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라디오 전자 및 전기 공학의 백과사전 VHF 변환기. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전
이 144...144,5MHz 변환기는 21...21.5 또는 28...28.5MHz 범위의 단파 트랜시버와 함께 작동하도록 설계되었습니다. 전송 모드에서 변환기의 출력 전력은 5W입니다(트랜시버에서 약 1mW의 전력 수준에서). 수신 모드의 잡음 지수는 2...2,6 kTo입니다(KB 트랜시버의 수신 부분의 잡음 지수는 10...15 kTo 이하). 변환기는 선형 전송 경로를 가지고 있습니다. 즉, 트랜시버의 KB에서 공급되는 신호의 진폭과 출력 신호의 진폭(144MHz 범위) 사이에 선형 관계를 제공합니다. 변환기의 개략도가 그림 1에 나와 있습니다. 9. 수신(트랜지스터 V10, V1) 및 송신(V4-V5) 경로와 이들에 공통적인 로컬 발진기(V8-VXNUMX)의 세 가지 주요 부분으로 나눌 수 있습니다. 국부 발진기의 수정 자체 발진기는 용량 성 "5 점"구성표에 따라 V9 트랜지스터에서 만들어집니다. 수정 공진기의 원하는 기계적 고조파 선택은 L19C20C6833,3 회로의 적절한 튜닝에 의해 제공됩니다. 이 경우 수정 공진기 6444.4kHz(28kHz)(이하 괄호 안은 변환기의 주파수이며 중간 주파수는 28,5 ... 20,5MHz입니다.) 19,333차 기계적 고조파, 즉 주파수에서 여기 XNUMXMHz(XNUMXMHz) 발진기에서 신호는 먼저 대역 통과 필터 L6C10L25C11의 부하는 주파수 트리플러(트랜지스터 V26)로 이동합니다. 61,5MHz(58MHz)의 주파수로 조정된 다음 더블러(트랜지스터 V7)로 조정된 다음 증폭기(트랜지스터 V8)로 조정됩니다. L123C116 및 L12CS30 회로는 13MHz(4MHz)의 주파수로 국부 발진기의 출력 신호를 필터링합니다. 수신 경로에는 RF 증폭기와 믹서가 포함됩니다. 증폭기는 공통 이미 터 회로에 따라 연결된 V9 트랜지스터에 조립됩니다. 직류에서 트랜지스터의 작동 모드를 안정화하기 위해 선택된 방식(저항 R22 사용)을 사용하면 차단 커패시턴스 없이 트랜지스터의 이미 터를 직접 접지할 수 있습니다. 이것은 높은 안정적인 스테이지 게인을 제공합니다. 입력 회로의 효율성을 향상시키기 위해 L15C39 회로는 트랜지스터 V9의 기본 회로에 강력하게 결합됩니다. 안테나와 증폭기의 연결은 용량성입니다. 커패시터 C38, C40 및 코일 L15는 강력한 단파 라디오 방송국의 간섭이 컨버터의 출력에 침투하는 것을 방지하는 고역 통과 필터를 형성합니다. RF 증폭기 부하 - 대역통과 필터 L16C4SL17C45. 국부 발진기와 고주파 증폭기의 신호는 믹서(트랜지스터 V10)에서 합산됩니다. 수신기 입력과 믹서의 일치는 L18C50C51C52 회로에 의해 제공됩니다. 전송 경로는 트랜지스터 V4에서 만들어진 믹서로 시작됩니다. 국부 발진기 전압은 L4C13 회로로부터 트랜지스터 V34의 베이스에 공급된다. 트랜시버에서 형성된 CW, AM 또는 SSB 신호는 L14C35C37 회로를 통해 믹서로 공급됩니다. 믹서 부하는 8MHz로 조정된 L15C7L14C144 대역 통과 필터입니다.
변환된 신호는 3단계 선형 증폭기에 의해 증폭됩니다. 트랜지스터 V7의 첫 번째 단계는 클래스 A 모드에서 작동합니다.스퓨리어스 방사선의 더 나은 필터링을 위해 트랜지스터는 입력 L14C6 및 출력 L10C20 회로에 느슨하게 연결됩니다. 주요 이득(약 2dB)은 트랜지스터 V4의 두 번째 단계에서 제공됩니다. 또한 클래스 A 모드에서 작동합니다. 마지막 단계는 클래스 AB 모드에서 작동합니다. 트랜지스터 V1의 베이스에 필요한 바이어스는 분배기 R2R3에서 나옵니다. 자체 여기(소위 조절 자체 발진)를 방지하기 위해 회로에 따른 초크 L3의 상위 출력은 커패시터에 의해 차단되지 않습니다. 터미널 증폭기와 안테나의 일치는 L1C1C2 회로를 제공합니다. 이 구성표에 따라 만들어진 변환기로 작업하는 실습에서 알 수 있듯이 출력 회로의 간단한 수정 (커패시터 C2는 코일 L1이 아닌 장치의 출력에 연결되며 회로 기판의 수정은 명백합니다-커패시터 이 경우 C2는 커패시터 C1의 왼쪽(탭 참조)에 설치해야 합니다. 구조 조정은 이 고급 버전과 관련하여 설명합니다. 송신기에는 출력 트랜지스터 보호 장치가 없기 때문에 다음을 따릅니다. 매우 일치하지 않는 부하에서 출력단의 작동을 피하십시오. 구조 및 세부 사항 변환기는 1...2mm 두께와 165x210mm 크기의 단면 호일 유리 섬유로 만들어진 보드에 장착됩니다. 1:1 스케일의 보드 모양이 그림에 나와 있습니다. 트랜스버터 설계에는 차폐 장벽이 없지만 장치의 자체 여기로 이어지지 않습니다. 금속 표면 위의 낮은 높이에 요소를 장착하면 낮은 수준의 기생 단간 결합이 보장됩니다. 100MHz 이상의 주파수에서 작동하는 트랜스버터 회로는 다소 특이한 모양을 가지고 있습니다. 이들은 커패시턴스에 의해 짧아진 250/XNUMX 파장 공진기이며 치수를 줄이기 위해 구부러졌습니다. 무부하 공진기의 품질 계수는 약 XNUMX입니다. 기존의 은도금 와이어 회로에서 거의 동일한 품질 계수를 얻을 수 있습니다. 그러나 그것은 더 큰 표류장을 가지고 있으며, 이 경우 트랜스버터 캐스케이드를 차폐하기 위한 추가 조치를 빼놓을 수 없습니다. 0,8/1 파장 공진기는 직경이 2,5 ... 45 mm인 은도금 와이어로 만들어집니다. 보드 위의 라인 높이는 약 XNUMXmm입니다. 높이가 감소하면 스트레이 필드가 감소하지만 품질 요소도 감소합니다. 강성을 부여하기 위해 라인은 XNUMX개의 플랫폼에 놓이며 구부러진 위치에서 라인이 약 XNUMX°의 각도로 수평면에서 추가로 구부러집니다. 공진기의 "접지" 출력에 가장 가까운 사이트에서만 라인이 작은 와이어 조각으로 지지됩니다. 트리머 커패시터는 매우 넓은 주파수 범위에서 공진기의 튜닝을 제공하기 때문에 라인의 치수와 구성은 그다지 중요하지 않다는 점에 즉시 주목해야 합니다. 보드에는 국부 발진기의 첫 번째 단계와 전송 경로의 출력 단계 사이에 홈이 있습니다. 포일을 따라 출력단에서 열이 전파되어 수정진동자 부품이 가열되는 것을 방지하는 단열재의 역할을 합니다. 모든 저전력 트랜지스터는 보드 뒷면에서 뚫린 구멍으로 삽입됩니다. 트랜지스터는 케이스의 테두리를 기반으로 합니다. 보드의 두께가 1 ... 1.5mm를 초과하는 경우 트랜지스터 V9, V10용 구멍은 트랜지스터 바닥이 호일과 같은 높이가 되도록 더 큰 직경의 드릴로 반대쪽에 접시를 놓아야 합니다. 라디에이터가 장착 된 전송 경로의 마지막 두 단계의 트랜지스터의 경우 트랜지스터의 외경과 동일한 직경으로 보드에 구멍을 만들어야합니다. 구멍이 육각형이면 방열판이 부착될 때 트랜지스터가 회전하는 것을 방지하므로 더 좋습니다. 출력단에는 이미 터 단자가 케이스에 연결된 KT907A 트랜지스터가 사용됩니다. 에미터 단자의 인덕턴스를 줄이려면 트랜지스터와 방열판 사이에 동박 스페이서를 삽입해야 합니다. 개스킷의 끝은 보드에 납땜됩니다. 출력 트랜지스터의 베이스와 이미 터 사이에 연결된 커패시터 C5의 단자 길이는 최소이어야 합니다. 장착은 호일에 절단된 환형 홈에 의해 형성된 기준점에서 수행됩니다. 그루브 폭 - 0,5 ~ 0,8mm. 지원 원의 직경은 약 5mm입니다.
이러한 홈의 제조를 위해 가장 간단한 장치를 사용할 수 있으며 그 장치는 그림 2에 나와 있습니다. 6. 장치는 바늘, 소형 커터 및 패스너로 구성됩니다. 니들과 커터는 사용된 치과용 버로 만들어집니다. 연마하려면 연마석이나 다이아몬드 파일을 사용하는 것이 편리합니다. 패스너는 직경 XNUMXmm의 스틸 슬리브로 만들어졌습니다. 버는 슬리브에 뚫린 두 개의 구멍에 삽입되고 두 개의 MXNUMX 나사로 고정됩니다. 버를 안정적으로 고정하려면 측면에 모따기를 비추는 것이 바람직합니다. 바늘 자루는 드릴에 고정될 수 있도록 커터 자루보다 길어야 합니다. 그러나 환형 홈을 손으로 만드는 것은 어렵지 않습니다. 이를 위해 핸드 쥬얼리 바이스에 고정물을 고정하는 것이 편리합니다. 과도한 힘을 가하지 말고 한 번에 홈을 자르려고 하면 호일이 찢어질 수 있습니다. "오버레이에서"세부 사항을 납땜하십시오. 탭의 점선은 보드 뒷면에 있는 도체를 나타냅니다. 각 패드 근처에 뚫린 구멍을 통과합니다. 변환기 부품을 선택할 때 대부분의 커패시터 값이 중요하지 않다는 점을 고려하는 것이 유용합니다. 이것은 주로 전력 회로의 차단 커패시터에 적용되며, 그 정전 용량은 500에서 수천 피코패럿 범위에서 변경될 수 있습니다. 트랜지스터를 공진 회로와 연결하는 분리 커패시터의 커패시턴스도 중요하지 않습니다. 값은 -50에서 +100%로 변경할 수 있습니다. 인덕터 L2, L3 및 L5는 프레임이 없으며 약 2mm 길이의 PEV-0,3 150 와이어 조각으로 만들어집니다. 와이어는 직경 2,6mm의 맨드릴에 감겨 있습니다. 코일 L1, L10, L11은 프레임이 없으며 직경 9mm의 은도금 와이어로 직경 0,8mm의 맨드릴에 감겨 있습니다. 코일 L1은 3회(권선 길이 7mm), L0 및 L11은 각각 8회(권선 길이 14mm)를 포함합니다. 탭은 L10 코일에서 1,25번째 턴부터, L11 코일에서 3,75번째 턴부터 출력 회로에 따라 하단부터 세어 만들어집니다. 코일 L9, L14, L18은 PEV-5 2 와이어로 직경 0.15mm의 프레임에 감겨 있습니다. 회전 수는 18입니다. 조정에는 M4 나사산이 있는 카보닐 철심이 사용됩니다. 변환기는 커패시터 KM 및 KT, 저항 M + 및 MLT를 사용합니다. 변환기 설정 수정 발진기로 시작해야 합니다. 우선, 1000-5000pF 용량의 커패시터를 통해 트랜지스터 V5의베이스를 케이스와 일시적으로 연결해야합니다. 이 경우 수정 발진기는 일반 LC 발진기로 바뀝니다. 이 경우의 생성 주파수는 L9C19C20 회로에 의해 결정됩니다. 코일 트리머를 회전시킵니다. L9 수정 공진기의 5중 주파수에 가깝게 설정해야 합니다. 그런 다음 트랜지스터 VXNUMX의베이스에서 커패시터가 분리되고 트리머의 위치가 생성 주파수에 가장 적은 영향을 미치는 위치를 찾습니다. 그런 다음 주파수 승수 설정을 진행합니다. 변환기의 다른 모든 단계와 마찬가지로 설정할 때 직류에 대한 트랜지스터의 작동 모드를 제어해야 합니다. 컬렉터에서 전압을 측정하는 것이 가장 편리합니다. 컬렉터 회로에서 저항의 저항을 알고 있으면 트랜지스터를 통해 흐르는 전류를 쉽게 결정할 수 있기 때문입니다. 측정은 저항이 최소 10k0m인 저항을 통해 이루어져야 합니다. 이렇게 프로브 끝에 고정해야 합니다. 변환기의 요소에 연결된 도체는 최소 길이를 갖습니다. 분명히 추가 저항이 있으면 전압계 판독 값이 과소 평가되지만 결과 오류는 쉽게 고려할 수 있습니다. 삼중기를 설정하는 것은 여기 모드를 조정하는 것으로 시작됩니다. 커패시터 C22를 선택하면 트랜지스터 V6의 컬렉터의 정전압이 5 ... 6V인지 확인해야 합니다. 이것은 약 6mA의 트랜지스터 컬렉터 전류에 해당합니다. 그런 다음 이중 회로 필터 L10C25L11C26 설정을 시작합니다. 트랜지스터 V7의 최대 콜렉터 전류로 설정됩니다. 트랜지스터 V7의 필요한 여기 정도는 필터 회로의 턴온 비율을 변경하여 조정할 수 있습니다. 코일의 탭을 선택할 때 두 회로에 거의 동일하게 부하가 가해지도록 주의해야 합니다. 회로 중 하나에 더 "멍청한" 설정이 있는 경우 코일의 탭을 회로에 따라 더 낮은 출력에 더 가깝게 이동해야 합니다. 필터가 올바르게 설정되면 트랜지스터 V7의 컬렉터에서 DC 전압이 5 ... 6V 이내여야 합니다. 코일 L10 및 L11의 치수가 상당히 정확하게 유지되고 트리머 커패시터가 대략 중간 위치에 있으면. 그러면 필터를 잘못된 고조파로 설정할 위험이 적습니다. 그러나 특히 코일의 치수나 수정 발진기의 주파수가 변경된 경우 올바른 설정을 확인하는 것이 어떤 식으로든 유용합니다. 예를 들어 원하는 주파수 범위에서 작동하는 수신기를 사용할 수 있습니다. 와이어 조각은 수신기의 입력에 연결되어야 하며 다른 쪽 끝은 L10C25 회로에 연결되어야 합니다. 튜닝 커패시터 C25를 회전시킬 때 신호의 최대 볼륨은 트랜지스터 V7의 최대 콜렉터 전류와 일치해야합니다. 이 테스트 방법의 가능성은 대부분의 통신 수신기가 25MHz 이하의 작동 주파수 범위를 갖는다는 사실에 의해 제한됩니다. 가장 간단한 셋톱 박스를 사용하여 수신 주파수 범위를 확장할 수 있습니다. 다이어그램은 그림 3에 나와 있습니다. 삼.
접두사는 트랜지스터 VI에서 만들어진 석영 자체 발진기입니다. 8 ... 15 MHz 이내의 고유 주파수를 가진 모든 석영 공진기를 사용할 수 있습니다. 동시에 트랜지스터는 석영 자체 발진기의 주파수 고조파에서 작동하는 믹서의 기능을 수행합니다. 발진기는 단파 수신기의 입력에 케이블 조각으로 연결됩니다. 헤테로다인 경로를 설정할 때 짧은 장착 와이어를 사용하여 조정 가능한 승수 회로에 접두사를 연결해야 합니다. 이렇게 하려면 장착 와이어의 절연된 끝을 루프 코일의 "뜨거운" 출력으로 가져옵니다. 셋톱박스에는 선택 회로가 없기 때문에 발진기의 많은 고조파에서 동시에 수신이 발생합니다. 국부 발진기 수정 발진기 및 셋톱박스 수정 발진기의 주파수를 미리 알고 있다는 신호의 발생량을 이해하는 데 도움이 됩니다. 예를 들어, L10C25 회로를 61,5MHz의 주파수로 튜닝하는 프로세스를 고려하십시오. 셋톱 박스가 9620kHz의 주파수에서 수정 공진기를 사용하도록 하고 변환기의 수정 발진기를 확인한 결과 주파수가 20504kHz인 것으로 나타났습니다. 이 경우 트리플러 출력의 신호는 61kHz의 주파수를 갖습니다. 이러한 신호는 셋톱 박스의 국부 발진기의 512차 또는 23032차 고조파를 사용하여 들을 수 있습니다. 첫 번째 경우 신호는 61512kHz(9620-4 * XNUMX)의 주파수에서 찾아야 합니다. 더 좁은 수신기에 적합한 두 번째 옵션에서 작동 범위에서 신호는 13412kHz(61612- -9620 * 6)의 주파수에서 찾아야 합니다. 이러한 방식으로 최대 400 ... 500 MHz의 주파수까지 정확한 승수 설정을 제어할 수 있습니다. 원칙적으로 고주파 트랜지스터를 사용하고 커패시터 C2, C4의 커패시턴스를 줄이면 주파수 범위를 더 확장할 수 있습니다. 공진파 측정기로 승수를 올바르게 설정했는지 확인할 수도 있습니다. 필요한 여기가 트랜지스터 V7의 베이스에 적용된 후 L12C30 회로를 123MHz(116MHz)의 주파수로 조정하기 시작합니다. 더블러 다음 단계는 클래스 "A"에서 작동하는 V8 트랜지스터를 기반으로 하는 증폭기입니다. 트랜지스터 V8의 컬렉터 전류는 여기의 양에 약하게 의존하므로 L12C30 더블러 회로의 설정을 나타내는 데 사용할 수 없습니다. 조정은 수신기를 사용하거나 가장 간단한 경우에는 항력계에 연결된 고주파 프로브를 사용하여 이루어져야 합니다. 프로브 회로는 그림 4에 나와 있습니다. XNUMX. 오토미터는 가장 민감한 DC 스케일로 전환되어야 합니다. 프로브가 구성 가능한 노드에 연결되는 범위는 프로브 연결 지점을 루프로 이동하여 조정할 수 있습니다.
L12C30 회로가 원하는 주파수로 조정된 후 헤테로다인 경로의 최종 증폭기 설정으로 진행됩니다. 우선, 여기 신호가없는 경우 저항 R20을 선택하여 트랜지스터 V8의 컬렉터 전류를 7 ... 8mA 범위로 설정해야합니다. 그런 다음 V8 트랜지스터에 여자 전압을 인가하고 고주파 프로브를 사용하여 L13C34 회로를 조정해야 합니다. 수신 경로의 설정은 트랜지스터 V9 및 V10의 직류 모드 설정으로 시작됩니다. 저항 R22 및 R26을 선택하면 이러한 트랜지스터의 컬렉터 전류가 2 ... 2,5mA 이내로 설정되어야 합니다. 그 후 믹서는 21,2MHz(28.2MHz)의 주파수로 튜닝된 단파 수신기의 입력에 연결되고 L8C50C51C52 회로는 최대 노이즈로 튜닝됩니다. 고주파 프로브를 회로 L17C45, L16C43에 차례로 연결합니다. 대역통과 필터를 국부 발진기 신호의 최대값으로 조정합니다. 그런 다음 튜닝 커패시터의 커패시턴스를 점진적으로 감소시키면 대역 통과 필터가 144MHz의 주파수로 튜닝됩니다. 이 경우 노이즈 신호 소스를 사용하는 것이 가장 편리합니다.
노이즈 발생기 회로는 그림 5에 나와 있습니다. 1. 노이즈의 소스는 역전압 항복 모드에서 작동하는 트랜지스터 V2의 이미 터 접합입니다. 생성된 노이즈의 강도는 수백 kTo입니다. 이를 통해 약 3dB의 감쇠 계수로 저항 R13, R1에 감쇠기를 추가하여 프로브와 수신기 입력의 일치를 개선할 수 있습니다. 프로브는 작은 상자에 수집됩니다. 설치하는 동안 트랜지스터 V2, 저항 R3, R2 및 커패시터 CXNUMX 단자의 최소 길이에 특별한주의를 기울여야합니다. 노이즈 발생기에 GA402 게르마늄 마이크로파 다이오드를 사용하면 정전 용량과 리드 인덕턴스가 더 낮아 훨씬 더 나은 결과를 얻을 수 있습니다. 이러한 프로브의 설정은 다이오드를 통한 저항 R1 전류를 1 ... 3 mA 이내로 설정하는 것으로 축소됩니다. 안정적인 작동을 위해서는 전원의 전압이 다이오드의 항복이 시작되는 전압보다 2 ... 3 배 높은 것이 바람직합니다. 프로브를 사용하면 수신 경로를 최대 이득으로 쉽게 조정할 수 있습니다. 이렇게 하려면 AC 전압 측정 모드에서 주 수신기의 출력에 avometer를 연결한 다음 회로를 조정하고 장치의 최대 판독값을 달성하기 위해 단계 간 연결을 선택해야 합니다. 변환기의 수신 경로 대역폭은 베이스 수신기를 디튜닝할 때 항력계의 판독값을 줄임으로써 쉽게 결정할 수 있습니다. 대역은 주로 L16C43L17C45 필터의 매개변수와 로드된 회로 L18C50의 품질 계수에 의해 결정됩니다. 대역은 커패시터 C44의 커패시턴스를 증가시키고 커패시티브 분배기 C51C52의 분할 계수를 감소시켜 확장될 수 있습니다. 최종 조정은 측정 노이즈 발생기를 사용하거나 공중에서 수신된 신호를 들으면서 이루어집니다. 또한 안테나 또는 이와 동등한 것이 꺼져 있을 때 RF 증폭기의 자체 여기가 수신 경로의 부정확한 튜닝의 표시가 아니라는 점에 유의해야 합니다. 전송 경로를 설정할 때 트랜지스터의 작동 모드는 먼저 직류로 설정됩니다. 저항 R10을 선택하면 트랜지스터 V4의 컬렉터 전압은 4-7V이며, 이는 10mA의 전류에 해당합니다. 저항 R8은 트랜지스터 V3의 작동 모드를 설정합니다(컬렉터에 +9V의 전압이 있어야 함). 단자 및 단자 트랜지스터의 초기 전류를 조정할 때 "양의"선을 기준으로 컬렉터의 DC 전압을 측정하는 것이 좋습니다. 저항 R4의 전압 강하는 4V, R1-0,2V여야 합니다. 그런 다음 트랜지스터 VI 및 V2의 전원을 일시적으로 끄고 공진 회로를 조정합니다. 초기 설정은 주파수가 21MHz(28MHz)인 신호가 없을 때 이루어집니다. 공진 회로 L8C15, L7C14 ~ L6C10은 이들 회로에 차례로 연결된 고주파 프로브를 사용하여 국부 발진기 주파수, 즉 123MHz(116MHz)의 주파수로 조정됩니다. 그런 다음 21,2MHz(28,2MHz) 주파수의 신호가 믹서 입력에 적용됩니다. 신호 진폭은 트랜지스터 V4의 콜렉터 전류의 현저한 감소가 시작될 때까지 증가합니다. 동시에 회로 L14C35C37을 조정하십시오. 그러면 믹서 출력의 로컬 오실레이터 신호가 다소 감소해야 합니다. 그런 다음 고주파 프로브를 공진기 L8에 약하게 연결하고 트리머 커패시터 C15의 축을 회전하여(커패시턴스가 감소하는 방향으로) 가장 가까운 전압 최대값을 찾습니다(144,2MHz의 주파수에 해당해야 함) . 그런 다음 L7C14 및 L6C10 회로를 동일한 주파수로 순차적으로 튜닝합니다. 마지막으로 전송 경로의 마지막 두 캐스케이드가 조정됩니다. 트랜지스터 V1의 고장을 방지하기 위해 전송 경로는 피더의 임피던스에 해당하는 부하에 연결되어야 합니다. 파동 임피던스가 75옴인 피더를 사용하려는 경우 2옴의 저항과 병렬로 연결된 300개의 MLT-50 저항을 부하로 사용할 수 있으며 6옴이면 XNUMX개의 저항을 부하로 사용할 수 있습니다. 부하(그림 XNUMX)에는 송신기의 출력 전력을 제어할 수 있는 다이오드 감지기가 장착되어 있습니다.
부하 저항기와 감지기는 고주파 커넥터가 장착된 작은 금속 상자에 배치됩니다. 저항 R1-R4는 커넥터 주위에 별 모양으로 배열됩니다. 최소 리드 길이가 있어야 합니다. 감지기에 자체 포인터 표시기가 제공되면 가장 간단한 전력계인 자율 장치를 얻을 수 있습니다. 부하를 연결하고 마지막 두 단계에 전압을 공급한 후 L4C6 회로를 조정하기 시작하여 트랜지스터 V1의 최대 컬렉터 전류를 달성합니다. 그 전에 트랜지스터(V1)는 부하에 최대한 연결되어야 한다. 즉, 커패시터(C1)는 최대 커패시턴스를 갖고 커패시터(C2)는 최소 커패시턴스를 가져야 한다. 트랜지스터(V1)의 컬렉터 전류는 500mA 이상의 값에 도달할 수 있다. 여기가 충분하지 않으면 모든 예비 단계를 다시 한 번 조정하고 커패시터 C5 및 C7의 커패시턴스를 약간 줄이는 것이 유용합니다. 출력 회로는 전원 표시기의 최대 판독값으로 조정됩니다. 커패시터 C2의 커패시턴스가 클수록 부하와의 연결이 약하다는 점을 고려해야합니다. 연결이 약하고 여기 레벨이 최대이면 트랜지스터가 고장날 위험이 있는 높은 과전압 모드로 들어갈 수 있습니다. 따라서 이러한 작동 모드는 피해야 합니다. 저자: S Zhutyaev(UW3FI), 모스크바; 간행물: N. Bolshakov, rf.atnn.ru
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