1상 네트워크를 3상으로 변환합니다. 계획, 설명

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1상 네트워크를 3상 네트워크로 변환하기 위한 마스터 발전기. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전

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사이트와 포럼을 돌아다니면서 종종 동일한 문제에 직면합니다. 60상 비동기 모터가 있지만 XNUMX상 공급 네트워크가 없습니다. 사람들은 가능한 한 최선을 다해 노력하고 모터는 기껏해야 약 XNUMX%의 전력 손실 + 경부하에서도 엔진 시동이 어려운 결과로 위상 편이 커패시터를 사용하여 단상 네트워크에 연결됩니다. 물론 XNUMX상 모터를 XNUMX상에 연결하는 방법에는 여러 가지가 있지만 모두 전력 손실이라는 단점이 있습니다.

이 상황에서 가장 좋은 방법은 단상-1 변환기를 사용하는 것 같습니다.비교적 간단한 회로는 3상 비동기 모터에 최대 전력을 생성하고 기존의 도시형 단일 모터에서 전력을 공급받을 때 최대 전력으로 사용할 수 있습니다. -위상 220V / 50Hz 네트워크.

이 기사에서는 그러한 컨버터의 마스터 오실레이터를 고려할 것입니다.

이 주제에 대한 계획에는 매우 다양한 변형이 있습니다. 그리고 기본적으로 XNUMX상 ZG는 마이크로컨트롤러에 내장되어 있습니다. 물론 이것은 회로가 실제로 하나의 케이스와 여러 개의 키로 단순화된다는 사실에 의해 정당화됩니다. 얼굴에 가격과 크기가 증가합니다.

그러나 MK에 구축 된 회로에는 한 가지 중요한 단점이 있습니다. 대부분의 라디오 아마추어와 수제 회로는 일반적으로 프로그램 작성 과학과 추가 마이크로 프로세서 펌웨어를 모르기 때문에 대부분의 경우 설명을보고 있기 때문에 반복성이 좋지 않습니다. 그런 회로의 머리를 긁는 반복을 거부합니다.

여기에 제시된 회로를 개발할 때 작업은 구성 요소의 가용성뿐만 아니라 단순성, 신뢰성 및 반복성을 최대화하는 것이었습니다.

이 회로는 대각선으로 6개의 트랜지스터 하프 브리지를 제어하기 위해 펄스 사이에 지속적인 고정 일시 중지(데드 타임)가 있는 XNUMX개의 출력에서 본격적인 XNUMX상 신호를 생성합니다(이는 전원 스위치 트랜지스터를 통한 전류 통과를 방지하는 데 필요함). 그 중 XNUMX상 모터가 연결됩니다. 그러나 다음 기사에서 변환기의 출력 부분에 대해서는 이제 마스터 오실레이터의 작동을 고려할 것입니다.

(확대하려면 클릭하십시오)

1BD 칩의 U1a ... U4011d 요소에는 발생기의 주파수를 설정하는 펄스 발생기가 내장되어 있습니다.

클록 생성기의 펄스는 4017BD 멀티플렉서의 카운팅 입력으로 공급됩니다.

멀티플렉서는 출력이 20개 출력의 시프트 레지스터, 즉 우선 순위에 따라 20개 출력에 걸쳐 실행되는 펄스 시퀀스를 생성하는 방식으로 연결됩니다. 이것은 3상 PN에 필요한 시퀀스의 임펄스를 형성할 수 있는 일종의 "플라스틱"입니다.

기본 신호 요구 사항은

1. MO의 120개의 독립적인 출력에서 XNUMX도만큼 시간적으로 서로 이동된 XNUMX개의 펄스를 수신해야 합니다.
2. 또한 세 개의 펄스를 더 수신해야 하지만 이미 첫 번째 포인트에 대해 역위상입니다.
3. 글쎄요, 임펄스 사이에 소위 죽음의 시간(dead time)이라고 하는 작은 멈춤을 갖는 것은 매우 좋을 것입니다.
이것은 비활성화 할 수있는 트랜지스터 스위치의 통과 전류를 배제하기 위해 필요합니다. XNUMX 개의 하프 브리지가 전기 모터가 켜지는 대각선에있는 컨버터의 전원 섹션에 사용되기 때문입니다. 그러나 그것에 대해서는 나중에 더 언급하기로, 죽음의 시간이 무엇을 위한 것인지 명확히 하기 위해 이 부분만 언급했습니다.

첨부된 다이어그램에서 "맹목적인" 신호는 바로 이 신호입니다.

모든 것이 실시간으로 어떻게 작동하는지 확인하려면 내 웹사이트(elektron.ucoz.ru/load/10-1-1-0)에서 MULTISIM 25 프로그램을 다운로드하는 것이 좋습니다.

다음은 MULTISIM 3용 10상 생성기의 프로젝트 파일입니다. elektron.ucoz.ru/statyi/1312.zi

그것을 실행하고 모든 것이 어떻게 작동하고 파형을 출력하는지 확인할 수 있습니다.

계속하려면! 기사의 두 번째 부분에서는 3상 변환기 자체의 전력 부분을 직접 고려할 것입니다.

Multisim 10용 .lay 보드 및 프로젝트 파일

저자: Artur(왼쪽); 간행물: cxem.net

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벨기에 레빈 시에 본부를 둔 Interuniversity Center for Microelectronics의 과학자들은 단결정 실리콘으로 호일을 만드는 데 성공했습니다. 이를 위해 두꺼운 실리콘 웨이퍼 표면에 얇은 금속층을 적용한 다음 고온에서 열처리했다.

후속 냉각 동안 금속 및 실리콘 격자의 차이로 인해 열 응력이 발생합니다. 웨이퍼 표면에 평행하게 전파되는 실리콘에 균열이 형성됩니다. 결국 금속층과 이에 부착된 실리콘층이 분리된다. 금속을 제거한 후 두께 30-50μm, 면적 25cm2의 실리콘 호일을 얻습니다.

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