저전력 전계 효과 트랜지스터 KP214A9. 참조 데이터

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저전력 전계 효과 트랜지스터 KP214A9. 참조 데이터

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절연 게이트 및 채널 강화 기능과 보호 역방향 다이오드가 내장된 실리콘 n채널 전계 효과 트랜지스터 KP214A9는 에피택셜 평면 기술을 사용하여 제조됩니다. 트랜지스터는 무변압기 입력이 있는 XNUMX차 전원 공급 장치, 연속 및 펄스 제어 기능이 있는 조정기, 안정기 및 전압 변환기, 저전력 전기 모터용 제어 장치 및 국가 경제와 일상 생활을 위한 기타 전자 장비에서 작동하도록 설계되었습니다.

트랜지스터는 표면 실장용으로 설계된 평면 주석 도금 단자(그림 46)가 있는 플라스틱 케이스 KT-23A(SOT-1)에 들어 있습니다.

저전력 전계 효과 트랜지스터 KP214A9

트랜지스터 KP214A9 - 2N7002LT1의 외국 아날로그.

핀아웃과 내부 연결 다이어그램이 그림 1에 나와 있습니다. 하나.

Tacrav의 주요 기술적 특성 = 25+10 °С

드레인 전류가 0,25mA이고 게이트와 드레인이 연결된 경우 임계 전압 V......1 ...2,5
펄스 지속 시간이 300μs 이하이고 듀티 사이클이 최소 50, 드레인 전류 0,5A 및 게이트-소스 전압 10V인 개방형 채널 저항(Ω) ...... 7,5
개방형 채널 저항(Ω), 펄스 지속 시간이 300μs 이하이고 듀티 사이클이 최소 50, 드레인 전류 0,05A 및 게이트-소스 전압 5V......7,5
드레인-소스 전압이 60V이고 게이트 전압이 1일 때 잔류 드레인 전류, µA, 더 이상......XNUMX
제로 드레인-소스 전압 및 게이트-소스 전압 ±20V......±0,1에서 게이트 누설 전류, µA, 더 이상 없음
전류-전압 특성의 기울기 mA/V, 펄스 지속 시간이 300μs 이하이고 듀티 사이클이 50 이상, 드레인-소스 전압이 7,5V, 드레인 전류가 0,2A인 경우 ......80
트랜지스터의 게이트-소스 전압이 115이고 드레인 및 소스 단자를 통과하는 전류가 1,5mA일 때 개방형 보호 다이오드의 일정한 순방향 전압 V는 더 이상 XNUMX입니다.
열 저항 결정 환경, °С/W, 더 이상......625
온/오프 시간*, 더 이상 드레인-소스 전압 25V, 드레인 전류 0,5A, 신호 소스 출력 저항 25Ω......30/40
제로 게이트-소스 전압, 드레인-소스 전압 25V 및 주파수 1MHz에서 트랜지스터 용량*, pF, 더 이상 없음
입력 ...... 50
주말 ...... 25
체크포인트.......5

* 참조 매개변수.

한계값

최고 드레인-소스 전압, V ...... 60
최대 게이트-소스 전압, V......±20
펄스 지속 시간이 1초 이하이고 듀티 사이클이 최소 300.....±40인 가장 높은 게이트-소스 펄스 전압 V
게이트-소스 전압 10V 및 주변 온도 25°C 이하에서 최대 일정 드레인 전류*, mA......115
최대 펄스 드레인 전류**, mA, 펄스 지속 시간이 300μs 이하......800
최대 일정 전력 손실***, W, 주변 온도 25°C 이하에서......0,2
보호 다이오드의 가장 높은 순방향 전류, mA......115
보호 다이오드의 최대 펄스 전류**, mA, 펄스 지속 시간이 300μs 이하 .....800
결정의 최고 온도, ° С ...... 150
주변 온도 작동 범위, °С -55...+125

* 주위 온도가 125도까지 올라갈 때

그림 2의 그래프에 따라 드레인 전류를 XNUMX까지 줄여야 합니다(최대 소비 전력을 초과하지 않는 경우). XNUMX.

** 최대 전력 손실 값을 초과하지 않는 경우에 한함. *** 주변 온도 범위 25 ~ 125°C에서 최대 소비 전력 Pmax는 다음 공식을 사용하여 계산됩니다.

여기서 RTkp-cp는 결정 환경 열 저항입니다.

OST 30에 따라 허용되는 정적 전위 값은 11073.062V입니다. 장비에 트랜지스터를 설치하는 모드 및 조건은 OST 11336.907.0을 따릅니다. 납땜 인두로 리드를 납땜할 때는 거대한 구리 조가 있는 특수 핀셋을 사용하여 열을 제거해야 합니다. 핀셋은 하우징 근처의 터미널에 설치됩니다. 납땜 인두는 접지되어야 합니다.

저전력 전계 효과 트랜지스터 KP214A9

KP214A9 트랜지스터 매개변수의 주요 일반적인 그래픽 종속성은 그림 3에 나와 있습니다. 7-3. 그림에서. 그림 25a와 b는 수정 온도 Tcr = 10±150°C 및 4°C에서 드레인-소스 전압 Usi에 대한 드레인 전류 lc의 의존성을 보여줍니다. 게이트-소스 전압 Uzi에 대한 드레인 전류의 의존성은 그림 5에 나와 있습니다. 개방 채널 저항 RK 놈의 정규화된 온도 의존성은 그림 XNUMX에 나와 있습니다. XNUMX.

저전력 전계 효과 트랜지스터 KP214A9
쌀. 그림 6은 드레인-소스 전압이 변할 때 트랜지스터 커패시턴스의 변화 특성을 보여줍니다. 7 - 개방형 보호 다이오드의 전류-전압 특성. 결정 온도에 대한 최대 허용 상수 드레인 전류 lc max 의 의존성은 그림 2에 나와 있습니다. XNUMX.

저자: V.Kiselev, 민스크, 벨로루시

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