. IC KRYU08VZH19의 TONE 출력에서 ​​나오는 톤 신호 "*"는 IC KR1008VZH18의 입력으로 이동하고 디코딩된 신호의 기호가 HGI 표시기에 표시됩니다(표 8.7). 바이너리 코드가 로드되는 순간부터 다이얼링이 끝날 때까지 VD2 LED가 켜집니다. 다음에 SB1 버튼을 누르면 다음 숫자 "1"이 다이얼되는 식입니다. SA1 스위치가 "P" 위치에 있는 경우 다음 숫자가 다이얼되면 VD1 LED가 펄스 다이얼링 주파수로 깜박입니다. 10Hz. 펄스 수는 다이얼한 숫자에 해당합니다.

칩 KR1008VZH18 및 KR1008VZH19

칩 KR1008VZH18 및 KR1008VZH19

칩 KR1008VZH18 및 KR1008VZH19. 칩 KR1008VZH18 및 KR1008VZH19
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Tel Aviv University, University of California at Los Angeles, University of Wisconsin Madison의 신경생물학자들은 수술을 받을 예정인 간질 환자 19명을 대상으로 했습니다. 발작을 일으키는 신경 조직의 일부를 제거하기 전에 환자에게 전극을 주사했는데, 이는 뇌전증 발작이 시작되는 뉴런의 위치를 ​​나타내는 것으로 추정되었습니다. 일반적으로 이러한 경우 일부 기초 연구는 의료 절차와 병행하여 수행됩니다. 이는 이것이 살아있는 인간의 뇌를 들여다볼 수 있는 독특한 기회이기 때문입니다.

Itzhak Fried와 동료들은 시각 지각과 기억 사이의 전환이 일어나는 중간 측두 피질에서 개별 신경 세포의 활동을 추적했습니다. 국소 뉴런은 새로운 사진과 우리가 이미 알고 있는 것(예: 친구나 우리가 방문한 장소의 사진)에 모두 반응하며, 두 번째 경우에는 사진을 볼 필요조차 없습니다. 당신의 눈과 기억에 저장된 "마음의 눈"이라는 친숙한 것을 봅니다. 두 경우 모두 신경 활동의 특성이 다릅니다. 신경 세포의 작업은 사람이 자고 있을 때, 깨어나서 어두운 방에 누워 있을 때(아무것도 보이지 않음), 어떤 종류의 비디오를 보고 사람들과 소통할 때 기록되었습니다. 별도의 테스트에서 지원자는 눈이 고정되었을 때 뉴런이 어떻게 행동하는지 이해하기 위해 무언가에 눈을 고정하도록 요청했습니다.

그리고 REM 수면 동안 뉴런은 마치 뇌가 새로운 것을 본 것처럼 작동한다는 것이 밝혀졌습니다. 잠을 잘 때는 신경세포가 다음 안구운동 직후에 발동하기 때문에 눈의 작용과 신경세포의 작용이 실제로 연결되어 있다고 주장할 수 있다. 실험 결과는 Nature Communications의 기사에 설명되어 있습니다.

이 데이터는 어떤 의미에서 우리가 깨어 있는 동안 기억에 떨어지는 이미지와 함께 잠자는 뇌에서 무의식적인 작업이 수행된다는 관점과 모순됩니다. 다시 말해서, 뉴런은 실제와 똑같이 작동하며 기억에서 나온 익숙한 것이 아니라 새로운 것을 "본다". 그러나 여기에는 전체적 결론을 내리기에는 너무 많은 모호성과 함정이 있습니다.

첫째, "새롭다"와 "옛다"는 것은 무엇을 의미합니까? 오래된 이미지의 조합이 새로운 시각적 감각을 주는 것은 아닐까? 세포가 정말로 새로운 것에 반응한다면 눈을 감고 어디에서 오는 것입니까? 그리고 마지막으로 가장 중요한 것은 꿈에서 빠른 안구 운동이 꿈을 나타낸다고 믿지만 이에 대한 엄격한 증거는 없습니다. 즉, 이것이 꿈에 대한 반응인지 아닌지 우리는 눈이 움직이는 이유를 모릅니다.

어떤 가정에 따르면 꿈은 일반적으로 우리가 막 잠들거나 깨어나는 순간을 말하며, 외부에서 반쯤 잠든 뇌에 도달하는 신호를 나타냅니다. 추가 연구가 각성에서 수면으로 또는 그 반대로 전환하는 동안 의식에 어떤 일이 발생하는지 이해하는 데 도움이 되기를 바랍니다.

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