전자 레인지 방사 표시기. 계획, 설명

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마이크로파 방사 표시기. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전

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널리 보급된 가정용 전자레인지는 KVK 제조업체로부터 사용자에게 안전한 것으로 인증되었습니다. 실제로 공장을 떠날 때 대다수의 외부 마이크로파 방사 수준은 위생 기준에 따른 최대 허용 수준보다 훨씬 낮습니다. 그러나 장기간 사용하면 화로 가열실 도어의 고정력이 약해지며 도어와 본체 사이에 틈이 생깁니다. 문과 신체 사이의 접촉 부위에 음식물 찌꺼기가 붙어 있으면 방사선의 증가도 촉진됩니다. 마지막으로, 숙련되지 않은 수리 후에는 방사선이 급격히 증가할 수 있습니다.
물론 제안된 단순 지표를 사용하여 전자레인지의 위생 기준 준수 정도를 정확하게 평가하는 것은 불가능합니다. 그러나 적시에 증가된 방사선 수준을 감지하는 데 도움이 될 것입니다.

표시기의 다이어그램이 그림에 나와 있습니다.

마이크로파 방사 표시기

다이오드 VD1은 마이크로파 방사선에 의해 단자에서 유도된 신호의 검출기 역할을 합니다. 다이오드를 장치의 나머지 요소에 연결하는 연선 쌍의 인덕턴스와 커패시턴스는 감지된 신호의 고주파수 성분을 필터링하기에 충분합니다. 그 엔벨로프는 연산 증폭기 DA1.1의 캐스케이드에 의해 증폭됩니다. 네거티브 전원 버스의 전위에 가까운 입력 전압에서 작동할 수 있는 LM324 마이크로 회로(K1401UD2, KR1435UD2 등으로 대체 가능)를 사용하면 제로 바이어스 회로를 제거하고 크게 단순화할 수 있습니다. 센서 회로.

전자레인지의 마그네트론은 50Hz의 주파수로 진동 버스트를 생성하며, 연산 증폭기 출력의 펄스는 동일한 주파수를 갖습니다. 진폭이 특정 임계값을 초과하면 트랜지스터 VT1의 스위치 팔로워를 통해 연산 증폭기 출력에 연결된 HL1 LED가 깜박입니다. 이 장치는 1V("Krona" 또는 이와 유사한 전압)의 갈바니 전지 GB9 배터리로 전원을 공급받습니다. 버튼 SB1 - 전원 스위치.

가정용 전자레인지를 점검할 때 감지기는 방사선의 가까운 구역에 위치합니다. 여기 필드는 불규칙하고 평평한 파면이 없는 것이 특징입니다. 이러한 상황에서는 전기적으로 짧은(파장보다 상당히 짧은) 안테나가 표시기에 최적입니다. 이러한 이유로 다이오드 VD1의 리드 자체가 안테나로 사용되었습니다. 볼펜 하우징에 장착되며 유연한 XNUMX선 코드로 표시기 자체에 연결됩니다.

제안된 지표는 매우 광대역이라고 말해야 합니다. 이는 기본 주파수(주파수 - 2450MHz, 파장 - 약 12cm)뿐만 아니라 최대 9800차 및 12250차 주파수(각각 XNUMXMHz 및 XNUMXMHz)의 마그네트론 방사선의 더 높은 고조파에도 민감합니다. 더 높은 고조파는 스펙트럼에 항상 존재하며 전체 누출에 상당한 기여를 하는 경우가 많습니다. 더 높은 고조파를 방출하는 전자레인지는 위성 TV 수신에 심각한 간섭을 일으킬 수 있습니다.

1MHz 이상의 주파수에서 작동하도록 설계된 다양한 검출기와 혼합 마이크로파 다이오드가 VD1000로 적합합니다. 각각에 대해 가장 높은 감도를 제공하는 최적의 부하 저항(저항 R1)을 선택하는 것이 유용합니다. DZB 다이오드는 좋은 결과를 보여주었습니다. 혼 안테나가 있는 G4-79 발전기와 MZ-54 전력계가 장착된 스탠드에서 테스트한 결과 HL1 LED가 2~3μW/cm2의 전력속 밀도에서 빛나기 시작하는 것으로 나타났습니다.

D405 믹싱 다이오드를 사용하여 거의 동일한 감도를 얻었습니다. 그러나 시간이 지남에 따라 검출기 특성이 저하되고 저주파 또는 직류에서는 예를 들어 저항계로 다이오드를 확인하면 이를 알 수 없습니다.

미국 표준에 따르면 스토브에서 2,5cm 거리에서 2μW/cm70의 전력속 밀도가 허용되며, 5cm 거리에서는 1mW/cm2를 초과해서는 안 됩니다. 국내 표준에서는 이 표시기가 10μW/cm2를 초과하지 않도록 요구합니다. 실제로 작동 중인 스토브에서 5~10cm 거리에서 표시기 LED가 깜박입니다.

저자: A. Kontsevich, 상트페테르부르크

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오늘날 플래시 메모리는 거의 모든 모바일 장치에 사용됩니다. 제조업체는 볼륨에 대한 사용자의 증가하는 요구를 충족시키기 위해 노력하고 있습니다. 그러나 곧 그들은 10nm보다 작을 수 없는 트랜지스터 크기의 한계에 직면하게 될 것입니다.

새로운 방법의 핵심은 약 1nm의 측면 길이를 가진 텅스텐 산화물 분자로 세포를 만드는 것입니다. 이 구조 내부에는 XNUMX개의 삼산화셀레늄 분자가 있으며 정상 상태에서 추가 전자를 운반하므로 음전하를 띠게 됩니다. 다른 극성의 전압을 인가함으로써 연구자들은 구조의 전하, 즉 이진 상태를 변경할 수 있었습니다.

실험실 조건에서 주어진 구조의 상태는 최소 336시간(즉, 14일) 동안 유지되어 연구원들이 새로운 메모리를 비휘발성이라고 말할 수 있었습니다.

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무어의 법칙은 인텔의 공동 창업자인 고든 무어에 의해 만들어졌습니다. 칩의 트랜지스터 수가 약 XNUMX년마다 두 배로 증가한다고 명시되어 있습니다. 그러나 최근 과학자들은 트랜지스터의 한계 크기에 도달하면 이 법칙이 작동하지 않을 것이라고 말하기 시작했습니다. 전 세계의 다양한 연구 그룹은 법이 더 잘 작동하도록 하는 방법을 찾고 있습니다.

한편, 분자기억의 창시자 앞에 놓인 몇 가지 과제는 여전히 해결되지 않은 상태로 남아 있습니다. 이것은 특히 이러한 유형의 메모리 속도와 관련이 있습니다. 예를 들어, 구조 상태를 형성하는 데 약 0,1초가 걸리고 구조 상태를 읽는 데 0,01초가 걸립니다. 두 지표 모두 효과적인 상업적 적용에 대해 말하기에는 너무 높습니다.

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