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라디오 전자 및 전기 공학의 백과사전 사운드 프로브 저항계. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전
"울림" 무선 구성 요소 및 배선 회로의 경우 저항 측정 모드의 avometer 또는 다이얼 표시기가 있는 별도의 저항계가 종종 사용됩니다. 때때로 그와 함께 일할 때 화살표를 봐야 합니다. 특별한 측정 정확도가 필요하지 않은 경우 백열등이나 LED에 표시등이 있는 간단한 프로브가 사용됩니다. 그러나 여전히 그러한 장치를 자주 봐야 합니다. 따라서 위의 계획 중 하나에 따라 조립할 것을 제안하는 가청 경보가있는 프로브를 사용하는 것이 더 편리합니다 (그림 1-3). 가청 표시기는 프로브 본체에 내장되거나 마이크 잭을 통해 별도로 연결된 소형 헤드 전화기입니다. 실리콘 트랜지스터의 사용은 장치의 높은 신뢰성과 효율성을 제공할 것입니다. 프로브가 열린 상태에서 1,5V 전압 소스(요소 316 또는 332)의 전류 소비는 거의 없으며 표시 모드에서 그 값은 3mA를 초과하지 않습니다. 모든 장치는 "1점" 회로에 따라 만들어진 특이한 차단 생성기를 기반으로 조립됩니다. 첫 번째 프로브(그림 1)의 경우 변압기 T1의 1차 권선 섹션 Ia 및 Ib는 각각 트랜지스터 VT1의 베이스 및 컬렉터 회로에 직접 연결되며 전화 BF1은 T2의 1차 권선의 부하입니다. 초기 상태(프로브 XP1 및 XPXNUMX가 열려 있음)에서는 전원 GXNUMX이 발전기에서 분리되고 전화기에서 소리가 나지 않습니다. 프로브가 서로 연결되면 제한 저항 RXNUMX을 통해 장치에 공급 전압이 공급됩니다. 트랜지스터 기반 변압기의 섹션 Ia를 통해 포지티브 바이어스가 발생하고 권선 I 섹션 사이의 강한 포지티브 피드백(POF)으로 인해 발전기가 여자됩니다. 전화기에서 낮은 소리가 들립니다(주파수는 생성기에 포함된 모든 요소의 매개변수에 따라 결정됩니다). 테스트 중인 회로에 저항이 있으면 자연스럽게 저항 R1과 직렬로 연결됩니다. 결과적으로 콜렉터 전류와 베이스 전류가 감소하여 트랜지스터의 콜렉터 베이스 회로 사이에서 작동하는 PIC의 깊이가 줄어들고 결과적으로 전화기의 사운드 특성이 변경됩니다. 음조는 증가하고 볼륨은 감소합니다. 이러한 특성을 기반으로 특정 프로브에 대해 약 1kOhm인 측정 간격 경계 내에서 저항 값을 대략적으로 결정할 수 있습니다. 프로브가 전화기에서 측정 중인 회로 부분에 닿았을 때 바스락거리는 소음만 들리는 경우 이는 이 부분의 저항이 1kOhm을 초과한다는 것을 나타냅니다. 소리가 전혀 들리지 않는다는 것은 단절을 의미하거나 간접적으로 테스트 중인 회로의 저항이 너무 높다는 것을 의미합니다.
그러나 더 높은 회로 저항(예: 최대 100kOhm)에 소리 신호로 응답하는 프로브가 필요한 경우 그림 2에 표시된 회로를 사용하십시오. 이전 버전과의 차이점은 여기에서 차단 생성기의 작동이 다음으로 제어된다는 것입니다. 변압기 T1 권선 섹션 1a의 극한 출력과 트랜지스터 VT1의 베이스 출력 사이에 프로브를 통해 연결된 측정 회로. 테스트중인 섹션을 위반하지 않으면 먼저 바이어스 전압이 VT1베이스에 공급되고 두 번째로 POS 회로가 닫힙니다. 트랜지스터가 열리고 사운드 생성기가 작동하기 시작합니다. 프로브 사이의 연결이 끊어지면 공통 바이어스 공급 회로와 PIC가 끊어지고 트랜지스터 VT1이 닫히고 발전기가 작동하지 않습니다. 이 모드에서 장치가 소비하는 전류는 0,1μA 이하이므로 실제로는 요소의 리소스에 영향을 주지 않습니다. 따라서 스위치가 필요하지 않았습니다. 두 프로브의 조정은 저항 R1의 선택으로 감소되며 프로브가 닫힌 상태에서 가장 큰 저음이 달성됩니다. 세 번째 프로브는 해당 프로브보다 더 완벽합니다. 푸시 버튼 스위치 SB1(그림 3)과 관련 저항 R2 및 R3이 있어 0-20 Ohm 및 0-200 kOhm의 두 가지 표시 제한을 도입할 수 있습니다. 측정 한계의 확장은 소위 복합 트랜지스터 회로에 따라 연결된 두 개의 트랜지스터(VT1 및 VT2)를 사용하여 이루어졌습니다. 또한 "컬렉터 - 이미 터"섹션 VT1의 내부 저항은 테스트 대상 회로와 저항 R2(또는 R3)의 저항으로 구성된 전압 분배기에 의해 생성된 베이스의 결과적인 양의 바이어스에 따라 달라집니다. 이 트랜지스터는 VT2에서 차단 발진기의 작동을 제어하므로 BF1 캡슐에 의해 재생되는 발진의 주파수와 진폭에 영향을 줍니다. 프로브 XP1 및 XP2가 열려 있거나 연구 중인 회로가 열려 있으면 트랜지스터 VT1이 닫힌 상태에 있기 때문에 소리가 나지 않으며 변압기 권선 Ia에서 베이스로 공통 전원 공급 장치와 PIC 회로가 차단됩니다. 이러한 이유로 인해 트랜지스터 VT2도 닫힌 것으로 판명되었습니다. 이 모드에서 소비되는 전류는 0,1-0,2μA를 초과하지 않으며 이는 G1 요소의 자체 방전 전류보다 훨씬 적습니다. 고려 된 설계에서는 기본 전류 VT1을 제한하는 추가 저항이 필요하지 않습니다. 어떤 경우에도이 전류는 이러한 유형의 트랜지스터에 대한 최대 허용 값을 초과하지 않기 때문입니다. 이것은 VT1이 미세 전류 모드에서 작동한다는 사실에 의해 설명됩니다. "컬렉터-이미터"섹션을 통한 전류는 변압기 T1, 저항 R1 및 "베이스 이미 터"접합의 섹션 Ia 권선의 활성 저항에 의해 제한됩니다. VT2 및 0,4-0,6mA 이하입니다. 기본 전류 VT1은 항상 이 값보다 훨씬 작습니다.
저항계 프로브를 먼저 SB1, R2, R3 요소를 제외하고 임시 브레드보드에 조립하여 설정하는 것이 더 편리합니다. 프로브를 단락시키고 저항 R1의 저항을 선택하여 가장 큰 저음 사운드를 얻습니다. 그런 다음 680kOhm 또는 1MOhm의 가변 저항을 장치 입력에 연결하고 저항을 천천히 증가시켜 프로브 표시의 전체 범위를 결정하고 배경에서 소리가 사라지는 순간 슬라이더의 위치를 기록합니다. 저항기를 분리하고 일반적으로 350-500kOhm인 avometer를 사용하여 결과 저항을 측정합니다. 이러한 경계 내에 두 개의 측정 한계가 형성될 수 있습니다. 예를 들어 "20 Ohms" 제한을 설정하려면 동일한 크기의 일정한 저항이 프로브 입력(표준 22 Ohm 저항)에 연결되고 이미터 VT2와 베이스 VT2 사이에 저항 R1를 일시적으로 연결하여 해당 저항을 선택합니다. 전화기의 최소 볼륨에 따른 저항 - 이 한도의 상한선을 얻습니다. 그런 다음 동일한 방식으로 200kOhm 저항을 프로브 입력에 연결하고 저항 R3의 값을 선택하여 제한을 "200 k"로 설정합니다. 그런 다음 부품이 임시 조정 보드에서 영구 조정 보드로 전송됩니다. 하나의 측정 한계만 있으면 프로브 회로를 단순화할 수 있습니다. 요소 SB1, R2, R3을 제거하면 장치의 작동 범위에 해당하는 측정 한계를 얻습니다. 하한 표시 한계가 필요한 경우 VT2 이미 터와 VT1베이스 사이에 션트 저항이 설치되며 저항은 위의 권장 사항에 따라 선택됩니다.
그러나 실제로는 여러 측정 한계가 있는 프로브가 더 자주 필요하므로 연구 중인 회로의 저항을 보다 정확하게 결정할 수 있습니다. 이러한 장치의 다이어그램은 그림 4에 나와 있습니다. 프로브에는 1개의 표시 한계가 있으며 그 중 4개는 해당 버튼 SB4-SBXNUMX가 닫힌 순간에 형성되며 가장 높은 저항인 다섯 번째 한계는 다음과 같습니다. 모든 버튼을 놓으면 장치의 전체 범위가 생성됩니다(이 위치는 그림 XNUMX에 표시됨). 다음 항목이 프로브에 적용됩니다. 트랜지스터 - 기본 전류 전달 계수가 201 이상인 npn의 KT312, KT315, KT342, KT373, KT30 구조의 모든 시리즈. 전원 공급 장치 G1의 극성을 반대로 변경하면 트랜지스터 KT104, KT203을 사용할 수 있습니다. , KT350 - KT352, KT361 모든 문자 구조 인덱스 pnp. 저항기 MLT-0,125 - MLT-0,5. T1 - 모든 소형 트랜지스터 라디오의 출력 변압기. 표시 제한 스위치 - 푸시 버튼 소형 유형 KM-1, KMD-1. MP1-1, MP3-1, MP5, MP7, MP9, MP10, MP11 마이크로 스위치 또는 MT1-1 토글 스위치(그림 3)를 기반으로 만든 집에서 만든 것도 적합합니다. BF1- 전자기 캡슐 DEMSh-1, 마이크로 전화 TM-2A 또는 직류 180-300 Ohm에 대한 코일 저항이있는 다른 것. 코일 저항이 낮은 전화 캡슐을 사용할 수 있지만 후자의 경우 측정 범위의 상한이 낮아집니다. 설명 된 프로브는 다양한 디자인의 설치, 퓨즈, 스위치, 백열 램프, 발열체, 인덕터, 변압기 권선, 전기 모터 및 전자기 릴레이, 저항기 및 기타 부품을 확인하는 "링잉"에 적합합니다. 반도체 장치(다이오드 및 트랜지스터)는 pn 접합의 직접 및 역 저항을 비교하여 확인합니다. 고장이 발생하면 소리는 프로브의 모든 위치에서 발생합니다. 연결이 끊어지면 소리가 나지 않습니다. 또한 커패시터의 품질을 확인하고 대략적인 커패시턴스를 추정할 수 있습니다. 프로브의 측정 한계가 높을수록 가청 신호로 응답할 수 있는 커패시턴스가 낮아집니다. 저자: E. Savitsky
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