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시동 충전기(ROM)는 추운 계절에 6~24V 배터리를 충전하고 승용차 엔진을 시동하도록 설계되었습니다.

ROM은 단상 및 1상 AC 네트워크의 전압을 조절하도록 설계된 디지털 전력 조정기[XNUMX]의 현대화된 버전입니다.

ROM 기술 데이터:

입력 전압, V.......12-100
주파수, Hz.......50
출력 전류, A, ........... 30 이상
허용 과부하 전류, A ....... 300
과부하 전류 지속 시간, s, 이하.......0,25
출력 전압 - DC 전압
입력 전압 조정 범위(입력 전압 대 출력 전압의 비율).......1:10
입력전압 설정방법......가변저항기의 저항값 변경
부하 회로에 단락 방지 기능이 있는지 ....... 예
단락 존재에 대한 신호 발행 지연 (단락이 발생한 순간부터 부하 연결을 끊기 위해 신호를 발행하는 데 걸리는 시간), s, ....... 0,003 이하

ROM의 작동은 위상 조절 원리를 기반으로 합니다. ROM의 개략도는 그림 1에 나와 있습니다.

(확대하려면 클릭하십시오)

계획에는 다음이 포함됩니다.

안정화된 전원 공급 장치(다이오드 VD1-VD4, VD9, VD10, 커패시터 C1, C3, 저항 R7 및 트랜지스터 VT2);
동기화 장치(K1TL1 마이크로 회로에서 만들어진 트랜지스터 VT3, 저항기 R6/R4/R1.3, 커패시터 C1.4 및 요소 D561 및 D1);
펄스 발생기(요소 D1.1, D1.2, 저항 R2, R4, R5 및 커패시터 C2);
펄스 카운터(마이크로 회로 D2 K561IE16);
전력 증폭기(트랜지스터 VT3, 저항 R8 및 R9);
전원 장치(광커플러 사이리스터 모듈 VS1 MTO-80, VS2, 전력 다이오드 B-50 VD5-VD8, 션트 R10, 계측기 - 전류계 및 전압계);
단락 감지 장치(트랜지스터 VT4, 저항 R11R14).

간단한 스타터 충전기

ROM은 다음과 같이 작동합니다. 브리지 출력 (다이오드 VD1-VD4)에 전압이 가해지면 반파 전압이 나타나고 (그림 1의 그래프 2) VT1-D1.3.-D1.4 회로를 통과 한 후, 양극성 펄스로 변환됩니다(그림 2의 그래프 2). 카운터 D2에 대한 이러한 펄스는 1.1 상태로의 재설정 신호입니다. 리셋 펄스가 사라진 후 생성기 펄스(D1.2, D2)는 카운터 D64에 합산되고 숫자 6에 도달하면 최소 10의 지속 시간으로 카운터 출력(핀 3)에 펄스가 나타납니다. 발전기 펄스 주기(그래프 2, 그림 XNUMX).

이 펄스는 사이리스터 VS1을 열고 전압은 ROM의 출력에 나타납니다(그림 4의 그래프 2). 전압 조정의 한계를 설명하기 위해 그림 5의 그래프 2는 거의 전체 출력 전압을 설정하는 경우를 보여줍니다.

주파수 설정 회로의 매개변수(그림 2의 저항 R4, R5, R2 및 커패시터 C1)를 사용하면 사이리스터 VS1의 개방 각도는 17(f = 70kHz) 160(f = 7kHz) 전기 각도 내에 있습니다. 이는 0,1 차수 입력 값의 출력 전압의 하한을 제공합니다. 생성기 출력 신호의 주파수는 식 [2]에 의해 결정됩니다.

f=450/(R4+R5)С2,

여기서 치수 f는 kHz입니다. R - kOhm; C-nF.

필요한 경우 ROM을 사용하여 AC 전압만 조절할 수 있습니다. 이렇게 하려면 다이오드 VD1-VD5의 브리지를 회로에서 제외해야 하며(그림 8), 사이리스터는 연속적으로 연결되어야 합니다(그림 1에서는 점선으로 표시됨).

이 경우 회로(그림 1)를 사용하면 출력 전압을 20~200V로 조절할 수 있지만 출력 전압은 정현파와는 거리가 멀다는 점을 기억해야 합니다. 전기 가열 장치 또는 백열등 만 소비자 역할을 할 수 있습니다. 후자의 경우 저항 R20를 사용하여 전압을 200V에서 5V로 변경하면 램프를 원활하게 켤 수 있으므로 램프의 수명을 크게 늘릴 수 있습니다.

ROM 설정은 단락 전류에 대한 보호 수준을 조정하는 것입니다. 이렇게 하려면 A 지점과 B 지점 사이의 점퍼를 제거하고(그림 1) B 지점에 +Up 전압을 일시적으로 적용합니다. 저항 R14의 슬라이더 위치를 변경하여 트랜지스터 VT1가 열리는 전압 레벨(그림 4의 C 지점)을 결정합니다.

암페어 단위의 보호 작동 수준은 다음 공식으로 결정할 수 있습니다.

I=k/R10,

여기서 k=Up/Ut.c., Up - 공급 전압; 미국 - VT4가 트리거되는 지점 C의 전압; R10 - 션트 저항.

결론적으로 우리는 작업에 ROM을 포함하는 절차를 권장하고 구성 요소, 공차 및 제조 기능의 가능한 교체에 대해 알릴 수 있습니다.

D1 칩은 K561LA7 칩으로 교체할 수 있습니다. 초소형 회로 D2 - 초소형 회로 K561IE10, 두 카운터를 직렬로 연결합니다.
MLT 유형 회로의 모든 저항은 0,125W입니다. 단, 저항 R8은 예외로 최소 1W여야 합니다. 저항 R8을 제외한 모든 저항과 모든 커패시터의 허용 오차는 ±30%입니다.
션트(R10)는 총 단면적이 최소 6mm2(총 직경 약 3mm, 길이 1,31,5mm)인 니크롬으로 만들 수 있습니다.

다음 순서로만 ROM을 작동하십시오. 부하를 끄고 저항 R5를 필요한 전압으로 설정하고 ROM을 끄고 부하를 연결하고 필요한 경우 저항 R5를 사용하여 전압을 필요한 값으로 높입니다. 전압계가 없는 경우, 추운 계절에 배터리 충전 및 엔진 시동에만 ROM을 사용하는 경우 DC 전압의 LED 표시를 설명하는 기사 [3]의 권장 사항을 사용할 수 있습니다.

문학 :

Kalashnik V. 디지털 전력 조정기 // Radio.-1991.- No. 1.-S. 60-61.
Zeldin E. 정보 및 측정 장비의 디지털 집적 회로.-L.: Energoatomizdat, 1986.
광 전압 표시기 // Radio.-1984.-№12.-S.25-26

저자: V. Khizhnyak

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