라디오 전자 및 전기 공학의 백과사전 유도 보정이 있는 UMZCH. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전 무선 전자 및 전기 공학 백과사전 / 트랜지스터 전력 증폭기 이 UMZCH의 특징은 증폭기 입력 스테이지의 유도 보정과 대칭 구조입니다. 회로가 그림에 표시된 전력 증폭기. 1, 거의 하나의 전압 증폭 단계(트랜지스터 VT5, VT6)와 대칭이 있는 7단계 전류 증폭기(VT12-VT4)를 포함합니다. 70옴의 저항으로 정격 부하에서 최소 11와트의 전력을 제공하는 구조. 이러한 회로 솔루션을 통해 매우 우수한 과도 특성과 넓은 VDXNUMX 대역을 얻을 수 있었습니다. 전염. 비교 오디션의 저자와 다른 참가자들에 따르면 앰프는 타악기와 복잡한 사운드(예: 합창 음악)를 매우 깨끗하고 자연스럽게 재생합니다. 전압 증폭단은 기존의 캐스코드 증폭기(OE-OB 구조)이며 대칭 설계에서만 가능합니다. FET 입력 팔로워로 보완되어 입력 스테이지 바이어스 회로에 대한 요구 사항을 줄입니다. VD3-VD6 및 VD8-VD11 다이오드의 공동 작동으로 온도 안정화가 보장됩니다. 증폭기의 위상 주파수 보정은 입력 트랜지스터의 이미 터에 포함 된 인덕터 L1과 저항 R12 인 로컬 OOS에 의해 수행됩니다. 입력 단계의 인덕턴스는 신호에 배음 및 고주파 성분이 존재할 때 혼변조 왜곡을 제거하는 데 중요한 역할을 합니다[1]. 다른 방법으로 앰프를 수정하려는 시도는 사운드 저하에 영향을 미칩니다. 투명도와 볼륨이 눈에 띄게 감소합니다. 사실, 이 수정 방법에는 코일이 자기 간섭에 민감하다는 단점이 있습니다. 따라서 환형 자기 회로에 감거나 차폐하는 것이 바람직합니다(둘 다 더 좋음). 이 캐스케이드에서는 저항 R15 및 R18의 두 가지 요소를 설치해야 합니다. 그것들이 없으면 증폭기가 여기되고 최종 단계 트랜지스터가 고장날 수 있습니다. 그리고 OOS가 없으면 OOS를 사용하는 것보다 훨씬 더 빠르게 발생합니다. 출력 트랜지스터의 바이어스 회로 및 온도 안정화를 단순화하기 위해 전류 증폭기는 출력 스테이지의 전류 언로드로 만들어집니다. 트랜지스터 VT11, VT12는 컷오프(클래스 C)로 작동하지만 이전 트랜지스터 쌍은 부하에서 직접 작동합니다. 저항 R20, R21 (1 Ohm)의 매우 낮은 저항을 통해 스위칭 왜곡을 완전히 제거합니다. 이 캐스케이드 구성을 통해 바이어스 회로(VD7)(TKN은 약 -0,11%/°C)에서 기존 제너 다이오드를 사용할 수 있으며 출력 트랜지스터의 전류 안정화에 대해 걱정할 필요가 없습니다. 또한 출력 트랜지스터의 베이스-이미터 pn 접합이 저항에 의해 션트되고 접합의 커패시턴스가 가능한 한 빨리 재충전되기 때문에 주파수 특성도 높습니다. 구조적으로 증폭기는 추가 절연 없이 라디에이터에 배치된 출력 트랜지스터(VT7-VT12)를 제외하고 인쇄 회로 기판에 만들어집니다. 라디에이터 자체는 절연되어야 합니다. 인덕터 L1(400μH)로 저자는 인덕턴스가 0,1μH인 200개의 직렬 연결된 고주파 초크 DPM-XNUMX을 사용했습니다. 다이어그램에 표시된 요소 외에도 UMZCH에서 다음 세부 사항을 사용할 수 있습니다. VT3, VT4 - 트랜지스터 KT972B, KT973B; VT9, VT10 - KT819V, KT818V; VT11, VT12 - KT8101B, KT8102B; VD1, VD2 - KS175A; VD3-VD6, VD8-VD11 - KD522 시리즈 또는 기타 유사한 시리즈. 한 쌍의 상보 전계 효과 트랜지스터 VT1, VT2의 선택은 다음과 같이 개별적으로 수행됩니다. 각각의 소스 회로(소스와 게이트 단자 사이)에는 바이어스 전압원 역할을 하는 4개의 저전력 실리콘 다이오드(순방향)가 포함됩니다. 드레인 회로에는 밀리암미터가 포함되어 있습니다. 9 ... 1 V 범위 (극성이있는 트랜지스터의 구조에 해당)의 공급 전압이 적용되면 드레인 전류가 측정됩니다. 정지 전류가 2 ... 15 mA이고 전류 차이가 2% 이하인 한 쌍의 트랜지스터가 적합하지만 출력(R3, RXNUMX)의 제로 설정 요소는 전류의 차이가 더 큽니다. 웜 상태의 VT5-VT5 트랜지스터에 대해 거의 동일한 전류(각각 6 ~ 3mA)를 얻을 때까지 저항 R6를 선택하여 UMZCH를 조정합니다. 이 경우 튜닝 저항 R3을 사용하여 증폭기 출력의 공통 와이어에 대한 최소 오프셋을 설정해야 합니다. 첫 번째 단계에서는 이미 터 VT9, VT10에서 트랜지스터 VT7, VT8의베이스를 분리하고 증폭기 출력에 연결하거나 콜렉터 전원 회로 VT9-VT12를 끄는 것이 좋습니다. 이 경우 트랜지스터 VT7, VT8의 대기 전류는 약 10 ... 13 mA입니다. 그런 다음 VD7 제너 다이오드의 전압 강하를 확인해야 합니다. 정상보다 약간 작고 3V에 가까운 것이 바람직합니다(제너 다이오드 선택). 그런 다음 전원을 끄고 원래 연결을 복원하고 공급 전압을 적용한 후 트랜지스터 VT9, VT10의 대기 전류를 확인하십시오. 150 ~ 200mA 이내여야 합니다. 이 트랜지스터를 강하게 가열하면 (더 높은 전류로 인해) 저항이 큰 저항 R20, R21을 설치하는 것이 좋습니다. 필요한 바이어스 전압을 생성하기 위해 많은 출판물에서 알려진 체계에 따라 조정 가능한 제너 다이오드 아날로그를 사용할 수도 있습니다. 전계 효과 트랜지스터로 증폭기를 조립할 수 없는 경우 연산 증폭기를 사용하여 입력단을 조립할 수 있습니다(그림 2). 출력 단계에서 UMZCH를 수정하면 저항 R20, R21의 저항이 3 ... 4ohm으로 증가합니다. 이러한 앰프의 작동 품질은 다소 떨어지지만 "사운드"는 여전히 [2]의 구조와 유사한 UMZCH보다 훨씬 낫습니다. 또한 절대적으로 안정적이지만 언급된 프로토타입은 "진정"하기 어렵습니다. 저자는 부하 저항의 복잡한 특성으로 인해 약간의 편견을 가지고 강력한 증폭기 트랜지스터의 고장에 대한 전자 보호 장치를 다루므로 전원에 위치한 두 증폭기 각각의 전원 회로에 5A 고속 작동 퓨즈를 설치하는 것으로 제한했습니다. 공급. 각 스테레오 앰프 채널의 정류기는 분리되어야 하며 필터 커패시터의 커패시턴스는 최소 10uF여야 합니다. 조정 후 다음 증폭기 매개 변수가 제공됩니다. 4ohm 부하에서의 정격 전력 - 최소 70W, 증폭된 주파수 대역 - 20 .... 20Hz, 고조파 왜곡 - 000% 이하. 공칭 입력 전압은 약 0,01V이지만 저항 R2의 저항을 높이면 UMZCH의 감도를 높일 수 있습니다. 인쇄 회로 기판(그림 3)은 Elfa-203-3 릴 투 릴 테이프 레코더의 방열판에 설치하기에 적합하며 이 테이프 레코더의 경우 이 스테레오 증폭기를 조립했습니다. 트랜지스터 VT9, VT10은 보드가 부착된 케이스의 뒷벽인 방열판에 설치됩니다. 트랜지스터 VT11, VT12는 다른 방열판에 설치됩니다 (Vega 50U-122C 증폭기에서 기성품 사용). 보드에서 강력한 트랜지스터의 출력까지 연결 와이어의 길이는 최소화되어야 합니다. 인덕터에 대한 간섭을 줄이려면 적절한 크기의 구형 K50-6 산화물 커패시터와 같은 차폐 케이스에 인덕터를 배치하는 것이 유용합니다. 보드의 일부 위치에서는 와이어 점퍼(점선으로 표시됨)를 설치해야 합니다. 장치 케이스에 보드를 설치하기 전에 앰프의 작동 모드를 디버깅하고 출력 스테이지의 대기 전류를 조정해야 합니다. UMZCH 채널의 더 나은 "디커플링"을 위해 전원 공급 장치의 정류기가 분리됩니다(XNUMX차 권선도 분리되어야 함). 부하 단락의 경우 UMZCH를 보호하기 위해 전원 회로에 포함된 퓨즈가 전원 공급 장치에 설치됩니다. 문학
저자: V.Levitsky, Drochia, Moldova, I.Beloborodov, Novosibirsk 다른 기사 보기 섹션 트랜지스터 전력 증폭기. 읽고 쓰기 유용한 이 기사에 대한 의견. 과학 기술의 최신 뉴스, 새로운 전자 제품: 정원의 꽃을 솎아내는 기계
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