|
Arabic
Bengali
Chinese
English
French
German
Hebrew
Hindi
Italian
Japanese
Korean
Malay
Polish
Portuguese
Spanish
Turkish
Ukrainian
Vietnamese|
라디오 전자 및 전기 공학의 백과사전 크리스마스 트리 화환 스위치. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전
무선 전자 및 전기 공학 백과사전 / 색상 및 음악 설치, 화환 새해 전날 많은 라디오 아마추어들이 새해 나무를 되살리는 방법에 대한 질문에 관심을 갖고 있습니다. 다음은 복잡성 정도와 구현된 조명 효과가 다양한 크리스마스 트리 화환 스위치에 대한 몇 가지 옵션입니다. 가장 간단한 스위치는 두 개의 화환을 교대로 전환합니다(그림 38). 발전기는 논리 요소 DD1.1, DD1.2에 만들어지고 고전압 스위치는 사이리스터 VS1, VS2를 제어하기 위해 트랜지스터 VT1, VT2에 조립됩니다. 마이크로 회로에 대한 전원은 커패시터 C4이 있는 파라메트릭 안정기 R1VD1에서 공급됩니다. DD1 칩과 화환 램프 EL1, EL2의 정전압은 정류기 브리지 VD2에서 제거됩니다.
"런닝 파이어" 효과를 생성하려면 최소 세 개의 화환을 교대로 전환해야 합니다. 세 개의 화환을 제어하는 스위치 다이어그램(첫 번째 옵션)이 그림 39에 나와 있습니다. 1. 장치의 기본은 DD1 마이크로 회로의 3개 반전 논리 요소로 만들어진 1상 멀티바이브레이터입니다. 타이밍 회로는 R3-R1, C3-CXNUMX 요소로 구성됩니다. 언제든지 논리 요소의 출력 중 하나에 높은 전압이 발생하여 트랜지스터-트리리스터 스위치가 열립니다. 결과적으로 한 번에 하나의 화환의 램프만 켜집니다. 화환 램프 ELXNUMX-ELXNUMX을 교대로 전환하면 "런닝 파이어" 효과를 얻을 수 있습니다.
멀티바이브레이터는 K555 및 K155 시리즈 초소형 회로의 인버터를 작동할 수 있습니다. 두 번째 경우에는 저항 R1-R3의 저항이 1kOhm을 초과해서는 안됩니다. CMOS 마이크로 회로(K176, K561)를 사용할 수도 있으며 타이밍 저항의 저항은 100~1000배 증가할 수 있으며 커패시터 C1-C3의 커패시턴스는 같은 양만큼 감소할 수 있습니다. 저항 R1-R3의 저항을 변경하여 화환의 스위칭 주파수를 변경할 수 있습니다. 동시에 제어하기는 어렵습니다(업계에서는 널리 사용하기 위한 내장형 가변 저항기를 생산하지 않습니다). 이것이 이 화환 스위치의 단점입니다. 그림에서. 그림 40은 "Running Fire"의 이동 속도를 조정할 수 있는 화환 스위치(두 번째 옵션)의 다이어그램을 보여줍니다.
이 장치는 어떻게 작동하나요? 직사각형 펄스 발생기는 논리 요소 DD1.1, DD1.2에 조립되며 반복률은 0,2...1Hz입니다. 펄스는 DD2.1 마이크로 회로의 두 개의 D-플립플롭 DD2.2 및 DD2로 구성된 카운터의 입력에 공급됩니다. 요소 DD1.3과 트리거 DD2.1의 입력 R 사이에 피드백이 있기 때문에 카운터의 변환 계수는 3이고 트랜지스터 VT2-VT4 중 하나는 언제든지 닫힙니다. 예를 들어 VT2가 닫히면 컬렉터의 양전압이 SCR VS1의 제어 전극에 적용되고 SCR이 열리고 EL1 화환의 램프가 켜집니다. 스위칭 주파수는 발전기의 가변 저항 R3에 의해 제어됩니다. 장치에서 K155 시리즈의 미세 회로는 K 133 시리즈의 해당 아날로그로 교체될 수 있으며 트랜지스터 VT1-VT4는 KT315, KT3117, KT603, KT608 시리즈의 문자가 될 수 있습니다. SCR VS1-VS3은 문자 K-N이 포함된 KU201, KU202 유형일 수 있습니다. 장치의 미세 회로와 트랜지스터에 전원을 공급하는 소스는 최소 200mA의 전류에 맞게 설계되어야 합니다. 스위치의 단점은 변압기 전원 공급 장치를 사용해야 한다는 것입니다. 이는 K155LAZ 및 K155TM2 마이크로 회로가 소비하는 상대적으로 큰 전류 때문입니다. CMOS 미세 회로를 사용하면 전류 소비를 크게 줄일 수 있으며, 이 경우 두 개의 화환 전환에서 수행되는 것처럼 미세 회로는 간단한 파라메트릭 안정기에서 전원을 공급받을 수 있습니다(그림 38 참조). K561 시리즈 초소형 회로에 있는 세 개의 화환(세 번째 옵션)의 스위치 다이어그램이 그림 41에 나와 있습니다. 1.1, 에이. 생성기는 논리 요소 DD1.2, DD3로 만들어지며 변환 계수가 2인 카운터는 DD41,6 칩의 두 D-플립플롭으로 만들어집니다. 논리 요소 출력의 전압 다이어그램이 그림 39에 나와 있습니다. 1. 이는 장치의 논리를 이해하는 데 도움이 됩니다. 화환 제어용 트랜지스터-트리리스터 스위치, 미세 회로 전원 공급용 정류기 및 안정기 - 그림 191의 다이어그램에 따른 스위치와 동일합니다. 814 (이 경우 제너 다이오드 VDXNUMX로 KSXNUMXZh 또는 DXNUMXV를 사용해야 함)
위에 설명된 "Running Fire" 장치에는 공통적인 단점이 있습니다. 즉, 작동 논리가 변경되지 않습니다. 화환의 램프는 설정된 순서로만 전환되며 전환 빈도만 변경할 수 있습니다. 동시에, 시력을 지루하게 하거나 피곤하게 하지 않으면서 조명을 최대한 다양하게 하는 것이 바람직합니다. 이는 램프 연소 기간뿐만 아니라 전환 순서도 변경할 수 있어야 함을 의미합니다. 무화과에. 도 42는 이러한 조건을 만족하는 화환 스위치의 다이어그램을 도시한다.
장치의 "핵심"은 155개의 2비트 단어가 있는 랜덤 액세스 메모리 장치인 K16RU0110 마이크로 회로입니다(이 경우 단어는 논리 1101과 1의 집합을 의미합니다(예: 4, 1 등)). 그러한 미세 회로는 어떻게 작동합니까? 4개의 입력(D0000-D1111)은 메모리에 기록해야 하는 정보를 제공하도록 설계되었습니다. 이러한 입력을 정보 입력이라고 합니다. 16개의 다른 입력(A1-A4)에는 정보를 쓰거나 읽기 위해 선택해야 하는 셀 주소의 이진 코드가 제공됩니다. 이러한 입력을 주소 입력이라고 합니다. 이러한 입력의 이진 코드를 1에서 XNUMX로 변경하면 XNUMX개 셀 중 하나에 액세스할 수 있습니다. W 입력에 신호를 적용하면 원하는 마이크로 회로 작동 모드가 선택됩니다. W 입력의 전압이 낮으면 셀이 기록되고 전압이 높으면 정보가 메모리에 저장됩니다. 마이크로 회로의 셀을 읽을 수 있습니다. 읽을 때 정보는 출력 CXNUMX-CXNUMX로 전송됩니다. 마이크로 회로의 출력은 개방형 컬렉터를 사용하며 논리 XNUMX이 메모리 셀에 기록되면 해당 출력 트랜지스터가 열립니다 (물론 부하-저항-가 컬렉터 회로에 포함되어야 함). 따라서 메모리 셀에 숫자를 쓰려면 해당 논리 레벨을 입력 D1-D4에 적용하고 필요한 셀 주소의 이진 코드를 입력 A1-A4에 적용해야 합니다. 그런 다음 W 입력에 낮은 레벨의 전압이 적용되고 정보가 기록됩니다. 정보를 읽으려면 W 입력에 높은 전압을 인가해야 합니다. 그런 다음 주소 코드가 변경되면 해당 셀의 내용에 해당하는 신호가 출력 C1-C4에 나타납니다. V 입력은 마이크로 회로의 작동을 활성화하는 데 사용됩니다. 높은 전압이 가해지면 쓰기 및 읽기가 수행되지 않습니다. 회로도에 따라 스위치의 작동을 고려해 봅시다. SB6 "시작" 및 SB7 "재설정" 버튼을 사용하여 장치의 필수 작동 모드를 설정합니다. "재설정" 버튼을 누른 후 마이크로 회로의 메모리 셀에 프로그램을 쓸 수 있고 "시작"을 누른 후 " 버튼을 누르면 녹화된 프로그램을 읽어줍니다. SB7 "재설정" 버튼을 누르면 RS 플립플롭이 논리 요소 DD1.1 및 DD1.2, DD1.3 및 DD1.4, DD2.1 및 DD2.2, DD2.3 및 DD2.4에 조립됩니다. , DD4.1 및 DD4.2는 논리 요소 DD1.1, DD1.3, DD2.1, DD2.3 및 DD4.1의 출력이 로우 레벨 전압인 초기 상태로 설정됩니다. 논리 요소 DD12의 핀 4.4에 도달하면 논리 요소 DD4.3, DD4.4 및 트랜지스터 VT1에 조립된 클록 생성기의 작동이 금지됩니다. 그런 다음 SB1-SB4 버튼을 사용하여 첫 번째 메모리 셀에 쓸 이진 단어를 입력합니다. 0111을 적어야 한다고 가정해 보겠습니다. 이렇게 하려면 SB2, SB3, SB4 버튼을 누르세요. 이 경우 트리거 DD1.3DD1.4, DD2.1DD2.2, DD2.3DD2.4가 전환되고 LED HL2, HL3, HL4가 켜집니다. 그런 다음 SB5 "녹음" 버튼을 누르세요. 미분 회로 C3R3.1과 논리 요소 DD2을 통한 트리거 출력(논리 요소 DD13의 핀 3.3)의 펄스는 DD6 메모리 칩의 W 입력에 공급됩니다. 미분 회로 C2R13과 논리 요소 DD3.3은 SB5 "쓰기" 버튼을 누른 후 짧은(수 나노초 길이) 네거티브 펄스가 입력 W에서 수신되어 SB1에 공급되는 정보의 기록을 보장하는 방식으로 작동합니다. 정보는 주소 입력 A4-A1의 이진 코드에 따라 주소에 D4-D5를 입력합니다. SB3.1 "쓰기" 버튼을 놓으면 논리 요소 DD1의 출력에서 커패시터 C3.4을 통한 펄스가 이전에 이진 단어가 기록된 모든 RS 플립플롭을 재설정합니다. 논리 요소 DD1의 출력에서 이진 카운터 DD5의 입력 C12로 수신된 펄스는 주소를 9만큼 증가시킵니다(해당 미세 회로의 핀 8, 11, 5 및 2에서 이진 코드가 제거됨). ). 주소 DD3 카운터는 재설정되지 않습니다(핀 XNUMX와 XNUMX은 계산 모드를 보장하기 위해 공통 와이어에 연결됩니다). 그런 다음 SB1-SB4 버튼을 사용하여 프로그램의 새 이진 단어를 입력하고 SB5 "쓰기" 버튼 등을 누릅니다. - 16개의 6비트 이진 단어로 구성된 전체 프로그램이 메모리 칩에 기록될 때까지. 프로그램이 기록된 후 SB4.1 "시작" 버튼을 누르면 트리거 DD4.2 DD4.3가 상태를 반대 방향으로 변경하고 생성기가 논리 요소 DD4.4, DD5에서 작업을 시작합니다. 카운터 DD1로 전송되고 주소 코드 셀을 변경합니다. W 입력은 이제 논리 요소 DD4.2의 출력이 논리 0이고 논리 요소 DD3.3의 입력으로 공급되므로 항상 논리 1입니다. K4RU155 마이크로 회로의 출력 C2-C1에는 메모리 셀에 기록된 정보에 해당하는 논리 레벨이 나타납니다. 출력 C4-C2의 신호는 트랜지스터 스위치 VT5-VT1에 의해 증폭된 다음 사이리스터 VS4-VS1의 제어 전극에 공급됩니다. SCR은 다이어그램에서 일반적으로 EL4-EL1로 지정된 6개의 램프 화환을 제어합니다. DD0 마이크로 회로의 출력 C2에 논리 21이 있다고 가정하면 이 경우 트랜지스터 VT1가 닫히고 저항 R1과 SCR VS1의 제어 전극을 통해 전류가 흐르고 SCR이 열리고 램프가 켜집니다. EL1 화환. 출력 C1이 논리 XNUMX이면 램프 ELXNUMX이 켜지지 않습니다. 장치 미세 회로는 다이오드 브리지 VD2-VD5, 제너 다이오드 VD1 및 트랜지스터 VT6에 조립된 안정화 정류기에 의해 전원이 공급됩니다. 화환 램프 EL1-EL4는 다이오드 브리지 VD6-VD9에서 가져온 정류 전압에 의해 전원이 공급됩니다. 스위치 Q2는 화환을 끄는 데 사용되며 스위치 Q1은 장치의 나머지 요소를 네트워크에서 연결 해제하는 데 사용됩니다. 장치는 다음 부품을 사용합니다. 트랜지스터 VT2-VT5는 KT3117, KT503, KT603, KT608, KT630, KT801 시리즈 중 하나일 수 있습니다. VT1 - KT503, KT312, KT315, KT316 시리즈 중 하나; VT6 - KT801, KT807, KT815 시리즈 중 하나입니다. SCR KU201L(VS1-VS4)은 K-N 문자가 있는 KU202로 대체될 수 있습니다. 표시된 것 외에도 다이오드 VD2-VD5는 D310, KD509A, KD510A 유형이 될 수 있습니다. 브리지 정류기 KTs402, KTs405, KTs407(문자 인덱스 포함)을 사용할 수도 있습니다. 다이오드 KD202K(VD6-VD9)는 문자 L-R이 포함된 KD202로 대체할 수 있을 뿐만 아니라 문자가 포함된 D232, D233, D246, D247로 대체될 수 있습니다. 커패시터 C1, C2 - 유형 K10-7, K10-23, KLS 또는 KM-6; C3-C5 -K50-6, K50-16 또는 K50-20. 모든 고정 저항기는 MLT 유형입니다. 가변 저항 R 16 - SP-1, SP-0,4. 장치는 KM 1-1 또는 KM D 1-1과 같은 버튼을 사용할 수 있습니다. 다른 유형의 버튼을 사용할 수도 있습니다(예: 위치를 고정하지 않은 P2K). 스위치 Q1 및 Q2는 "토글 스위치" 유형(TV2-1, TP1-2, T1, MT01 등)입니다. 전원 변압기 16은 스트립 자기 코어 ШЛ 20х2440으로 만들어집니다. 권선 I에는 1턴의 PEV-0,08 90 와이어가 포함되어 있고, 권선 II에는 1턴의 PEV-0,51 10 와이어가 포함되어 있습니다. 20...8 V의 전압과 10...0,5 A의 전류에 대한 0,7차 권선을 갖는 70...2 W의 전력을 가진 다른 변압기를 사용할 수 있습니다. 변압기 TVK-110LXNUMX, TVK-XNUMXLM 원하는 전압을 얻으려면 XNUMX차 권선의 일부 권선을 제거해야 합니다. 장치의 대부분의 요소는 120 x 145 mm 크기의 텍스타일 보드에 장착됩니다(그림 43, a).
설치는 전선으로 이루어집니다. VT6 트랜지스터는 약 30cm^2 면적의 두랄루민 코너에 설치됩니다(라디에이터 역할을 합니다). 다이오드 VD6-VD9 및 SCR VS1-VS4는 라디에이터 없이 보드에 설치되며 스위치 램프의 총 전력은 500W를 초과해서는 안 됩니다. 버튼 SB1-SB7(KM1-1 유형)은 43,6개의 M3 나사로 메인 보드에 부착된 PCB 스트립(그림 XNUMX)에 설치됩니다. 보드 외부에는 전원 변압기 T1, 퓨즈 홀더 FU1, 전원 스위치 Q1 및 Q2, 가변 저항기 R16과 같은 요소가 있습니다. 보드 요소는 연선으로 연결됩니다. SCR VS1-VS4의 양극을 램프 EL1-EL4에 연결하는 전선은 SCR의 꽃잎에 직접 납땜됩니다. 전원 회로가 만들어지는 전선의 단면적은 1mm2 이상이어야 합니다. 장치의 디자인은 임의적입니다. 케이스 상단 덮개에는 SB1-SB7 버튼, 전원 스위치 Q1 및 Q2, 프로그램 기록 제어 LED HL1-HL4, 화환 전환 속도가 변경되는 가변 저항 노브 R16이 있어야합니다. 케이스의 측벽에는 퓨즈 홀더 FU1과 화환 연결용 소켓이 있습니다(다이어그램에는 표시되지 않음). 모든 부품이 제대로 작동하고 설치에 오류가 없으면 장치가 즉시 작동하기 시작합니다. 달성된 조명 효과는 화환 램프의 상대적 위치에 따라 크게 좌우된다는 점에 유의해야 합니다. 가장 일반적인 배열은 첫 번째 화환의 램프 다음에 두 번째 화환의 램프, 그 다음 세 번째, 네 번째 등이 오는 것입니다. 그림 44는 이러한 램프 스위칭의 다이어그램을 보여줍니다. 스위치는 다음과 같이 프로그래밍됩니다. 먼저, 장치의 16개 작동 주기마다 1개 화환 모두의 램프 상태를 기록하는 프로그램이 종이에 작성됩니다. 화환의 켜짐 상태는 논리 0로 표시되고 꺼짐 상태는 논리 7으로 표시됩니다. 그런 다음 SB1 "재설정" 버튼을 누르면 장치 미세 회로가 원래 상태로 설정됩니다. 그런 다음 SB4-SB1 버튼을 연속적으로 눌러 프로그램의 첫 번째 단어를 입력하고 HL4-HL5 LED의 조명에 주의한 다음 SB16 "녹음" 버튼을 누릅니다. 이것이 바로 마이크로 회로의 6개 셀 모두에 정보가 기록되는 방식입니다. 그런 다음 SBXNUMX "시작" 버튼을 누르면 스위치가 작동 모드로 들어갑니다.
프로그래밍할 때 전원이 켜질 때 이러한 셀의 상태가 불확실하므로 마이크로 회로의 16개 메모리 셀 모두에 정보를 기록해야 한다는 점을 기억하십시오. 테이블에 그림 3은 다양한 조명 효과를 얻기 위해 화환 스위치를 프로그래밍하는 몇 가지 옵션을 보여줍니다. 왼쪽에서 오른쪽으로 각 단어의 논리 1은 SB1-SB4 버튼 중 어느 버튼을 각각 눌러야 하는지를 나타냅니다.
첫 번째와 두 번째 프로그램은 "연속 발사" 효과를 제공하고 나머지 프로그램은 더 복잡한 효과를 제공합니다. 이 장치를 사용하여 구현할 수 있는 프로그램의 수가 많으며 이는 운영자의 상상력의 범위를 열어줍니다. 화환 전환 속도를 변경하면 다양한 조명 효과를 얻을 수 있는 가능성이 넓어진다는 점도 기억해야 합니다. 장치로 전환되는 램프의 총 전력은 1500W로 늘릴 수 있으며 다이오드 VD6-VD9는 각각 40...50cm2 면적의 라디에이터에 설치해야 합니다. 무선 아마추어가 KU208G 시리즈의 대칭형 사이리스터(트라이액)를 마음대로 사용할 수 있는 경우 이를 사용하여 화환 램프를 제어할 수도 있습니다. 트라이액은 그림 45에 표시된 다이어그램에 따라 연결되어야 합니다. 21 (한 채널의 다이어그램만 표시되며 나머지는 유사함). 이 경우 저항 R24-R42(그림 1 참조)의 저항은 3~605kOhm으로 증가해야 합니다. 트랜지스터 KT605A는 KT940B, KT6A로 교체할 수 있으며 VD402 다이오드 브리지는 문자 A, B, Zh, I가 포함된 KTs405, KTsXNUMX일 수 있습니다.
트라이악 스위칭 노드의 두 번째 버전은 그림 46에 나와 있습니다. XNUMX.
이전 것과의 차이점은 저항 R2-R5(그림 21 참조)가 있는 트랜지스터 스위치 VT24-VT42가 DD7 마이크로 회로의 반전 논리 요소로 대체된다는 것입니다(그림 17 회로의 저항 R20-R42은 유지됨). 이 회로 설계는 설계를 다소 단순화합니다. 전자기 릴레이를 사용하면 트라이악 제어 장치를 더욱 간단하게 만들 수 있습니다(그림 47). 다이어그램에서 볼 수 있듯이 릴레이 권선은 저항 R21-R24 대신 포함됩니다. 스위치는 최대 8mA의 전류에서 12~100V의 전압으로 트리거되는 모든 릴레이를 작동할 수 있습니다(예: RES-10(여권 RS4.524.303, RS4.524.312), RES-15(여권 RS4.591.003) .4.591.004, RS4.591.006, RS47), RES-4.500.049(여권 RF4.500.419, RF49), RES-4.569.424(여권 RSXNUMX). 간단한 회로 설계 외에도 전원 공급 장치에서 장치의 저전압 부분을 갈바닉 절연하여 스위치 사용의 안전성을 높이는 또 다른 장점이 있습니다. 단점은 릴레이 접점의 마모로 인해 서비스 수명이 짧아진다는 것입니다.
결론적으로 추천 하나 더 드립니다. 전원 공급 장치의 전압이 꺼지면(짧은 몇 초라도) 메모리 칩에 기록된 프로그램이 파괴됩니다. 따라서 장치 미세 회로의 전원 공급 회로를 갈바니 배터리 또는 축전지의 전원으로 비상 전환하는 것이 좋습니다. 이를 구현할 수 있는 회로가 그림 48에 나와 있습니다. XNUMX.
일반 모드에서 스위치 IC는 정류기에 의해 전원이 공급되고 전류는 다이오드 VD11을 통해 흐릅니다. 이 경우 VD10 다이오드는 작은(0,5~1V) 역전압이 적용되므로 닫혀 있습니다. 주전원이 꺼지면 다이오드 VD11이 닫히고 다이오드 VD10이 열리고 마이크로 회로는 배터리 GB1로 전원이 공급됩니다. 커패시터 C6은 전원을 주 전원에서 배터리로 또는 그 반대로 전환할 때 발생하는 전압 펄스를 약화시켜 장치의 잡음 내성을 높입니다. 다이오드 VD10, VD11은 모든 유형이 될 수 있으며 최소 300mA의 전류를 허용합니다(예: 문자가 포함된 D226, KD105가 적합함). 배터리 GB1 - 3336L. 이 장치를 스위치로 사용할 때는 정류기의 출력 전압에 주의해야 합니다. 출력 전압은 5~5,5V(5V 이상)여야 합니다. 그렇지 않으면 배터리 GB1이 지속적으로 방전될 수 있습니다. 배터리 전원 지속 시간은 용량에 따라 다릅니다. 네트워크에서 긴 정전(15~20분 이상)이 발생하는 경우 화환 램프가 여전히 작동하지 않고 새 프로그램을 3~5분 만에 다이얼링할 수 있으므로 이러한 비상 전원 공급 장치는 실용적이지 않습니다. 분.
정원의 꽃을 솎아내는 기계
02.05.2024 고급 적외선 현미경
02.05.2024 곤충용 에어트랩
01.05.2024
▪ Logitech MX Anywhere 3 무선 마우스 ▪ 초정밀 별
▪ Mikhail Ostrogradsky의 기사. 과학자의 전기 ▪ 기사 작은 열매를 맺은 말 회향. 전설, 재배, 적용 방법 ▪ 기사 발코니 풍력 터빈. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전 ▪ 기사 Motorola 6xxx, 8xxx, Flare 폰용 케이블 구성표, 핀아웃(pinout). 무선 전자 및 전기 공학 백과사전
홈페이지 | 도서관 | 조항 | 사이트 맵 | 사이트 리뷰
www.diagram.com.ua |
다른 기사 보기 섹션 
과학 기술의 최신 뉴스, 새로운 전자 제품:
이 페이지의 모든 언어