라디오 전자 및 전기 공학의 백과사전 BSIT와 UMZCH를 연결합니다. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전 무선 전자 및 전기 공학 백과사전 / 트랜지스터 전력 증폭기 라디오 아마추어의 디자인에서 BSIT라고하며 주로 스위칭 장치 (스위칭 전원 공급 장치, 수평 주사 장치, 강력한 스위치) 용으로 설계된 강력한 트랜지스터는 아직 자주 사용되지 않습니다. 우리는 그러한 트랜지스터를 사용하는 XNUMX 와트 UMZCH 옵션 중 하나에 대한 설명을 독자의 관심을 끌었습니다. 도량형 지표와 여러 전문가 오디션 결과를 언급하면서 저자는 자신의 발전을 높이 평가합니다. 라디오 아마추어와 개발자 사이에서 "더 나은 사운드" 진공관 증폭기 문제를 논의하는 논쟁은 오늘날까지 계속되고 있습니다[1]. 튜브 1극관의 UMZCH에서 복잡한 부하에서 작동하는 경우에도 작은 왜곡은 특히 이러한 장치에 내재된 내부 피드백으로 인한 것임을 인식해야 합니다. 그러나 진공 XNUMX극관의 장점은 정적 유도 SIT가 있는 트랜지스터라고 하는 제어 전환이 있는 전계 효과 트랜지스터에도 내재되어 있습니다[XNUMX]. 이러한 장치의 또 다른 변형은 정적 유도 BSIT가 있는 바이폴라 트랜지스터입니다. 상당한 게이트 전류로 작동하고 그리드 전류로 작동하는 모드에서 발전기 램프와 유사한 출력 특성을 가집니다. 입력 특성은 거의 동일합니다. 양극성처럼. 강력한 LSIT KP958A[2]인 n형의 수직 상시 폐쇄 채널을 갖는 장치의 전류 감쇠 시간은 Tsl = 60ns로, 기존의 고전력 바이폴라 트랜지스터와 거의 같은 차수이지만, 포화 전압 (포화 트랜지스터의 정도에 따라 다름)은 몇 배 더 작습니다. BSIT의 사용은 UMZCH에서 상당히 효과적인 것으로 밝혀졌습니다. 브리지 구성표 (3)에 따라 만들어졌습니다. BSIT에서 XNUMX와트 브리지 UMZCH에 대해 제안된 방식이 그림에 나와 있습니다. 주요 기술 특성
UMZCH에는 거의 동일한 두 개의 증폭기가 포함되어 있으며 그 중 하나는 입력 신호에 대해 반전됩니다. 부하는 증폭기의 출력 사이에 연결됩니다. 증폭기의 출력 전압이 역상으로 부하에 적용되기 때문입니다. 출력 전압은 두 배가 됩니다. 연산 증폭기는 전압 증폭기이며 OOS가있는 상위 캐스케이드의 경우 이득은 Ku = R3 / R1 + 1이고 하위의 경우 R18 / R16 비율로 결정됩니다. 지정된 저항 값을 사용하면 브리지 회로의 두 증폭기 이득이 동일합니다. OU를 제외하고. 증폭기에는 VT4, VT5 구조가 다른 트랜지스터의 위상 반전 캐스케이드가 포함되어 있습니다. 그들과 함께 트랜지스터 VT6 - VT9는 클래스 AB에서 작동하는 전류 증폭기의 기능을 수행합니다. 구성표에 따른 상위 증폭기는 직렬 OOS로 덮여 있습니다. 분배기 R2R1을 통해 출력에서 연산 증폭기의 반전 입력 (DA3 칩의 핀 1)으로 공급됩니다. 회로의 하부 증폭기는 저항 R18을 통해 병렬 OOS로 덮여 있습니다. 브리지 증폭기의 출력 전압은 두 연산 증폭기의 출력 전압의 합으로 결정됩니다(게이트-소스 접합에서의 전압 강하는 무시할 수 있음). 출력 전압을 높이기 위해 연산 증폭기의 "추적" 전원 공급 장치가 사용됩니다. 출력 신호와 동시에 변경됩니다. 입력 신호가 없으면 제너 다이오드 VD1 및 VD2의 접합점 전압은 7입니다. 동시에 DA4 마이크로 회로의 핀 1과 15에서 공급 전압은 트랜지스터 VT1, VT2에 만들어진 안정기로 인해 XNUMXV로 유지됩니다. 신호 증폭기 출력의 모양은 연산 증폭기 공급 전압의 공통 모드 바이어스로 이어집니다. 연산 증폭기의 신호 제한이 발생하지 않는 것과 관련하여. 따라서 연산 증폭기의 출력 전압은 약 두 배가 됩니다. 저항 R7은 제너 다이오드 VD1, VD2를 증폭기 출력에 연결하고 필요한 경우 튜닝 중에 저항을 선택하여 가변 저항 (저항 3-5kOhm)으로 대체합니다. 가청 주파수 생성기의 신호를 UMZCH 입력에 적용하면 증폭기의 양쪽 암 출력에서 가능한 최대 왜곡되지 않은 전압이 설정됩니다(오실로스코프 제어). 과도한 저항 감소는 증폭기의 안정성을 방해할 수 있음을 기억해야 합니다. 저항 R6, R8, R9 및 트랜지스터 VT3은 현재 증폭기 트랜지스터의 게이트에서 초기 바이어스를 생성합니다. 트리머 저항 R8의 위치를 변경합니다. 넓은 범위에서 출력 단계의 대기 전류 값을 조정할 수 있습니다. 트랜지스터 VT3는 모드의 열 안정화를 위해 사용되며 트랜지스터의 방열판과 열 접촉을 제공해야 합니다. 낮은 왜곡을 달성하려면 트랜지스터 VT4 - VT9를 쌍으로 선택하여 Us = 10V에서 게이트 전류의 다른 값에서 드레인 전류의 의존성을 제거하는 것이 바람직합니다. 여러 지점에서 측정하는 것이 좋습니다. . 하나의 캐스케이드에는 유사한 특성을 가진 트랜지스터가 설치됩니다. 허용 오차가 1%인 저항 R3, R16, R18, R2 - C29-1V(최대 2% 가능). 나머지 저항은 공차가 10% 이하인 모든 유형입니다. K140UD11 마이크로 회로는 회로를 변경하지 않고 K154UDZA로 교체할 수 있지만 적절한 고주파 보정이 필요할 수 있습니다. UMZCH의 최대 출력 전력이 감소할 가능성이 있지만 주파수 특성 측면에서 OA K154UDZA가 더 바람직합니다. 출력 트랜지스터는 각 트랜지스터에 대해 표면적이 600cm2 이상인 방열판에 설치해야 합니다. 저자는 자신의 디자인에서 작은 팬의 강제 냉각 기능이 있는 니들 라디에이터를 사용했습니다. 이 경우 작은 라디에이터를 사용하는 것으로 충분하다는 것이 밝혀졌습니다. 올바르게 조립된 증폭기는 즉시 작동하기 시작합니다. 저항 R200을 선택하여 증폭기 양쪽 암의 정지 전류를 약 250 ... 7 mA로 설정하고 가능한 최대 출력 신호 진폭을 설정하기만 하면 됩니다. 간단히 말해서 출력단 트랜지스터(VT200. VT8)의 수를 두 배로 늘려 증폭기의 전력을 최대 9W까지 두 배로 늘릴 수 있습니다. 이 트랜지스터의 이미 터 회로에서 전류를 균일하게 분배하려면 저항이 0.1 ... 0,2 Ohm 인 등화 저항을 포함해야합니다. 문학
저자: N. Rekunov, Togliatti, 사마라 지역 다른 기사 보기 섹션 트랜지스터 전력 증폭기. 읽고 쓰기 유용한 이 기사에 대한 의견. 과학 기술의 최신 뉴스, 새로운 전자 제품: 정원의 꽃을 솎아내는 기계
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