KR142EN19 칩에 전류 보호 기능이 있는 전압 안정기. 계획, 설명

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KR142EN19 칩에 전류 보호 기능이 있는 전압 안정기. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전

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최신 전압 안정기는 일반적으로 전류를 제한하여 과부하로부터 보호합니다. 출력 단락의 경우 부하 전류가 작동 전류보다 훨씬 작아지기 때문에 스태빌라이저가 과열되지 않습니다.

단락 보호 보호 안정 장치는 출력 전압의 출현으로 "감지"합니다. 그러나이 전압이 너무 낮 으면 조정기는 단락 제거를 "인식"하지 않으므로 시작하지 않습니다. 예를 들어 키네 스코프 또는 컬렉터 모터의 백열등과 같이 낮은 공급 전압에서도 스태빌라이저의 부하가 큰 전류를 소비하는 경우에 발생합니다.

부하가 바이폴라 전압으로 구동되는 경우 유사한 상황이 발생합니다. 스태빌라이저의 한쪽 암이 더 일찍 시작할 시간이 있으면 전압의 일부가 부하를 통해 다른 쪽의 출력으로 전달되어 시작되지 않을 수 있습니다.

이 경우 회로 전류가 크게 증가하고 조정 가능성이 제공되는 더 복잡한 안정기를 사용해야합니다. 미세 회로 형태의 이러한 장치는 아직 생산되지 않았기 때문에 무선 아마추어는 개별 요소를 기반으로 이를 개발해야 합니다.

칩 KR142EN19에 전류 보호 기능이 있는 전압 안정기

이 기사에서는 과부하 전류가 증가하고 조정 가능한 보호 전압 조정기에 대해 설명합니다. 그림에 표시된 회로의 장치의 안정화 계수는 800 이상이며 안정기 양단의 전압 강하는 0,5V 이하입니다. 과부하 전류는 30mA ~ 1,5A 범위에서 설정할 수 있습니다. 이러한 큰 조정 간격은 과부하 동안 전류가 스태빌라이저의 조정 트랜지스터 VT3을 통하지 않고 출력 폐쇄 모드에서 작동하도록 특별히 설계된 트랜지스터 VT1의 시작 노드에서 부하로 들어간다는 사실에 의해 보장됩니다.

스태빌라이저의 주요 요소는 KR142EN19 칩입니다. 안정화 전압이 2,5V 인 제너 다이오드의 아날로그와 오류 신호 증폭기로 구성됩니다. 마이크로 회로의 제어 입력 1의 전압이 2,5V를 초과하면 애노드 전류(핀 3)가 1,2mA에서 외부 저항에 의해 제한되는 수준으로 매우 빠르게 증가합니다. 열린 마이크로 회로의 최대 전류는 0.1A를 초과해서는 안되며 전력 손실은 0,4W를 초과해서는 안됩니다. 내부 장치에 의해 결정되는 개방형 미세 회로의 전압은 약 2,5V입니다. 닫힌 미세 회로에서는 30V를 초과해서는 안됩니다.

설명된 스태빌라이저는 다음과 같이 작동합니다. 출력 전압이 증가하면 출력 전압 조정기 엔진의 전압인 가변 저항 R8도 상승합니다. 임계 값 2,5V를 초과하면 DA1 칩이 열리고 트랜지스터 VT2 및 VT3이 순차적으로 닫힙니다.

미세 회로의 양극 전압은 2,5V보다 작을 수 없기 때문에 트랜지스터 VT2의 이미 터 전압은 효과적으로 닫힐 수 있도록 약간 높아야합니다. 따라서 다이오드 VD1 및 VD2를 통해 출력 전압의 일부가 트랜지스터 VT2의 이미 터에 적용됩니다.

저항 R5는 조정 트랜지스터 VT3의 기본 전류를 제한합니다. 따라서 보호 동작 전류는 저항에 따라 달라집니다. 이 저항의 저항이 감소함에 따라 전류 값이 증가합니다.

출력 단락의 경우 시작 노드 VT1의 트랜지스터가 열리고 저항 R2를 통해 흐르는 전류로 포화됩니다. 과부하 전류는 저항 R1의 저항에 의해 결정되므로 실제로 온도에 의존하지 않습니다. 과부하 동안 트랜지스터 VT1의 베이스 전압은 음극선에 비해 0,5V를 초과하지 않습니다. 이 수준은 트랜지스터 VT2를 연 다음 트랜지스터 VT3을 여는 데 충분하지 않습니다. 따라서 과부하 모드에서는 전류가 흐르지 않고 가열되지 않습니다. 컬렉터-에미 터 섹션의 작은 전압 강하로 인해 시작 노드의 트랜지스터 VT1이 매우 약간 가열됩니다.

과부하의 원인을 제거한 후 스태빌라이저의 출력에 전압이 나타나 트랜지스터 VT1의 베이스와 트랜지스터 VT2의 베이스에서 전압이 증가합니다. 먼저 트랜지스터 VT2가 열리고 트랜지스터 VT3이 열리고 스태빌라이저가 시작됩니다. 스태빌라이저 출력의 전압이 공칭 레벨에 도달하면 DA1 칩이 열리고 VT2 트랜지스터가 부분적으로 닫히고 VT1 트랜지스터가 완전히 닫힙니다.

트랜지스터 VT2 및 VT3을 다이어그램에 표시된 것보다 훨씬 낮은 주파수로 교체하면 DA1 칩의 핀 3과 1 사이에 수백 피코패럿 용량의 커패시터를 연결하여 생성을 방지할 수 있습니다.

트랜지스터 VT1 및 VT2의 이미 터 접합부에서 역 전압 펄스가 가능하며 진폭은 스태빌라이저의 출력 전압에 비례합니다. 따라서 극단적인 경우 GT705D(VT1)는 예를 들어 KT10A에서 최소 859V의 역 전압을 견딜 수 있는 이미 터 접합이 있는 다른 시리즈의 트랜지스터로 교체할 수 있습니다.

저자: S.Kanygin, Kharkov, 우크라이나

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