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KP504 시리즈의 전계 효과 트랜지스터. 참조 데이터

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절연 게이트 및 채널 강화 기능을 갖춘 중간 전력의 전계 효과 n 채널 실리콘 트랜지스터 KP504A-KP504E는 에피택셜 평면 기술을 사용하여 제조됩니다. 이 장치에는 소스와 드레인 사이에 연결된 보호 역바이어스 다이오드가 내장되어 있습니다.

트랜지스터는 무변압기 입력이 있는 XNUMX차 전원 공급 장치, 연속 및 펄스 제어 기능이 있는 조정기, 안정기 및 전압 변환기, 저전력 전기 모터의 구동 장치 및 가정용 및 산업용 기타 장비에서 작동하도록 설계되었습니다.

이 장치는 견고한 스탬프 주석 도금 단자가 있는 플라스틱 하우징 KT-26(TO-92)에 들어 있습니다(그림 1). KP504A 트랜지스터의 외국 아날로그는 BSS88입니다.

KP504 시리즈의 전계 효과 트랜지스터

Tacr.av의 주요 특성 = 25±10°С

  • 드레인 전류가 1mA이고 게이트 소스가 연결된 경우 임계 전압 V. . .0,6...2
  • KP300A-KP50V, KP0,25D의 경우 펄스 지속 시간이 4,5μs 이하이고 듀티 사이클이 최소 504이며 드레인 전류가 504A이고 게이트 소스 전압이 504V인 개방형 채널 저항(Ω) 이상 없음 , KP504E... ...8
  • KP504G.......10
  • KP300A-KP50V, KP14D의 경우 펄스 지속 시간이 1,8μs 이하이고 듀티 사이클이 최소 504이며 드레인 전류가 504mA이고 게이트-소스 전압이 504V인 개방형 채널 저항(Ω) 이상 없음 , KP504E..... .15
  • KP504G.......18
  • 최대 허용 드레인-소스 전압 및 1 게이트-소스 전압에서 잔류 드레인 전류, μA, 더 이상......XNUMX
  • 제로 드레인-소스 전압 및 게이트-소스 전압 ±20V......±0,1에서 게이트 누설 전류, µA, 더 이상 없음
  • 전류-전압 특성의 기울기 A/V, 펄스 지속 시간이 300μs 이하이고 듀티 사이클이 50 이상, 드레인-소스 전압이 5V, 드레인 전류가 0,25A인 경우 ......0,14, XNUMX
  • 보호 다이오드의 일정한 순방향 전압 V는 펄스 지속 시간이 300μs 이하이고 듀티 사이클이 50 이상이며 게이트 소스 전압이 0,5이고 다이오드를 통과하는 전류가 XNUMXA입니다.
  • KP504A, KP504V-KP504D.......1,3
  • KP504B, KP504E.......1,8

열 저항 결정 환경, °С/W, 최대,

  • KP504A, KP504B.......125
  • KP504V-KP504E.......177
  • 제로 게이트-소스 전압, 드레인-소스 전압 25V 및 입력 주파수 1MHz에서 트랜지스터의 커패시턴스*, pF, 그 이상......140
  • 주말 ...... 30
  • 체크포인트.......9

* 참조 매개변수.

한계값

  • KP504A, KP504B, KP504D, KP504E의 경우 최고 드레인-소스 전압 V ...... 240
  • KP504V.......200
  • KP504G.......250
  • 최대 게이트-소스 전압, V......±10
  • 최대 직류* 드레인, mA,
  • KP504A, KP504B.......250
  • KP504V, KP504D, KP504E......200
  • KP504G.......180
  • 가장 높은 펄스 전류 * 드레인, A ...... 1
  • 최대 일정 전력 손실**, W, 주변 온도 25°C 이하, KP504A, KP504B......1
  • KP504V-KP504E.......0,7
  • 결정의 최고 온도, ° С ...... 150
  • 환경의 작동 온도 범위, °C......-55...+125

* 최대 소산 전력 및 수정 온도를 초과하지 않는 경우

** 주변 온도 Tam.av가 +25 ~ +125°C인 경우 최대 소비 전력 Pmax는 공식 Pmax = (Tcr max - Tam.av.)/RT.cr-avg에 따라 감소해야 합니다. 여기서 Tcr max는 가장 높은 결정 온도입니다. RT.cr-sr - 내열성 결정-중간.

OST 30 11에 따라 허용되는 정적 전위 값은 073.062V입니다. 장비에 트랜지스터를 설치하기 위한 작동 모드 및 조건은 OST 11 336.907.0을 따릅니다.

KP504 시리즈 트랜지스터 매개변수의 가장 중요한 그래픽적 일반적인 의존성은 아래에 나와 있습니다. 그림에서. 그림 2, a 및 b는 두 가지 주변 온도 값에서의 출력 특성을 보여줍니다. 3 - 게이트-소스 전압에 대한 드레인 전류의 의존성. 그림에서. 그림 4는 온도에 따른 장치의 개방 채널 저항의 정규화된 의존성을 보여줍니다(RK는 +25°C의 결정 온도에서 저항에 대한 전류 채널 저항의 비율입니다).
쌀. 그림 5는 문턱전압의 온도변화를 나타내고, 그림 6는 문턱전압의 온도변화를 나타낸다. 7 - 최대 허용 일정 전력 손실. 드레인-소스 전압이 변할 때 트랜지스터의 입력, 출력 및 통과 커패시턴스 값이 어떻게 변하는지에 대한 아이디어는 그림 8의 그래프에 나와 있습니다. 9. 전류-전압 특성의 기울기와 드레인 전류에 대한 개방 채널의 저항의 의존성은 그림 10에 나와 있습니다. 각각 XNUMX과 XNUMX. 내장된 보호 다이오드의 전력 성능은 그림 XNUMX에 나와 있습니다. XNUMX.

KP504 시리즈의 전계 효과 트랜지스터
(확대하려면 클릭하십시오)

저자: V.Kiselev, 민스크, 벨로루시

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