라디오 전자 및 전기 공학의 백과사전 스위칭 전압 조정기, 8-60/5볼트 2암페어. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전 이 스태빌라이저는 회로 단순성과 높은 안정화 및 효율 계수 값에서 유사한 스태빌라이저와 다릅니다. 널리 사용되는 K155LAZ 칩(또는 이와 동등한 칩)을 사용합니다. 이 스태빌라이저는 디지털 장치에 전원을 공급하는 데 사용되었으며 다양한 디지털 장치 제조에는 항상 두 개의 추가 인버터가 있습니다. 스태빌라이저(그림 5.13)는 실행 장치(R3, VD1, VT1, VD3), 예시적인 전압 소스 및 비교 장치(DD1.1, R1), DC 증폭기(VT2, DD1.2, VT5)와 같은 기능 장치로 구성됩니다. ), 트랜지스터 스위치(VT3, VT4), 스위칭 다이오드(VD2, L2) 및 필터가 있는 유도 에너지 저장 장치 - 입력(L1, C1, C2) 및 출력(C4, C5, L3, C6). 주요 기술 특성 :
안정기의 인쇄 회로 기판은 그림 5.14에 나와 있습니다. XNUMX. 전원이 켜지면 이미 터 팔로워가있는 파라 메트릭 전압 안정기 인 시동 장치가 작동합니다. 트랜지스터 VT1의 이미 터에는 약 4V의 전압이 나타나고 안정기 출력에는 아직 전압이 없으므로 VD3 다이오드가 닫힙니다. 그 결과, 예시적인 전압 소스 및 DC 증폭기가 턴온된다. 트랜지스터 키는 여전히 닫혀 있습니다. DD1.1 요소의 공급 전압이 5V 미만이므로 출력에 높은 논리 레벨이 설정되고 스위칭 펄스의 가파른 전면이 DC 증폭기의 출력에 형성됩니다. 이 전면은 빠르게(약 30ns 이내) 전자 스위치를 열어 전류를 유도 에너지 저장 장치로 전달하기 시작합니다. 스위치를 통과하는 전류와 커패시터 C4를 통과하는 전압은 순조롭게 증가합니다. 이 전압이 제너 다이오드 VD1의 전압을 초과하자마자 VD3 다이오드가 열리고 트랜지스터 VT1이 닫힙니다. 시작 노드가 꺼지고 추가 작업에 참여하지 않습니다. 이 순간부터 스태빌라이저에서 네거티브 피드백 회로가 켜지고 작동 상태가 됩니다. 커패시터 C4의 전압은 DD1.1 요소의 출력에서 레벨 1이 0으로 변경 될 때까지 계속 증가하며 DC 증폭기는 약 200 동안 전자 키를 닫지 않는 스위칭 펄스의 강하를 생성합니다. 지금까지 전자기 에너지는 인덕터 L2에 축적되었습니다. 전자 키를 통과한 에너지의 일부가 부하에 공급됩니다. 또한, 인덕터 L2의 자기 유도 전압은 VD2 다이오드를 개방하고 이 인덕터에 축적된 에너지가 부하로 흐르기 시작합니다. DD1 마이크로 회로에 위험한 전압 서지의 진폭을 줄이기 위해 커패시터 C4의 커패시턴스는 매우 크게 선택되지만 일반적으로 수십 또는 수백 마이크로 패럿을 초과하지 않습니다. 인덕터 L2의 에너지 비축량이 소진된 후 전류는 커패시터 C4에서 부하로 흐릅니다. 잠시 후 DC 증폭기의 출력에서 \uXNUMXb\uXNUMXb다음 스위칭 펄스의 전면이 형성되고 전자 키가 다시 열리면 전압이 값으로 감소합니다. 스태빌라이저의 새로운 사이클이 시작됩니다. 모든 인덕터는 동일하며 컵 사이의 간격이 약 20mm인 2000NM 페라이트로 만든 B0,2 외장 자기 회로에 감겨 있습니다. 권선에는 20개의 PEV-2-0,41 전선 묶음의 0,2회 회전이 포함되어 있습니다. 링 페라이트 자기 회로를 사용할 수도 있지만 항상 간격이 있습니다. 깔끔한 간격을 얻을 수 없고 링이 여러 부분으로 분할된 경우 이 경우에도 필요한 간격(약 XNUMXmm)을 만들 수 있습니다. 이를 위해 완전히 건조 될 때까지 "Supercement"와 같이 접착 할 표면에 여러 층의 접착제를 적용한 다음 파편을 링에 접착합니다. 이 경우 회전 수와 와이어도 중요하지 않습니다. 스태빌라이저는 커패시터 K52-2 등을 사용했지만 항상 탄탈륨 또는 니오븀 (K50-6으로 교체하면 효율이 떨어짐); K50-6(C4 및 C6), 나머지는 KM-5 또는. KM-6. 커패시터 C2는 병렬로 연결된 세 개의 1uF 커패시터로 구성됩니다. 다이오드 VD3은 펄스형 저전력 다이오드로 대체할 수 있습니다. KT3102G 트랜지스터 대신 KT3102E, KT342V, KT373V가 적합합니다. KT608B (VT1) 대신-KT503D, KT503E 및 DC 증폭기 출력-KT608B, KT602B, KT630A.KT630G. 핵심 요소에서 트랜지스터 KT908B, 2T908A, 2T912B, KT912B를 사용할 수 있으며 효율성이 약간 저하됩니다-KT808A. KT909 시리즈의 트랜지스터를 사용하는 것은 불가능합니다. 고주파에서 키가 여기되고 전체 장치가 고장날 수 있기 때문입니다. KT802, KT803, KT805, KT819, KT827, KT829 및 KT818, KT825 시리즈의 트랜지스터도 테스트했지만 최악의 결과를 보였습니다 (마지막 두 경우에는 그에 따라 키 회로가 변경됨). 사용된 모든 부품을 주의 깊게 점검해야 합니다. 튜닝 저항 R1을 보드에 장착하기 전에 저항이 3,3kOhm으로 설정됩니다. 스태빌라이저는 먼저 8V의 공급 전압과 10ohm의 부하 저항에서 켜진 후 출력 전압이 제어되고 필요한 경우 저항 R1에 의해 5V 레벨로 설정됩니다. 스태빌라이저가 10 ~ 16분 동안 예열된 후 최종적으로 전압이 설정됩니다. VD2 다이오드와 VT4 트랜지스터가 방열판에 설치된 경우 스태빌라이저는 최대 4A의 부하 전류를 제공할 수 있지만 이 경우 병렬로 연결된 여러 2D2A 다이오드에서 스위치의 VD213 다이오드를 구성하는 것이 좋습니다. . 스태빌라이저의 일부 작동 모드에서는 VT4 트랜지스터의 컬렉터와 VT3 트랜지스터를 기반으로 하는 과도 현상이 크게 다를 수 있습니다. 트랜지스터 VT4의 이미 터 전압은 복잡한 출력 필터의 웨이브 프로세스로 인한 기생 발진을 포함 할 수 있지만 전체 효율을 악화시키지 않습니다. 저자: Semyan A.P. 다른 기사 보기 섹션 서지 보호기. 읽고 쓰기 유용한 이 기사에 대한 의견. 과학 기술의 최신 뉴스, 새로운 전자 제품: 터치 에뮬레이션을 위한 인조 가죽
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