KP742 시리즈의 강력한 전계 효과 트랜지스터. 참조 데이터

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KP742 시리즈의 강력한 전계 효과 트랜지스터. 참조 데이터

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절연 게이트, 채널 강화 및 내장형 보호 역방향 연결 다이오드를 갖춘 실리콘 n채널 전계 효과 트랜지스터 KP742A 및 KP742B는 스피택셜 평면 기술을 사용하여 제조됩니다. 이 장치는 무변압기 입력이 있는 보조 전원 공급 장치, 연속 및 펄스 제어 기능이 있는 조정기, 안정기 및 전압 변환기, 전기 모터 드라이브 및 일상 생활과 산업에 사용되는 기타 장비에서 작동하도록 설계되었습니다.

트랜지스터는 단단한 스탬프가 찍힌 주석 도금 단자가 있는 플라스틱 직사각형 케이스 KT-43(TO-218)에 들어 있습니다(그림 1). 장치 무게 - 6g 이하.

KP742 시리즈의 강력한 전계 효과 트랜지스터

트랜지스터 KP742A의 외국 아날로그는 STH75N06이고 KP742B는 SGS-THOMSON의 STH75N05입니다.

Тkorp = 25 °С의 주요 기술적 특성

임계 전압, V, 드레인 전류 0,25mA 및 연결된 게이트 및 드레인...2...4
KP300A의 경우 펄스 지속 시간이 50μs 이하이고 듀티 사이클이 최소 40이며 드레인 전류가 10A이고 게이트-소스 전압이 742V인 개방형 채널 저항(Ω)은 더 이상 없습니다.... ..0,014
KP742B ....... 0,012
최대 드레인-소스 전압 및 250 게이트-소스 전압에서 잔류 드레인 전류, µA, 더 이상......XNUMX
게이트-소스 전압 ±20V 및 제로 드레인-소스 전압......±100에서 게이트 누설 전류, nA 이상
전류-전압 특성의 기울기 A/V, 펄스 지속 시간이 300μs 이하이고 듀티 사이클이 50 이상, 드레인-소스 전압이 10V이고 드레인 전류가 40A인 경우 ......25
최대 증폭 주파수, MHz, 이하......1
턴온 시간*, μs, 더 이상 없음, 드레인-소스 전압 25V, 드레인 전류 40A, 신호 소스의 출력 저항 6,2Ω, 드레인 회로의 저항 50Ω, 게이트-소스 전압 10V, 펄스 지속 시간 300μs 이하이고 듀티 사이클은 최소 50입니다...1,57
턴오프 시간*, μs, 더 이상 없음, 드레인-소스 전압 40V, 드레인 전류 75A, 신호 소스의 출력 저항 50Ω, 드레인 회로의 저항 50Ω, 게이트-소스 전압 10V, 펄스 지속 시간 300μs 이하이고 듀티 사이클은 KP50A의 경우 최소 742입니다......0,97
KP742B ....... 1,08
트랜지스터 용량*, pf, 더 이상 없음, 드레인-소스 전압 25V, 게이트-소스 전압 1, 입력 주파수 5200MHz......XNUMX
주말 ...... 2300
체크포인트.......650
내열성 크리스탈 케이스, С/W, 이하......30
개방형 보호 다이오드의 일정한 순방향 전압. 제로 게이트-소스 전압에서 V는 더 이상 없음, 펄스 지속 시간은 300μs 이하, KP50A의 경우 듀티 사이클은 742 이상, 드레인 단자를 통과하는 전류는 75A 및 KP742B - 80A...... 1,6
다이오드 역회복 시간*, 아니요, 35V의 드레인-소스 전압, 100A/μs의 다이오드 전류 상승률, 300μs 이하의 펄스 지속 시간 및 최소 50의 듀티 사이클에서 742A의 드레인 단자를 통과하는 전류가 있는 KP75A 및 KP742B - 80A......130

* 참조 매개변수.

한계값

KP742A의 경우 최대 드레인-소스 전압, V......60
KP742B ....... 50
최대 게이트-소스 전압, V......±20
KP25A의 경우 742°C 이하의 케이스 온도에서 가장 높은 일정한 드레인 전류*, A......75
KP742B ....... 80
KP742A의 경우 최대 펄스 드레인 전류*, A......300
KP742B ....... 320
KP742A의 경우 보호 다이오드 A의 최대 순방향 전류......75
KP742B ....... 80
최대 연속 소산 전력**, W, 케이스 온도 25°С......200에서
결정체의 최고 온도, "C ...... 175
주변 온도 작동 범위, "С......-55...+150

* 최대 전력 손실 및 크리스탈 온도를 초과하지 않는 경우.

** 주변 온도가 25°C를 초과하는 경우 최대 허용 전력 Pmax는 공식에 따라 감소해야 합니다.

여기서 Tkp max와 Tcorp는 크리스탈의 최대 허용 온도와 트랜지스터 본체의 현재 온도 값입니다. Rt cr-case - 크리스탈 케이스의 열 저항.

OST 500 11에 따라 허용되는 정적 전위 값은 073.062V입니다. 장비에 트랜지스터를 설치하는 모드 및 조건은 OST 11 336.907.0을 따릅니다.

트랜지스터 KP742A 및 KP742B 매개변수의 그래픽적 일반적인 의존성이 그림 2에 나와 있습니다. 7-XNUMX.

KP742 시리즈의 강력한 전계 효과 트랜지스터

그림에서. 그림 2, a 및 b는 두 가지 체온 값에서 장치의 출력 특성 계열을 보여줍니다. 3 - 개방 채널 저항의 온도 의존성(결정 온도 Tcr = 25°C인 지점을 기준으로 정규화됨). 쌀. 도 4는 게이트-소스 전압에 대한 드레인 전류의 의존성을 도시한다.

KP742 시리즈의 강력한 전계 효과 트랜지스터

드레인-소스 전압에 대한 장치의 입력, 출력 및 통과 커패시턴스의 의존성은 그림 5에 나와 있습니다. 6. 케이스 온도가 상승함에 따라 드레인 전류는 그림 XNUMX의 곡선에 따라 감소해야 합니다. XNUMX.

KP742 시리즈의 강력한 전계 효과 트랜지스터

순방향 전류에 따른 개방형 보호 다이오드의 전압 강하는 그림 7에 나와 있습니다. XNUMX (여기서 Ic는 장치의 드레인 단자를 통과하는 전류입니다).

KP742 시리즈의 강력한 전계 효과 트랜지스터

저자: V.Kiselev, 민스크, 벨로루시

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