자동차 노트북 전원 공급 장치. 계획, 설명

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자동차 노트북 전원 공급 장치. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전

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랩탑이라고 불리는 현대의 휴대용 컴퓨터는 충분히 인기를 얻고 있습니다. 고정식 제품보다 비교할 수 없을 정도로 더 편리합니다. 노트북을 서류 가방에 넣어 가지고 다닐 수 있습니다. 예를 들어 출장이나 이동 중에 사용할 수 있습니다. 그리고 가정의 "엔터테인먼트 센터"로도 최소한의 공간을 차지하기 때문에 노트북이 더 편리합니다. 그러나 제 생각에는 한 가지 매우 중요한 단점이 있습니다. 대부분의 랩톱은 19V 주 전원으로 구동되기 때문에 차량의 온보드 네트워크(12-14V)에서 직접 전원을 공급할 수 없습니다. 랩톱 자체 배터리의 용량은 일반적으로 활성 모드에서 XNUMX시간 이상 작업하기에 충분하지 않기 때문에 특히 이동 중에 작업할 때 이것은 매우 중요합니다. 그러나 어떤 시설에서 하루 종일 일부 데이터를 처리해야 하고 도착한 UAZ의 온보드 네트워크를 제외하고는 전원이 공급되지 않는다면 어떻게 될까요?

물론 랩톱을 자동차에 연결할 수있는 일종의 네트워크 어댑터가 있어야하지만 실제로 널리 판매되지는 않으며 "독일에서 주문한"가격은 가격에 가깝습니다. 전체 노트북.

다음은 자동차 온보드 네트워크의 전압을 랩톱에 전원을 공급하는 데 필요한 19V로 증가시키는 비교적 간단한 어댑터 회로(DC-DC 컨버터)에 대한 설명입니다. 그리고 이 전압을 안정적으로 유지합니다.

자동차 노트북 전원 공급 장치
그림. 1

어댑터는 인덕턴스에 의해 펌핑되는 고주파 펄스 DC-DC 컨버터인 LM3524 마이크로 회로를 기반으로 하며 최대 200mA의 출력 전류를 가지며 이 회로에서 출력 전류는 다음을 사용하여 3,5-4A로 증가합니다. 강력한 트랜지스터 스위치(트랜지스터 VT1 및 VT2에서).

다이어그램을 자세히 살펴보겠습니다. 자동차의 온보드 네트워크의 전압은 퓨즈 P1과 저저항 와이어 저항 R1을 통해 D6 미세 회로의 전원 공급 회로와 출력 키로 입력되어 발전기의 시동을 부드럽게하고 과부하 보호 회로에서 작동합니다. D1 칩의 전류 소비는 과부하 제어 입력(D6의 핀 4 및 5)에 공급되는 R1의 전압에 의해 결정됩니다. R6의 전압이 클수록 부하 전류(및 소스의 실제 전류 소비)가 커집니다.

D1 마이크로 회로의 한 쌍의 출력 트랜지스터는 병렬로 연결됩니다 (에미 터 - 핀 14 및 11, 컬렉터 - 핀 12 및 13). 출력 트랜지스터의 컬렉터에는 저항 R10이 로드됩니다. 이 저항에서 펄스는 트랜지스터 VT1 및 VT2의 비 반전 키로 공급됩니다. 트랜지스터 VT1은 예비 인버터 역할을 하고 s는 출력 트랜지스터 VT2로 개방 채널 저항이 낮은 강력한 전계 효과 키 트랜지스터를 사용합니다. 열린 채널의 저항이 낮기 때문에 상당한 전류에도 불구하고 소비되는 전력이 적고 라디에이터가 거의 필요하지 않습니다. 독점적으로 "보증을 위해"3-USCT 유형의 수직 주사 TV (약 25x35mm 크기의 플레이트)의 출력 트랜지스터에서 플레이트 라디에이터가 설치됩니다.

전압 펌핑은 인덕턴스 L1에서 발생합니다. 다이오드 VD2는 자기 유도 펄스를 정류하고 커패시터 C11에 일정한 일정한 전압이 나타납니다.

출력 전압을 안정화하기 위해 비교기가 사용되며 입력은 D1의 핀 2과 1입니다. 핀 2에서 분배기 R1-R2를 통해 미세 회로의 내부 안정기에서 기준 전압이 공급됩니다(안정기의 출력은 핀 16). 핀 1에는 분배기 R3-R4-R5에 의해 감소된 전원 출력의 전압이 공급됩니다. 출력 전압의 값은 이 분배기의 숄더 비율에 따라 달라지며 트리머 저항 R4(실제로 15~22볼트 범위)에 의해 설정됩니다. 저항 R4가 다중 회전하는 것이 바람직하므로 설치가 더 정확하고 안정적입니다.

코일 L1은 외경이 28mm인 링 페라이트 자기 회로에 감겨 있습니다. 와이어 PEV 30의 단 1,56턴.

다이오드 VD2(쇼트키 다이오드)는 최소 5A의 직류를 허용해야 합니다.

BU278 트랜지스터는 BUZ21L과 같은 다른 유사한 트랜지스터로 대체될 수 있으며, BC548 트랜지스터는 KT503과 같은 범용 npn 트랜지스터로 대체될 수 있습니다.

DlP 패키지의 LM3524 칩을 선택하는 것이 좋습니다(납땜이 더 편리함). 동일한 SG3524 칩을 교체할 수 있지만 생산은 다릅니다.

저항 R6 - 최소 2W의 전력을 가진 와이어.

모든 커패시터는 최소 25V 정격이어야 합니다.

설정은 튜닝 저항 R4로 출력 전압을 설정하는 것입니다. R4는 다중 회전인 것이 바람직합니다. R4를 가변 저항으로 미리 교체하고 조정 후 저항을 측정할 수 있습니다. 그런 다음 고정 저항기(직렬 또는 병렬 연결)에서 필요한 저항을 다이얼하고 R4 대신 이 "어셈블리"를 설치합니다.

변환기는 브레드보드 인쇄 회로 기판에 조립되었으므로 트랙 레이아웃이 작동하지 않았습니다.

차량 온보드 네트워크에 연결할 때 극성을 엄격히 준수해야 합니다. 그렇지 않으면 변환기가 실패합니다. 최적 - 배터리 단자에 직접 연결. 이 경우 컨버터와 컨버터 모두에서 간섭이 최소화됩니다. 트랜스미터 하우징은 차폐되어야 합니다.

저자: Karavkin V.; 발행: radioradar.net

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프로젝트 참가자들은 "세계 수준의 성능과 낮은 에너지 소비"를 달성했다고 말합니다. 초소형 회로 생산을 위한 가장 앞선 기술을 보유한 인텔이 이제 22나노미터 기술을 사용하여 프로세서를 생산한다는 사실을 상기하십시오. TSMC, Globalfoundries와 같은 주요 계약 제조업체는 아직 이러한 기술을 상용화하지 않았으며 현재 28nm에서 제품을 생산하고 있습니다.

수년 동안 중국은 선진 반도체 제조 기술에 접근할 수 없었습니다. 서방 국가로부터의 수출은 먼저 CoCom 위원회의 활동에 의해 제한되고 그 다음에는 Wassenaar Arrangement의 조건에 의해 제한되었기 때문입니다. 그러나 중국은 자체 개발을 라이선싱으로 보완함으로써 상당한 진전을 이뤘습니다.

현재 중국의 선도적인 반도체 계약 제조업체인 Semiconductor Manufacturing International은 40nm 기술을 사용하여 제품을 제조하고 있습니다. 회사는 최대 65nm까지 기술 프로세스를 독립적으로 개발했습니다. 자체 45nm 기술을 구축하는 비용을 피하기 위해 SMIC는 2007년 말에 IBM으로부터 라이선스를 받았습니다. 2008년에 중국 제조업체는 40 및 32nm 표준 개발을 계획에 포함했습니다.

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