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실리콘 중전력 n-p-n 트랜지스터 KT6113A-KT6113E는 RF 증폭기의 입력 및 중간 단계, 주파수 변환기 및 널리 사용되는 전자 장비의 기타 구성 요소 및 블록에서 작동하도록 설계되었습니다.

트랜지스터는 에피택셜 평면 기술을 사용하여 제조됩니다. 플라스틱 케이스 KT-26(유럽 분류 TO-92에 따름)에 들어 있습니다. 하우징 도면은 그림 1에 나와 있습니다. 0,3. 장치 무게 - XNUMXg 이하.

KT6113 시리즈 트랜지스터

트랜지스터 KT6113A, KT6113E의 외국 아날로그는 각각 SS9018D, SS9018I입니다.

Tacr 평균 = 25°C에서 주요 전기적 특성

컬렉터-에미터 경계 전압 V, 컬렉터 전류 10mA, 베이스 전류 300, 펄스 지속 시간 100μs 이하, 듀티 사이클 15 이상......XNUMX
콜렉터-베이스 전압이 12V이고 이미터 전류가 50일 때 역 콜렉터 전류, mA 더 이상......XNUMX
베이스-이미터 전압이 5V이고 콜렉터 전류가 10인 경우 역 이미터 전류, µA 더 이상 없음......XNUMX
KT5A의 콜렉터-베이스 전압 1V 및 이미터 전류 6113mA에서의 정적 베이스 전류 전달 계수......28...45
KT6113B.......39...60
KT6113V.......54...80
KT6113G.......72...108
KT611ZD.......97...146
KT6113E.......32...198
콜렉터-이미터 포화 전압 V 이상, 콜렉터 전류 10mA 및 베이스 전류 1mA......0,5
콜렉터-에미터 전압 5V 및 콜렉터 전류 5mA에서 전류 전달 계수의 차단 주파수(MHz)......700
10V의 컬렉터-베이스 전압 및 1MHz의 주파수에서 1,7 이미터 전류에서 컬렉터 접합의 커패시턴스(pF)......XNUMX
열 저항 전환 - 환경, °C/W, 더 이상 ...... 312,5

한계값

최고 컬렉터-베이스 전압, V ...... 30
최고 컬렉터-이미터 전압, ....... 15
가장 높은 이미터-베이스 전압, V ...... 5
최고 DC 컬렉터 전류, mA......50
수집기 일정한 전력 손실, mW.....400
최대 전이 온도, °С......150
주변 작동 온도의 한계, °С ..... -45...+85

두 개 이상의 매개 변수가 최대 허용 값을 갖는 모드에서는 트랜지스터를 사용할 수 없습니다. 동시에 전체 온도 범위에 걸쳐 제어되지 않은 역전류에 필적하는 작동 전류에서 트랜지스터를 작동하는 것은 권장되지 않습니다.

장치 설치의 경우 리드의 일회성 굽힘은 곡률 반경이 2mm 이상인 본체에서 1,5mm 이상 떨어져서는 안됩니다. 이 경우 신체에 힘이 전달되는 것을 방지하는 조치를 취할 필요가 있습니다. 본체에서 납땜 또는 주석 도금 장소까지의 거리는 3mm 이상이어야 합니다. 장치를 전류가 흐르는 전기 회로에 연결하려면 기본 터미널을 먼저 연결하고 마지막으로 연결을 끊어야 합니다.

KT6113 시리즈 트랜지스터 매개변수의 그래픽 의존성은 그림 2에 나와 있습니다. 2b. 공통 이미터 회로에 따라 연결된 장치의 출력 전류-전압 특성은 그림 XNUMX에 나와 있습니다. XNUMX.

KT6113 시리즈 트랜지스터

정적 전류 전달 계수의 콜렉터 전류와 정적 계수의 차단 주파수에 대한 일반적인 의존성은 그림 3에 나와 있습니다. 그림 4과 5에 나와 있으며, 컬렉터-이미터 및 베이스-이미터 포화 전압은 그림 6에 나와 있습니다. XNUMX. 컬렉터-베이스 DC 전압에 대한 컬렉터 접합 커패시턴스의 일반적인 의존성은 그림 XNUMX에 나와 있습니다. XNUMX.

KT6113 시리즈 트랜지스터

저자: V.Kisilev, 민스크, 벨로루시

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