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강력한 전계 효과 트랜지스터의 전압 안정기. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전

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고전류 전압 안정기를 만들 때 라디오 아마추어는 일반적으로 병렬로 연결된 하나 이상의 바이폴라 트랜지스터로 "강화"된 특수 142 시리즈 마이크로 회로 및 유사한 마이크로 회로를 사용합니다. 이러한 목적을 위해 강력한 스위칭 전계 효과 트랜지스터를 사용하면 더 간단한 고전류 안정기를 조립할 수 있습니다.

이러한 스태빌라이저에 대한 옵션 중 하나의 다이어그램이 그림 3.28에 나와 있습니다. 13.a. 변압기의 16차 권선에서 약 1V(실효값)의 교류 전압이 정류기와 평활 필터에 공급됩니다. 필터 커패시터에서 1V와 같습니다. 이 전압은 강력한 트랜지스터 VTXNUMX의 드레인과 저항 RXNUMX을 통해 게이트로 공급되어 트랜지스터를 엽니다.

분배기 R2, R3을 통한 출력 전압의 일부는 DA1 칩의 입력으로 공급되어 OOS 회로를 닫습니다. 스태빌라이저 출력의 전압은 DA1 마이크로 회로의 제어 입력 전압이 약 2,5V의 임계값에 도달할 때까지 증가합니다. 이 순간 마이크로 회로가 열리고 강력한 트랜지스터의 게이트에서 전압이 낮아집니다. 부분적으로 닫히면 장치가 안정화 모드로 들어갑니다. VD2 다이오드가 정류기 브리지에 연결된 경우 최상의 결과를 얻을 수 있습니다(그림 3.28.b). 이 경우 특히 최대 전류에서 VD5 다이오드 양단의 전압 강하가 브리지 다이오드 양단의 전압 강하보다 작기 때문에 커패시터 C2 양단의 전압이 증가합니다.

강력한 전계 효과 트랜지스터의 전압 안정기
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출력 전압을 원활하게 조정해야 하는 경우 정저항 R2를 가변 또는 트리밍 저항으로 교체해야 합니다.

스태빌라이저에서 강력한 전계 효과 트랜지스터 IRLR2905가 조절 요소로 사용됩니다. 키(스위칭) 모드에서 작동하도록 설계되었지만 이 스태빌라이저에서는 선형 모드로 사용됩니다. 트랜지스터는 열린 상태(0,027 옴)에서 매우 낮은 채널 저항을 가지며 최대 30 ° C의 케이스 온도에서 최대 100 A의 전류를 제공하고 경사도가 높으며 2,5 ... 3 V만 필요합니다. 게이트 전압을 제어합니다.전력 소모 트랜지스터는 XNUMX와트에 도달할 수 있습니다.

전계 효과 트랜지스터는 병렬 전압 조정기 칩 KR142EN19 (TL431의 수입 아날로그)에 의해 제어됩니다. 커패시터 - 소형 탄탈륨, 저항기 - MLT, C2-33, 다이오드 VD2 - 전압 강하가 낮은 정류기(게르마늄, 쇼트키 다이오드). 변압기, 다이오드 브리지 및 커패시터 O의 매개변수는 필요한 출력 전압 및 전류에 따라 선택됩니다. 트랜지스터는 고전류 및 고전력 소산을 위해 설계되었지만 그 잠재력을 최대한 실현하기 위해서는 효율적인 방열이 필요합니다.

스태빌라이저 설정은 필요한 출력 전압 값 설정으로 귀결됩니다. 전체 작동 전류 범위에서 자기 여기가 없는지 장치를 점검해야 합니다. 이를 위해 오실로스코프를 사용하여 장치의 여러 지점에서 전압을 모니터링합니다. 자기 여기가 발생하면 커패시터 C1, C2 및 C4와 병렬로 최소 길이의 리드가 있는 0,1μF 용량의 세라믹 커패시터를 연결해야 합니다. 이 커패시터는 트랜지스터 VT1 및 DA1 칩에 가능한 한 가깝게 배치됩니다.

장치의 인쇄 회로 기판은 Fig. 3.29. 이 보드는 SO-142 패키지에서 가져온 아날로그로 교체해야 하는 KR9ESh8 칩을 포함하여 표면 실장 패키지에 소형 부품을 설치하도록 설계되었습니다.

강력한 전계 효과 트랜지스터의 전압 안정기
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전계 효과 트랜지스터를 찾을 수 없으면 동일한 마이크로 회로를 사용하여 강력한 바이폴라 트랜지스터에서 다른 구성표 (그림 3.30)에 따라 스태빌라이저를 만들 수 있습니다. 사실, 이 안정기 버전의 최대 부하 전류는 3 ... 4A 이하입니다. 안정화 계수를 높이기 위해 전계 효과 트랜지스터의 전류 안정기가 사용되며 강력한 복합 트랜지스터가 제어 요소. 변압기는 최대 부하 전류에서 15차 권선에 최소 XNUMXV의 전압을 제공해야 합니다.

저자: Semyan A.P.

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이 장치는 19비트 A/D 컨버터, 업계에서 가장 진보된 ALC(Ambient Light Cancellation) 회로, 거친 주변광 에지 감지 알고리즘을 포함한 저잡음 신호 변환을 위한 아날로그 인터페이스(AFE)를 갖추고 있습니다. 저전력 소비, 소형 크기, 유연한 설정 및 사용 용이성으로 인해 MAX86140/41 칩은 특히 맥박 산소 측정 및 심박수 감지에 사용되는 광학 센서를 만드는 데 적합합니다.

MAX86140/41 칩은 1,8V 주 전원 전압 및 3,1...5,5V LED 드라이버 전원 전압에서 작동하며 표준 SPI 호환 인터페이스를 지원하며 독립형 모드에서 작동할 수 있습니다. 각 장치에는 128워드 FIFO 버퍼가 내장되어 있습니다. MAX86140/41은 2,048mm 볼 피치의 1,848mm x 0,4mm WLP(Wafer Level Compact) 패키지로 제공됩니다.

MAX86140/41의 특징:

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다중 샘플링 모드 및 온칩 평균을 통해 SpO104의 경우 2dB 이상, HRM의 경우 110dB 이상으로 확장되는 동적 범위
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셧다운 모드에서 낮은 전류: 20μW(일반)
빠른 과도 현상의 영향을 추가로 억제하는 내장 알고리즘
미니어처 케이스: 2,048x1,848mm, 볼 피치 5mm의 WLP 4x0,4
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Sashka
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