컨버터 유닛 보호

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변환기 변전소 및 설비. 컨버터 유닛 보호

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무선 전자 및 전기 공학 백과사전 / 전기 설비 설치 규칙(PUE)

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4.3.13. 일반 전력 및 XNUMX차 전압에 따라 변환 장치의 변압기에는 다음 보호 장치가 장착되어야 합니다.

1. 권선 및 변압기 단자의 다상 단락에 대한 순간 최대 전류 보호, 가능한 경우 셧다운 시 작동하는 컨버터의 단락에 대한 순간 최대 전류 보호.

무부하 변압기를 켤 때 자화 전류 임펄스와 가능한 부하 전류 임펄스에 대한 작동 전류에 따라 보호 기능을 조정해야 합니다. 일반적으로 보호는 정류된 전압 측의 회로 차단기 및 반도체 변환기 퓨즈와 관련하여 선택적이어야 합니다.

가능한 변압비 값에 대해 지정된 모든 변압기 XNUMX차 전압 값에서 보호 기능이 작동하는지 확인해야 합니다.

1kV 이상의 기본 전압을 사용하는 설치에서는 일반적으로 최대 전류 보호가 XNUMX릴레이 설계의 XNUMX상이어야 합니다.

최대 1kV의 XNUMX차 전압을 사용하는 설치에서 변압기는 XNUMX차 전압 네트워크의 절연된 중성선이 있는 XNUMX상과 단단하게 접지된 중성선이 있는 XNUMX상에서 과전류가 방출되는 자동 회로 차단기로 보호되어야 합니다.

2. 변압기 내부 손상 및 낮은 오일 레벨로부터 가스를 보호합니다.

가스 보호 장치는 용량이 1MB·A 이상인 변압기에 설치해야 하며, 매장 내 변환기 변전소 및 설치의 경우 용량이 0,4MB·A 이상인 변압기에 설치해야 합니다. 가스 보호는 가스 형성이 약하고 오일 레벨이 떨어지는 경우 신호에 따라 작동하고 가스 형성이 심할 경우 꺼야 합니다.

인원의 가용성이나 신호가 나타난 후 도착 시간, 가스 계전기의 설계에 따라 오일 레벨이 더 떨어지면 차단되도록 보호 기능이 제공될 수 있습니다. 낮은 오일 레벨을 방지하기 위해 변압기 확장기에 별도의 레벨 릴레이를 사용할 수 있습니다.

3. 최대 0,63MB·A의 전력을 가진 변압기의 신호에 영향을 미치고 0,63MB·A 이상의 전력을 가진 변압기의 차단에 영향을 미치는 밀봉된 변압기의 증가된 압력(압력 스위치)에 대한 보호

4. 600V 이상의 정류 전압에서 변압기의 XNUMX차 전압 측 과전압 보호.

5. 최대 1kV의 XNUMX차 전압을 갖는 변압기의 저전압 측 중성선 또는 위상에 설치된 항복 퓨즈.

트리핑 동작이 있는 보호 장치는 변압기의 XNUMX차 전압 측에 설치된 회로 차단기에 작용해야 하며, 필요한 경우 컨버터 장치의 정류 전류 측에 있는 회로 차단기에 작용해야 합니다.

4.3.14. 전력, 정류된 전압 값, 유형, 목적 및 작동 모드에 따라 반도체 변환기는 4.3.13에 따른 보호 장치 외에도 다음을 갖추고 있어야 합니다.

1. 직렬로 연결된 개별 밸브 또는 여러 밸브를 보호하기 위해 각 병렬 분기에 고속 작동 퓨즈가 있습니다. 두 개 이상의 퓨즈가 끊어지면 컨버터 유닛을 자동으로 꺼야 합니다. 퓨즈가 끊어진 경우 이에 대응하기 위해 경보를 제공해야 합니다.

2. 컨버터 뒤의 극성 간 단락에 대한 보호와 블록-컨버터-소비자에 따라 작동할 때 가역 컨버터 장치의 인버터 전복을 방지하기 위해 정류된 전압 측 한 극에 있는 고속 무극성 회로 차단기 회로.

변환기를 보호하는 데 필요한 회로 차단기의 수는 변환기와 소비자의 전원 회로 회로도에 따라 결정됩니다.

3. 과전류를 방지하기 위해 사이리스터 변환기의 제어 각도를 높이는 방향으로 제어 펄스를 제거하거나 제어 펄스를 이동시키는 보호 기능입니다.

4. 공통 부스바에서 여러 반도체 변환기의 단일 또는 병렬 작동을 작동할 때 한 극에 있는 고속 무극성 회로 차단기.

5. 내부 및 외부 서지에 대한 보호.

4.3.15. 컨버터 유닛에는 다음과 같은 비정상적인 작동 조건에서 작동하는 보호, 제어 및 경보 장치가 장착되어 있어야 합니다.

1. 변압기의 오일 또는 불연성 액체의 허용 온도를 초과했습니다.

2. 반도체 변환기를 냉각시키는 물의 허용 온도를 초과했습니다.

3. 반도체 밸브의 전원 회로에서 퓨즈가 끊어졌습니다.

4. 공기 또는 수냉식 종료.

5. 컨버터 유닛의 장기간 과부하.

6. 제어 펄스 부족.

7. 설치 단열재의 손상(레벨 감소).

8. 컨버터 유닛의 다른 보조 장치의 작동을 방해하여 정상적인 작동을 방해합니다.

4.3.16. 직원이 근무하는 변환기 변전소(설비)에서 또는 배전 담당자가 작동을 모니터링할 때 4.3.15, 단락 1-5, 7 및 8에 지정된 보호, 제어 및 경보 장치는 신호에 대해 작동해야 하며 4.3.15, 항목 6, - 컨버터 장치를 끕니다.

담당 직원이 없고 제어 센터에 신호를 전송하지 않는 변환기 변전소(설비)에서는 4.3.15에 나열된 보호, 제어 및 경보 장치가 변환기 장치를 차단하도록 작동해야 합니다.

어떤 경우에는 지역 조건에 따라 4.3.15, 1항에 지정된 장치가 신호에 작용하도록 허용됩니다.

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ReRAM의 작동 원리는 전압의 영향으로 재료의 저항을 변경하는 것입니다. 메모리는 비휘발성입니다. 즉, 전원이 공급되지 않아도 상태를 유지합니다. 현재 널리 사용되는 플래시 메모리에 비해 ReRAM의 장점은 고속, 더 높은 밀도, 더 큰 내구성 및 더 낮은 전력 소비에 추가로 포함됩니다.

ReRAM 생성 작업은 오랫동안 진행되어 왔습니다. 이 주제에 대한 최근 보고서에서 우리는 올해 초 Elpida Memory에서 만든 ReRAM의 프로토타입에 대한 뉴스를 기억할 수 있습니다.

UCL의 개발과 이전의 모든 개발의 차이점은 실리콘 산화물로 구성된 메모리 셀의 새로운 구조에 있습니다. 셀을 한 상태에서 다른 상태로 전환하는 효율이 더 높은 것이 특징입니다. 스위칭 전압의 작용하에 실리콘 "필라멘트"는 산화물에서 형성되거나 파괴되어 각각 전지 저항을 감소 또는 증가시킵니다. 칩이 실리콘 산화물을 사용하는 개발 중인 다른 설계와 같이 진공이 아닌 정상적인 조건에서 작동하는 것이 중요합니다.

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흥미롭게도 과학에서 발생하는 것처럼 새로운 메모리는 의도적으로 생성되지 않았습니다. 연구원들은 LED에서 실리콘 산화물을 사용할 가능성을 연구하고 산화막 매개변수의 불안정성과 두 가지 상태를 취할 수 있는 능력에 주의를 기울였습니다.

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