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TS3V339 시리즈의 마이크로파워 비교기. 참조 데이터

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예를 들어 보안 시스템과 같은 조립을 위해 전자 부품 및 어셈블리를 선택할 때 가장 중요한 매개변수 중 하나는 대기 모드에서의 전력 소비입니다. CMOS 구조의 미세 회로의 경우 일반적으로 몇 마이크로 와트를 초과하지 않으면 일반적으로 단일 전자 파수꾼이 할 수없는 약한 신호 증폭기가 훨씬 더 많이 소비합니다.

약한 신호를 CMOS 기술에 채택된 수준으로 증폭하기 위해 디지털 미세 회로를 직접 제어하는 ​​데 적합한 출력 전압을 생성하는 연산 증폭기인 비교기가 사용됩니다.

THOMSON Microelectronics의 TS3V339 칩 비교기는 에너지 효율이 가장 높은 장치로 분류되어야 합니다. 하나의 비교기(하나의 하우징에 10개가 있음)의 전류 소비의 일반적인 값은 3μA를 초과하지 않습니다. AS393VXNUMX이라는 두 개의 비교기가 있는 이 마이크로 회로의 아날로그는 라트비아 회사인 Alfa에서 생산합니다.

이 장치는 두 가지 설계 옵션의 플라스틱 케이스로 설계되었습니다. 기존 장착용 - DIP14 - TS3V339N 및 AS3V393(그림 1, a) 및 표면용 - SOP14 - TS3V339D(그림 1, b). 결론 - 라멜라 경질 주석 도금

장치의 내부 연결 다이어그램과 핀아웃이 그림에 나와 있습니다. 2 및 하나의 비교기의 단순화 된 회로도-그림. 3. 출력 - 오픈 드레인 트랜지스터 n-MOS.

TS3V339 시리즈 마이크로 전력 비교기

주요 기술적 특성*

  • 공급 전압, V.......2,7...16
  • 소비 전류, uA,
  • 더 이상 ...... 20
  • 전형적인 값......9
  • 턴온 지연, μs(일반 값), 부하 저항 5,1kOhm, 부하 커패시턴스 15pF 및 입력 전압 5mV ...... 2,5
  • 끄기 지연, μs(일반 값), 부하 저항 5,1kOhm, 부하 커패시턴스 15pF 및 입력 신호 전압 5mV ...... 1,5
  • 출력 포화 전압, V, 더 이상, 입력 전압이 1V 이상이고 출력 전류가 6mA......0,5
  • 전형적인 값......0,4
  • 공통 모드 입력 전압, V, 최소......0
  • 최대......1,8**
  • "제로" 바이어스 전압, mV, 이하......5
  • 입력 전류, nA(일반 값).......1
  • 반전 입력과 비반전 입력의 입력 전류 값의 차이, pA(전형적인 값)......1
  • 3V의 출력 전압 및 1V 이상의 입력 전압에서 출력 누설 전류, μA 이상......1
  • 공통 모드 제거 비율, dB(일반 값).......70
  • 공급 전압 감쇠 계수, dB(일반 값) ... .70
  • 주변 온도의 작동 범위, °C......-40...+85

* 단일 비교기의 경우; 달리 명시되지 않는 한 ZV의 공급 전압 및 25 °C의 주변 온도에서.

** 공급 전압에서 1,2V를 뺀 것과 같습니다.

보안 시스템을 설계할 때 비교기는 출력 트랜지스터가 대기 모드에서 닫히는 모드로 제공되어야 합니다. 그러면 부하를 통과하는 전류가 장치의 출력 누설 전류를 초과하지 않고 전력 소비가 최소화됩니다.

TS3704, TS861과 같은 다른 많은 에너지 효율적인 비교기가 있다는 점에 유의해야 합니다. 국내 산업은 그러한 경제적인 비교 제품을 생산하지 않습니다. 그들 중 최고인 1053CA2는 1,5mA의 전류를 소비합니다.

저자: Yu.Vinogradov, 모스크바

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