UMZCH 소프트 스타트 장치. 계획, 설명

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사운드 증폭 장비의 설계자는 거의 항상 주전원 전압이 켜질 때 임펄스 과부하로부터 UMZCH와 전원 공급 장치를 보호하는 문제에 직면합니다. 이러한 장치에 대한 설명은 잡지 페이지에 반복적으로 게시되었습니다. 그러나 그들 중 일부는 UMZCH 자체 만 보호하여 전원 공급 장치를 보호하지 않은 상태로 유지하는 반면 다른 일부는 매끄럽지 않고 주전원 전압을 단계적으로 증가시킵니다. 이러한 단점은 UMZCH의 "소프트" 포함을 구현하는 독자의 주의를 끌기 위해 제공되는 장치에는 존재하지 않습니다. 스위칭 릴레이가 없기 때문에 보호 장치의 신뢰성을 높이고 크기를 줄일 수 있습니다.

UMZCH "소프트" 전원 켜기 장치의 개략도가 그림에 나와 있습니다. 다이오드 브리지 VD1-VD1를 통한 트랜지스터 VT4은 전원 공급 장치의 변압기 T1의 XNUMX차 권선과 직렬로 연결됩니다. 절연 게이트가 있는 MOSFET을 선택하는 이유는 제어 회로의 입력 저항이 높아 전력 소비를 줄일 수 있기 때문입니다.

UMZCH 소프트 스타트 장치

제어 장치는 트랜지스터 VT1의 게이트에서 전압을 형성하는 회로와 트랜지스터 VT2, VT3의 전자 키로 구성됩니다. 첫 번째 회로는 VD5, C1, R1 - R3, VD7, C4 요소로 구성되어 트랜지스터 VT1의 게이트에서 초기 전압을 설정합니다. 두 번째는 트랜지스터 VT8의 게이트에서 전압을 부드럽게 증가시키는 VD4, R5, R2, C3, C1 요소를 포함합니다. 제너 다이오드 VD6은 트랜지스터 VT1의 게이트 전압을 제한하고 고장으로부터 보호합니다.

초기 상태에서 제어 장치 회로의 커패시터는 방전되므로 주 전원 스위치 SB1의 접점을 닫는 순간 소스에 대한 트랜지스터 VT1의 게이트 전압은 1이고 소스-드레인 회로에는 전류가 없습니다. 이것은 변압기 T1의 5차 권선의 전류와 그 양단의 전압 강하도 3과 같다는 것을 의미합니다. 주전원 전압의 첫 번째 양의 반주기에 도달하면 커패시터 CXNUMX은 VDXNUMX, VDXNUMX 회로를 통해 충전을 시작하고 이 반주기 동안 주전원 전압의 피크 값까지 충전됩니다.

제너 다이오드 VD7은 분배기 R2R3에서 전압을 안정화합니다. 회로에 따라 튜닝 저항 R3의 하단 암의 전압은 1 ~ 2V의 임계 값에 가깝게 설정되는 트랜지스터 VT4의 초기 게이트-소스 전압을 결정합니다. 전원 전압의 여러 기간 후에 커패시터 C2를 통해 흐르는 전류 펄스는 트랜지스터 VT3의 차단 전압을 초과하는 전압으로 충전합니다.

트랜지스터 VT2, VT3의 전자 키가 닫히고 커패시터 C3가 VD8, R4, R5, R3, VD3 회로를 통해 충전되기 시작합니다. 이때 트랜지스터 VT1의 게이트-소스 전압은 저항 R3의 하부 암 전압과 커패시터 C3 양단의 점진적으로 증가하는 전압의 합에 의해 결정됩니다. 이 전압이 증가함에 따라 트랜지스터 VT1이 열리고 소스-드레인 채널의 저항이 최소화됩니다. 따라서 변압기 T1의 1차 권선의 전압은 거의 주전원 전압 값까지 점차 증가합니다. 트랜지스터 VT6의 게이트-소스 전압의 추가 증가는 제너 다이오드 VD1에 의해 제한됩니다. 정상 상태에서 VD4-VD1 브리지 다이오드와 VT2 트랜지스터의 전압 강하는 3 ... 1W를 초과하지 않으므로 이는 실제로 UMZCH 전원 공급 장치의 추가 작동에 영향을 미치지 않습니다. 트랜지스터 VT2의 가장 심각한 작동 모드 기간은 4 ... 4 초를 초과하지 않으므로 소비되는 전력이 적습니다. 커패시터 C1는 트랜지스터 VT3의 게이트-소스 접합에서 전압 리플을 제거합니다. 저항 R3의 하단 암에있는 커패시터 CXNUMX의 충전 전류 펄스에 의해 생성됩니다.

트랜지스터 VT2, VT3의 전자 키는 UMZCH 전원 공급 장치가 꺼진 후 또는 단기 정전 중에 커패시터 C3을 빠르게 방전하고 제어 장치를 다시 활성화할 준비를 합니다.

저자 버전의 보호 장치에는 Gloria (C1)에서 제조 한 수입 커패시터와 국내 K53-1 (C2, C4) 및 K52-1 (C3)이 사용되었습니다. 모든 고정 저항 - MLT, 튜닝 저항 R3 - SP5-3. 예를 들어 트랜지스터 KP707V(VT1)를 다른 것으로 교체할 수 있습니다. KP809D. 열린 상태에서 채널의 저항이 최소이고 소스-드레인 전압 제한이 350V 이상인 것이 중요합니다. KT3102B (VT2) 트랜지스터 대신 KP3102I (VTZ) -KP3102Zh 대신 KT103V 및 KT103D를 사용할 수 있습니다.

트랜지스터 VT1에는 10...50cm2 면적의 작은 방열판이 장착되어 있습니다.

장치 설정은 트리머 저항 R3의 최적 위치를 선택하는 것으로 구성됩니다. 처음에는 (다이어그램에 따라) 낮은 위치로 설정되고 고저항 분배기를 통해 변압기의 XNUMX차 권선에 연결됩니다.

T1 오실로스코프. 그런 다음 스위치 SB1의 접점이 닫히고 저항 R3의 슬라이더를 움직여 변압기의 1차 권선에서 전압 진폭을 증가시키는 과정을 관찰합니다. 엔진은 SB1을 켜고 T3 권선의 전압 진폭 증가 시작 사이의 시간 간격이 최소인 위치에 있습니다. 필요한 경우 커패시터 CXNUMX의 커패시턴스를 선택하십시오.

이 장치는 A. Orlov의 "UMZCH with a single-stage voltage amplification"("Radio", 1997, No. 12, pp. 14 - 16 참조)의 기사에 설명된 증폭기와 구조가 유사한 UMZCH 레이아웃으로 테스트되었습니다. 전원 공급 장치를 켰을 때 UMZCH 출력의 전압 서지는 1,5V를 초과하지 않았습니다.

저자: M.Sirazetdinov, Ufa

다른 기사 보기 섹션 트랜지스터 전력 증폭기.

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