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라디오 전자 및 전기 공학의 백과사전 간단한 강력한 전압 안정기. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전
DC 전압 안정기(SV)의 회로 설계는 매우 다양합니다. 일반적으로 이러한 장치의 특성이 좋을수록 설계가 더 복잡해집니다. 초보자에게는 회로 설계가 간단한 전압 안정기가 가장 적합합니다. 제안된 옵션은 그림 1의 안정기 회로를 기반으로 합니다. 회로가 극도로 단순함에도 불구하고 작동 신뢰성이 매우 높습니다.
이러한 CH는 다양한 상황에서 사용해야 했습니다. 이는 부하 전류 제한이 있는데, 이는 추가 요소 없이 작업할 수 있기 때문에 매우 유리합니다. 부하의 최대 전류는 저항 R3의 저항에 의해 결정됩니다. 이 저항의 저항이 감소하면 단락 전류(Is.c.)의 크기가 증가하고, 반대로 이 저항의 저항이 증가하면 Is.c.s.가 감소하므로 Is.c.s가 감소합니다. 최대 작동 전류 MV(보통 이 전류는 (0,5. 0,7...3)Ikz 이내). 저항 RXNUMX의 단자가 단락되면 전류 Is.c.의 크기에는 뚜렷한 제한이 없으므로 이 경우 MV 부하의 단락(단락)으로 인해 MV 트랜지스터가 손상됩니다. 이 작동 모드는 더 이상 고려하지 않습니다. Ic.c 전류를 선택할 때 트랜지스터 VT2의 안전 동작 영역(ROA)에 따라 결정됩니다. 따라서 단 11개의 부품으로 조립된 SV는 최대 수 암페어의 전류 소비로 다양한 장비에 전원을 공급하는 데 사용할 수 있습니다. 따라서 그림 1에 따른 SN의 장점은 다음과 같습니다. 1) 가변 저항 R1를 사용하여 출력 안정화 전압을 거의 2에서 제너 다이오드 VD2 및 VD2의 안정화 전압까지 신속하게 조정하는 기능; 3) 전류 Is.c를 변경하는 기능(이를 위해서는 R3 대신 470Ω 저항을 갖는 PP3 유형의 권선형 가변 저항기를 설치하는 것으로 충분합니다) 4) 회로 시동 용이성(다른 MV 회로에서 자주 필요한 특수 시동 요소가 필요하지 않음) XNUMX) 간단한 방법으로 SN의 특성을 획기적으로 향상시키는 능력. 또 다른 중요한 상황. 강력한 조절 트랜지스터 VT2의 컬렉터가 CH의 출력(양극 버스)에 연결되어 있으므로 이 요소를 전원 공급 장치(PSU)의 금속 본체에 직접 고정할 수 있습니다. 이 방식을 사용하여 양극성 SN을 구성하는 것은 어렵지 않습니다. 이 경우 네트워크 변압기와 정류기의 별도 권선이 필요하지만 두 MV 암의 강력한 트랜지스터 수집기를 전원 공급 장치 섀시에 설치할 수 있습니다. 이제 SN의 극도의 회로 단순성으로 인해 나타나는 단점에 대해 설명합니다. 주요한 것은 일반적으로 수십을 초과하지 않는 전압 안정화 계수 (VSR)의 낮은 값입니다. 리플 억제 계수도 낮습니다. CH의 출력 저항에 대한 결정적인 영향은 트랜지스터 VT1 및 VT2의 적용된 인스턴스의 기본 전류 전달 계수에 의해 발휘됩니다. 또한 출력 임피던스는 부하 전류에 크게 의존합니다. 따라서 이 SN에는 최대 이득을 갖는 트랜지스터를 설치해야 합니다. 불편한 점은 출력 전압을 0,6이 아닌 약 XNUMXV에서 조정할 수 있다는 것입니다. 그러나 대부분의 경우 이는 중요하지 않습니다. 시장에는 회로 측면에서 매우 "속임수"인 강력한 PSU를 선택할 수 있으므로 비용이 많이 들고 수리하는 데 많은 시간이 필요합니다. 그림 1에 따른 SN 회로를 사용하면 수리 작업은 물론 제조에도 많은 시간과 비용을 들이지 않고도 저전력 전원 공급 장치와 간단한 실험실 전원 공급 장치를 모두 만들 수 있습니다. 그림 1에 따라 SN을 간단히 수정하면 이 장치의 매개변수를 크게 향상시킬 수 있습니다. 우선, 파라메트릭 전압 안정기 회로(요소 R1, VD1, VD2)를 현대화하고 예를 들어 Darlington 회로에 따라 복합 트랜지스터를 사용해야 합니다. KT825와 같은 Superbeta 트랜지스터가 매우 적합합니다(2T825를 사용하는 것이 더 좋습니다). 복합 트랜지스터에 대한 CH의 출력 저항은 감소하고 0,1 Ohm을 초과하지 않습니다. (그림 1 회로의 단일 트랜지스터의 경우 출력 저항은 0,3...1 A의 부하 전류 범위에서 5 Ohm 이상입니다. ), KT825 트랜지스터를 사용할 때 출력 저항은 0,02...0,03 A의 부하 전류 범위에서 3...5 Ohm까지 감소될 수 있습니다. CH에 KT825 유형의 트랜지스터를 설치할 때 제한 저항 R3의 저항을 높이는 것이 필수적입니다. 이것이 완료되지 않으면 Ik.z의 값은 사실상 무제한이 되며 부하에 단락이 발생하면 KT825 트랜지스터가 작동하지 않게 됩니다. 이러한 현대화를 통해 이 MV 회로는 모든 종류의 UMZCH, 수신기, 테이프 레코더, 라디오 방송국 등에 전원을 공급하는 데 탁월합니다. KT825 트랜지스터를 사용할 수 없는 경우 그림 2의 회로에 따라 SN을 만들 수 있습니다. 주요 차이점은 하나의 KT816 트랜지스터를 추가하고 저항 R4의 저항을 여러 번 증가시키는 것입니다.
이 회로는 인쇄 회로 기판에 구멍을 뚫을 때 미니 전기 드릴에 전원을 공급하는 데 사용할 수 있습니다. 따라서 안정화된 출력 전압의 가능한 전체 조정 범위가 사용되지 않고 12...17V 내의 섹션만 사용됩니다. 이 범위에서는 드릴 모터 샤프트의 최적의 전력 조정이 보장됩니다. 저항 R3은 가변 저항 R1의 모터와 흑연 코팅 사이의 접촉이 끊어진 경우 베이스가 꺼진 상태에서 트랜지스터 VT2이 작동할 가능성을 제거합니다. 권선 저항 R2를 사용하는 것도 가능하며 이러한 저항은 흑연 저항보다 내구성이 더 좋습니다. R4 = 20kOhm의 전류 Ik.c는 5A, R4 = 10kOhm - 6,3A, R4 = 4,7kOhm - 9A입니다. 두 개의 KT8102 트랜지스터를 병렬로 연결하면 (그림 3) R4 = 4,7kOhm Ik.z = 10A입니다. 따라서 회로에 추가 KT816 트랜지스터를 포함하면 특성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 CH뿐만 아니라 VD4 요소, R4 및 VT1을 통한 전류도 감소합니다. 후자의 경우에는 KT1D(E)와 같이 전류 전달 계수가 높은 트랜지스터를 VT3102로 사용할 수 있습니다. 그리고 이는 결국 SN의 작업 품질을 향상시킬 것입니다. 예를 들어 저항 저항이 R3 = 75Ω인 경우 그림 1의 CH의 전류 값은 Ik.c = 5,5A이고 R3 = 43Ω Ik.c = 7A 등입니다. 보시다시피 전류 제한 저항 Ik.c의 저항은 높은 부하 전류에 비해 너무 낮은 저항으로 나타납니다. 이 경우 CH의 효율이 감소하고 저항 R3의 과열이 발생하며 CH의 다이오드 VD3을 통한 상당한 전류가 발생합니다.
파라메트릭 안정기(그림 1 및 1 회로의 요소 R2, VD1, VD2)의 회로를 변경하면 SN 특성을 더욱 향상시킬 수 있습니다. 이 장치의 매개변수는 그림 4의 다이어그램에 따라 개선될 수 있습니다. 안정적인 전류 생성기(GCT)가 트랜지스터 VT1에 조립됩니다. 트랜지스터 VT1은 공통 베이스 회로에 연결되어 있기 때문에 회로는 고주파수에서 자기 여기되기 쉽습니다. 제너 다이오드 VD3 및 VD4를 분류하는 커패시터가 없기 때문에 자체 여기도 촉진됩니다. 따라서 이러한 커패시터는 그림 4(C1)의 회로에 도입됩니다. 도 4의 스킴에 대한 측정 결과는 표 1에 주어진다.
표 1
그림 5에는 보다 발전된 회로가 나와 있으며 이에 대한 측정 결과는 표 2에 나와 있습니다.
표 2
회로가 약간 복잡해졌음에도 불구하고 SSC의 개선이 매우 컸다는 것을 쉽게 알 수 있습니다. 가장 단순한 GTS 회로의 단점은 전류 안정화 계수가 낮다는 것입니다(특히 바이폴라 GTS 옵션의 경우에 해당됩니다). 그리고 이는 우선 기준 전압의 불안정성 때문입니다. 제너 다이오드 VD1의 안정화 전압(RE 4/5의 그림 9 및 2001 참조). 실제로 Uin이 변경되면 제너 다이오드 VD1을 통과하는 전류도 변경되며 이는 필연적으로 제너 다이오드 VD1의 전압 변경으로 이어집니다. 후자의 상황은 확실히 GTS 전류의 변화와 물론 ION 출력의 전압(요소 VD2, VD3 - 그림 4 및 VD3, VD4 - 그림 5)의 변화를 유발합니다. 이 현상은 회로를 따라 더 멀리 전달되어 안정 장치의 VS가 급격히 감소합니다. 그림의 다이어그램에 따른 ION. 5는 이미 두 개의 별도 GTS로 구성되어 있습니다. 두 번째는 전계 효과 트랜지스터 VT2에 조립됩니다. 이 GST는 제너 다이오드 VD1을 통해 전류를 안정화하여 실질적으로 제너 다이오드 VD2의 전압 변화를 제거합니다(표 2 참조). 이를 통해 이 ION의 SCV가 급격히 증가합니다. 제너 다이오드 VD818는 전압 Uin이 증가함에 따라 회로의 신뢰성을 높입니다. 또한 ION 회로에 또 다른 "필드 스위치"를 포함시켜 D6E 제너 다이오드를 통한 전류 안정화를 달성했습니다(그림 1). 이 전계 효과 트랜지스터는 트랜지스터 VTXNUMX의 이미 터 회로에 포함되어 전류 안정성을 여러 번 증가시킵니다.
사양에 따라 818mA와 동일한 D10E 제너 다이오드를 통한 전류를 사용하면 ION 전압의 열 안정성이 가장 좋습니다. 간단한 ION 회로 세트를 사용하면 매우 우수한 특성과 가장 중요한 가격 대비 품질 비율이 높은 전원 공급 장치 설계를 매우 빠르게 조립할 수 있습니다. 간단한 실험실 전원 공급 장치의 다이어그램이 그림 7에 나와 있습니다. XNUMX.
전원 공급 장치에는 네트워크에 대한 "소프트" 연결을 위한 장치가 포함되어 있습니다. 이 경우 값 비싼 전원 공급 장치 요소 (주 변압기, 필터 커패시터 및 정류기 다이오드)의 서비스 수명에서 확실히 이점을 얻습니다. 후자는 저렴한 가격 범주에 속하지만 "출발"은 다른 라디오의 고장 가능성을 수반합니다 구성 요소). 전원 공급 장치가 네트워크에 연결되면 강력한 저항 R1의 저항을 통해 네트워크 변압기 T2이 켜집니다. 이는 T1, C3, VD1 - VD4 요소를 통한 전류 서지를 크게 줄입니다. 몇 초 후 릴레이 K1이 활성화되고 해당 접점 K1.1이 저항 R2를 닫습니다. 이제 전원 공급 장치의 작동 준비가 완전히 완료되었습니다. "소프트" 발사 회로는 R1, R2, VD5-VD8, VD9, C2 및 K1 요소에 조립됩니다. T1을 네트워크에 연결하는 지연 시간은 전해 커패시터 C2의 커패시턴스와 릴레이 권선 K1의 직류 저항에 의해 결정됩니다. 이러한 요소의 커패시턴스와 저항이 증가하면 시간 지연이 증가합니다. 저항 R1은 커패시터 C1과 다이오드 브리지 VD5-VD8을 통한 안정적인 전류 제한기입니다. 제너 다이오드는 커패시터 C2와 릴레이 K1을 이러한 요소의 긴급 전압 증가로부터 보호합니다(예를 들어 제너 다이오드 없이 릴레이 K1의 권선이 끊어지면 커패시터 C2는 급격한 증가로 인해 분명히 고장 위험에 처하게 됩니다). 단자의 전압). 다른 모든 CH 노드는 이미 위에서 설명했으므로 설명이 필요하지 않습니다. 세부 사항에 대해. 이 전원 공급 장치 및 기타 유사한 설계에서는 최대 컬렉터-이미터 전압(Uke) 값이 명확하게 감소된 KT8102 트랜지스터를 사용했습니다. Ukemax 값은 이 목적을 위해 특별히 설계된 측정기로 측정되었습니다[1]. UMZCH용으로 KT8102 트랜지스터를 선택했는데 아쉽게도 구입한 트랜지스터 중 대부분이 Ukemax를 줄인 표본이었습니다. 전원 공급 장치에 설치된 것은 이러한 "화"트랜지스터였습니다. 이 전원 공급 장치의 회로에서는 Ukemax≥35V(항상 최소 마진이 있어야 함)의 강력한 트랜지스터를 사용할 수 있습니다. KT816 트랜지스터 대신 KT814를 설치할 수 있습니다. KT801 유형의 트랜지스터는 Uke≥30 V 및 Ik≥0,1 A인 실리콘 트랜지스터로 대체할 수 있습니다. 트랜지스터 VT2 - 문자 인덱스 또는 KT3107(B, T, E)이 있는 KT361. 전계 효과 트랜지스터 유형 2P303D(KP 303D)는 초기 드레인 전류(Is.init) ≥3mA를 갖는 이 시리즈(V, G, D, E, I)로 대체될 수 있습니다. 전계 효과 트랜지스터를 사용하지 않기로 결정했다면 그림 8의 회로에 따라 ION을 사용하는 것이 좋습니다. 이 회로에서 제너 다이오드 VD1의 전압은 트랜지스터 VT2에 조립된 두 번째 GTS에 의해 안정화됩니다.
저항기 R2 및 R3은 기생 방지 저항기입니다. KS133 제너 다이오드 대신 KS147 또는 5-7개를 설치할 수 있습니다. 실리콘 다이오드의 직렬 연결 인스턴스(예: KD521, 522, D220, D223 등) 다이오드 수를 줄일 수 있지만 동시에 KT3107K 트랜지스터의 이미터 회로에 있는 전류 안정화 저항의 저항을 줄여야 합니다. 그리고 이로 인해 GTS 전류의 안정성이 저하됩니다. KS133 대신 AL307형 직렬연결 LED 818개가 설치됐지만 다른 것도 가능하다. 이 GTS 회로에서는 이를 통과하는 전류가 안정화되므로 전압도 안정적입니다(아직 온도 효과에 대해서는 언급하지 않았습니다). 그러나 D814E 제너 다이오드를 D818 및 이와 유사한 다른 다이오드로 교체하면 이온의 열 안정성이 저하됩니다. 따라서 온도 전압 계수(TCV)가 낮은 DXNUMXE 유형의 제너 다이오드가 선택되었습니다. TKN에 대한 특별한 요구 사항이 없으면 매우 광범위한 제너 다이오드를 회로에 사용할 수 있습니다. 제너 다이오드 VD11은 D814 A(B), KS175 등으로 대체 가능하며, VD9는 D816V로 대체 가능합니다. 실리콘 다이오드 D223을 유사한 다이오드로 교체하십시오. 강력한 정류기 VD1-VD4의 다이오드를 Uarb≥100V의 다른 다이오드(예: KD213)로 교체하십시오. 이 다이오드는 XNUMX개의 방열판(하나의 라디에이터에 XNUMX개의 다이오드)에 설치되었습니다. 두 개의 작은 방열판의 면적은 16cm2(AL, 40x40mm)이고 세 번째 방열판은 32cm2(80x40mm)입니다. 브리지 다이오드 VD5-VD8 - Uobr ≥ 400V 및 Idirect ≥ 0,3A인 모든 것(예: KTs401G, KU402(A, B, V, G, I), KTs405(A, B, V, G, I) , KTs407A) , 등. 가변 저항 R4, R10 및 R11 - 모든 유형. 이 저항의 값을 변경하는 것은 상당히 허용됩니다 (R4의 경우 - 2,2kOhm으로 감소). 저항 R4의 저항이 감소함에 따라 GTS 전류는 증가해야 합니다. 저항 R13 및 R14를 사용하면 Isc 전류의 필수 값을 설정할 수 있습니다. 강력한 권선 이미터 저항기 R5-R7은 약 0,056 Ohm/cm의 선형 저항을 갖는 니크롬 와이어로 만들어집니다. 강력한 권선 저항기 유형 PEV-10. 예를 들어 MLT-2W(저항이 5...6kOhm인 3-3,3개 부품 등)의 병렬 연결로 대체할 수 있습니다. 릴레이 - RKM1, 버전 RS4-503.861, DC 권선 저항 - 500Ω. 그림의 다이어그램에서. 사용된 커패시터 7개: C1, C4, C6 - 유형 K73-17; C2 - K50-16; C3 - K50-18; C5, C7 - K50-12. 회로의 특히 중요한 위치에서 "전해질"은 비전해질 커패시터로 분류됩니다. 전원 공급 장치가 RF 장치에 전원을 공급하는 데 사용되는 경우 운모 커패시터(KSO)와 같은 추가 커패시터를 사용하여 MV 출력을 바이패스하는 것이 좋습니다. 물론, 이 전원 공급 회로의 모든 커패시터는 적절한 매개변수를 가진 모든 유형이 될 수 있습니다. 변압기 T1에 대해. 되감은 TS-200이 네트워크 변압기로 사용되었습니다. 22차 권선의 전압은 2V이고 와이어는 직경 1,45mm의 PEV-0,23입니다. .U 퓨즈는 직접 제작한 것입니다. 이는 ∅ 30mm 및 XNUMXmm 길이(납땜)의 단일 코어 구리 도체(일반 와이어 사용 가능) 조각으로 만들어집니다. 기존 UEMI-8102 앰프의 표준 라디에이터가 KT50 트랜지스터의 방열판으로 사용되었습니다. 필요한 방열판 면적(≥ 2000 cm2)이 없는 경우 다음과 같이 진행하십시오. 판금(두랄루민 또는 알루미늄)을 사용하여 전원 공급 장치 하우징을 제조했습니다. 케이스 크기가 40x20x11cm인 경우 상단 착탈식 덮개만 냉각 표면의 크기는 약 1240cm2입니다. 이 방열판은 매우 효과적입니다. 트랜지스터 중 하나는 케이스 하단(하단, 섀시)에도 부착되어 있습니다. 강력한 트랜지스터는 서로 멀리 떨어져 장착됩니다. 두 개가 있는 경우 상체의 전체 길이(이 경우 62cm)를 20등분합니다. 이 강력한 트랜지스터는 802cm 거리에 있습니다(동일한 라인과 케이스 중간 부분). 전원 회로의 모든 반도체 소자와 전해 콘덴서의 극성을 반대로 변경함으로써 KT803, KT805, KT808, KT812, KT5 등의 강력한 공통 N-PN 트랜지스터를 탑재하는 것이 가능해집니다. 이는 바이폴라 전원 공급 장치를 설계해야 할 때 수행됩니다. 전압계와 전류계는 다이어그램에 표시되지 않습니다. 1A 이상의 MV 부하 전류가 필요한 경우(이러한 모드에서 전원 공급 장치의 장기간 작동을 의미) TS-270(TSA-270)이 변압기 T1,82로 사용됩니다. 6차 권선은 직경 8mm의 와이어로 감겨져 있어 변압기에서 12-20A 이상(최대 XNUMXA)의 전류를 "당길" 수 있으며 Is.c를 선택합니다. = XNUMXA. 나아지는 것에 대해. 오류 없이 서비스 가능한 무선 구성 요소로 조립된 전원 공급 장치 설계는 네트워크에 연결된 후 즉시 작동합니다. 저항 R3 및 R9의 필요한 저항만 선택하면 됩니다. 그 중 첫 번째가 GTS 전류를 결정합니다. 제너 다이오드 VD12 및 VD13을 통한 전류를 10mA로 설정해야 합니다. 저항 R9는 전류 Is.c를 설정합니다. 5-10A 이내. KT8102의 일부 복사본은 자체 여기(특히 "스위핑" 설치 중)되기 쉽습니다. 오실로스코프를 CH 출력에 연결하면 생성 여부가 감지됩니다. 이 경우 커패시터 C6 및 C7은 CH에서 일시적으로 밀봉됩니다. 작동하는 HF 회로는 이들 요소 없이는 활성화되지 않지만 HF에서 생성이 발생하면 이러한 요소가 없으면 감지하기가 더 쉽습니다. 생성 트랜지스터의 기본 회로(일반적으로 VT3-VT5 트랜지스터 중 하나)에는 저항이 5-10Ω인 저저항 저항이 포함되어 있거나 인덕턴스가 있는 초크가 더 좋습니다. 60μHz 이상. 베이스 회로의 저항이 과도하면 MV 성능이 저하됩니다(Rout이 증가함). 이 전원 공급 장치의 인쇄 회로 기판은 그림 9에 나와 있습니다. 10, 인쇄 도체 측면 - 그림 XNUMX.
보드에는 트랜지스터 VT1 및 VT2를 통해 전류를 측정하기 위해 특별히 설계된 두 개의 기술 점퍼가 있습니다(인쇄된 도체를 절단할 필요가 없음). "소프트" 스위칭 회로의 인쇄 회로 기판이 그림 11에 나와 있습니다. 12과 XNUMX.
릴레이는 보드 외부에 있습니다. 설치로 인한 Rout 증가를 방지하기 위해 CH 출력의 마이너스 단자로 연결되는 전선은 커패시터 C3의 마이너스 플레이트에 직접 납땜됩니다. 이 핀 C3은 별도의 도체를 사용하여 CH 회로에 납땜됩니다. 이 커패시터의 용량을 선택할 때 각 부하 전류 암페어당 1000-2000μA라는 규칙을 따릅니다. 커패시터 C6 및 C7은 전원 공급 장치 출력 단자의 접점 로브에 직접 납땜됩니다. SN 현대화 가능성에 대해. 가장 중요한 것은 SV의 성능을 향상시키기 위해서는 ION과 SV에 별도의 전원 공급 장치가 필요하다는 것입니다. 이 경우 자체 정류기가 있는 별도의 권선(또는 변압기)이 사용됩니다. 이를 통해 ION 및 전체 CV 회로의 VS를 증가시킬 수 있을 뿐만 아니라 강력한 정류기의 권선 II 권선 수를 줄일 수 있습니다. 이는 16,7V CH의 출력 전압이 II 권선의 전압에서 달성되기 때문입니다. 1V의 변압기 T17,5. 이는 VT3VT5 제어 트랜지스터의 전력을 언로드합니다. 5A의 부하 전류로 SV를 장기간 작동하는 동안 강제 냉각도 사용됩니다(소형 팬으로 불어내기). 특히 방열판이 천공된 전원 공급 장치 하우징 내부에 있는 경우 더욱 그렇습니다. 저항 R4에 대한 스위칭 및 "바인딩"과 함께 권선 II의 탭을 사용할 수 있지만 실습에서 알 수 있듯이 이는 전원 공급 장치를 작동할 때 매우 불편합니다. 그런데 GTS 회로의 전계 효과 트랜지스터를 병렬로 연결하여 필요한 GTS 전류를 얻을 수 있으므로 이러한 와이어를 선택하는 데 방해가 되지 않습니다. ION 회로를 사용하면 매우 좋은 결과를 얻을 수 있습니다. 그림 8에서는 저항 R1과 R4가 GST로 대체되었습니다. 6(이미터 GTS - VT3). 이 경우 제너 다이오드 VD1(KS133D, 그림 8)이 D818E로 교체되고 Uin이 35V 이상으로 증가됩니다. 파라메트릭 전압 안정기의 가장 간단한 회로(일반적인 구조 - 트랜지스터 - 제너 다이오드 - 저항기 - XNUMX개의 커패시터)에서 이 ION의 입력에 안정화된 전압이 공급됩니다. 위에서 설명한 수십 대의 SV는 수년 동안 운영되어 다양한 RES에 전력을 공급할 때 신뢰성이 입증되었습니다. 문학 :
저자: A.G. Zyzyuk
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