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그림 1은 클래스 AB 증폭기 회로를 보여줍니다.

갈바닉 절연이 있는 클래스 AB 증폭기

1000채널 반전 증폭기는 0~20kHz의 주파수 범위에서 최대 20V의 이득을 제공합니다. 2kHz 이상의 주파수에서는 증폭기의 게인이 감소합니다. 저항 R1와 RXNUMX의 비율은 장치의 이득을 결정합니다.

증폭기의 포지티브 및 네거티브 채널은 2N3 유형 포토다이오드 광절연체 IC6 및 IC136을 사용하여 구축되므로 입력-출력 갈바닉 커플링이 없습니다. 트랜지스터 Q1 -Q4는 광절연체의 출력 전압과 전류를 증가시킵니다. 포지티브 및 네거티브 채널은 역위상으로 작동합니다.

±15V 공급 전압과 저항 R4 및 R5는 출력 트랜지스터가 항상 켜져 있도록 하는 데 필요한 바이어스를 제공합니다.

저항 R4 및 R5의 값을 미세 조정하여 출력 누화를 제거합니다.

제너 다이오드 D1 및 D2는 광절연체의 포토다이오드를 6,2V에서 역방향 바이어스로 유지합니다.

저항 R10-R13은 출력 트랜지스터 주변에 네거티브 피드백을 제공합니다. STW8N80 MOS-FET 트랜지스터는 방열판에 장착해야 합니다.

이 장치에는 능동 단락 보호가 필요하지 않습니다.

무화과에. 그림 2는 주파수 10kHz의 입력 구형파 10V와 증폭기의 출력 신호 1kV의 파형을 보여줍니다. 무화과에. 그림 3은 주파수 10kHz에서 스윙이 20V인 입력 정현파 신호와 진폭이 1kV인 출력 역 순수 고조파 신호의 오실로그램을 보여줍니다.

갈바닉 절연이 있는 클래스 AB 증폭기

저자: D.Ting, 대만

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