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라디오 전자 및 전기 공학의 백과사전 트랜지스터의 결론, 구조 및 전류 전달 계수를 결정하는 장치. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전
제안하는 소자는 저전력, 중전력, 고전력 바이폴라 트랜지스터의 경우 컬렉터, 베이스, 에미터 단자의 위치를 결정하고, 구조(npn 또는 pnp)를 결정하고, 회로의 전류 전달 계수를 측정하도록 설계되었습니다. 공통 이미 터 (p21E). 내장 및 유도 채널이 있는 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터의 경우 핀 위치(드레인, 소스, 게이트)와 채널 컨덕턴스 유형(n 또는 p)이 결정됩니다. 또한 이 장치는 DC 전압계로 사용할 수 있습니다. 모든 정보는 두 개의 LCD 표시기에 표시됩니다. 주요 기술 특성: 바이폴라 트랜지스터의 결정 모드에서 P21E 측정 시 기본 전류
장치의 구성표가 그림 1에 나와 있습니다. 2. 바이폴라 트랜지스터(컬렉터, 베이스, 에미터) 및 필드(드레인, 게이트, 소스)의 출력 표시는 각각 "C", "b", "E" 기호로 HGXNUMX LCD 표시기에서 수행됩니다. 및 불확실성 상태 - 기호 "b", "b", "b". 바이폴라 트랜지스터의 구조(npn 또는 pnp)와 전계 효과 트랜지스터의 채널 컨덕턴스 유형(n 또는 p)은 동일한 표시기에 각각 "p" 또는 "P" 기호로 표시됩니다. 스위치 및 버튼 할당. "Comp."에서 스위치 SA1은 "일반"에서 복합 트랜지스터를 테스트하고 있습니다. - 기존의 전계 효과 트랜지스터의 경우 스위치 위치는 무엇이든 될 수 있습니다. 버튼 SB1을 누르면 "전원." 중간 및 고전력 트랜지스터와 내장 채널이 있는 필드 트랜지스터가 테스트됩니다. SA21 스위치의 "p2e" 위치에서 바이폴라 트랜지스터의 이 매개변수가 측정되고 "U" 위치에서 장치는 DC 전압 측정 한계가 19,99V인 전압계로 작동합니다. 후자의 경우, SB2 "배트"를 누르십시오. 표시기 HG1은 공급 전압(배터리)의 값을 보여줍니다. 이 장치는 전압계와 트랜지스터 출력 결정자의 두 가지 주요 장치로 구성됩니다. 전압계는 LCD 표시기 HG10에 정보 출력과 함께 ADC DD1에 조립됩니다. 동일한 표시기가 바이폴라 트랜지스터의 p21E 값을 표시합니다. -4,5V ADC DD10의 공급 전압은 논리 소자 DD1.1에 조립된 전압 변환기, 다이오드 VD1, VD4, 커패시터 C5, C8 및 레벨 변환기 DD3를 기반으로 하는 반전 정류기로부터 전압을 배가하는 정류기로부터 수신합니다. 요소 VD2, VD3, C6, C7 공급 전압 9,8V. 논리 요소 DD1.1의 입력 중 하나는 10kHz의 주파수에서 작동하는 마스터 발진기 ADC DD50의 출력에 연결됩니다. ADC DD21의 BP 출력(핀 10)에서 반복률이 62,5Hz인 직사각형 펄스가 논리 소자 DD7.2의 입력으로 공급되고 출력 신호는 행렬식의 동작을 위한 클록입니다. 이 요소의 출력에서 나오는 펄스는 HG2 LCD 표시기의 최상위 세 자리의 요소 D, E 및 F에 공급되며, 문자 "C"일 때 끌 필요가 없기 때문에 지속적으로 표시됩니다. "b" 및 "E"가 표시됩니다. 요소 DD7.2의 출력에서 전압 펄스가 또한 요소 DD5.3, DD5.4 및 DD2.4, DD14.4, DD15.4, DD12.3, 출력에서 결정 신호에 따라 제어 신호는 동일한 숫자의 요소 A 또는 C와 HG2 LCD 표시기의 최하위 숫자의 요소 F, A 및 B에 대해 생성됩니다. 요소 DD5.3의 출력에서 적분 회로 R21C12를 통한 클록 펄스는 4의 분할 계수로 카운터 DD128에 공급됩니다. 미분 회로 R2C1이 전체 장치의 리셋 펄스를 원래 상태로 생성하고 다시 시작하는 출력. 3AC 시리즈의 마이크로 회로(KR74 시리즈의 국내 아날로그)는 스위칭 지속 시간이 짧고 K1554 시리즈 마이크로 회로 및 그 아날로그의 카운팅 입력에 의해 감지되지 않으므로 적분 회로 R561C21 및 R12C23가 도입되어 상승 및 하강을 증가시킵니다. 요소 DD4 및 DD5.3의 출력에서 5.4ms까지의 펄스. R2C21 회로의 펄스는 HG12 표시기의 COM 출력으로도 전송되고 배타적 OR 요소 DD2-DD8.1를 통해 최상위 8.4개의 G 요소와 하위 숫자의 E 및 G 요소로 전송됩니다. HG2 LCD 표시기의 테스트 중인 트랜지스터는 필드 스위칭 트랜지스터 VT1-VT2, VT3, VT1에 조립된 강력한 4채널 스위치의 출력에 연결된 단자 XS8, XS9, XS3의 출력과 연결됩니다. 그것들에 대한 제어 신호는 버퍼 요소로 사용되는 DD3 레벨 변환기 마이크로 회로의 요소 출력에서 생성됩니다. 저항 R5 R12, R17R19R24 및 R26R27R13.1의 13.4개의 동일한 전류 설정 회로가 DD16.3-DD16.4, DDXNUMX 키에 조립된 저전력, XNUMX채널 스위치로 전환되는 강력한 스위치의 출력에 연결됩니다. XNUMX, DDXNUMX. 결론의 결정은 강력한 스위치의 출력 상태를 주기적으로 변경하여 수행됩니다. 개방 및 폐쇄 트랜지스터 VT1 - VT4, VT8, VT9의 조합이 변경됩니다. 각 순간에 트랜지스터 VT1, VT3, VT8 중 하나만 열리므로 테스트 중인 트랜지스터의 출력 중 하나가 5V 공급 라인에 연결됩니다.동시에 트랜지스터 VT2, VT4 중 하나 , VT9 및 테스트 중인 트랜지스터의 두 번째 출력은 트랜지스터 출력 전류 센서 역할을 하는 저항 R6에 연결된 다른 채널에서 열려 있습니다. 강력한 스위치의 세 번째 채널에서는 두 전계 효과 트랜지스터가 모두 닫혀 있지만 이 순간 전류 설정 저항 회로 중 하나의 전체 또는 일부가 저전력 스위치의 상태에 따라 출력에 연결됩니다 . 이러한 회로는 바이폴라 트랜지스터의 베이스(또는 필드 게이트에 전압)에 전류를 공급하도록 설계되었으며, 이를 통해 강력한 스위치의 동일한 상태에서 두 번, 베이스 또는 게이트는 npn 구조의 경우 먼저 "폴링"됩니다. (n-채널), pnp(p-채널)의 경우.
전체 트랜지스터 테스트 주기에는 강력한 스위치 상태의 2가지 조합이 포함되며, 각 트랜지스터 출력은 컬렉터, 베이스 및 에미터(드레인, 게이트, 소스)로 두 번 연결됩니다. 조합 중 하나를 사용하면 기본 스위치로 간주되는 스위치의 닫힌 트랜지스터에 연결된 저항 회로에 전류가 나타나도록 출력이 연결되며, 아시다시피 출력 컬렉터(및 이미 터) 전류가 나타납니다. 무화과에. 6는 결론을 결정할 때 트랜지스터를 켜기 위한 단순화된 회로를 보여줍니다. 출력 전류가 있으면 전류 센서 R1에 전압이 나타나 스위치 상태를 고정하고 해당 정보가 LCD 표시기 HG2, HGXNUMX에 표시됩니다. 그러나 센서에 전압이 나타나는 것은 결론을 올바르게 결정하기 위한 필요 조건일 뿐 충분 조건은 아닙니다. 첫째, 두 가지 조합에서 바이폴라 트랜지스터의 순방향 바이어스 pn 접합(컬렉터 또는 이미 터) 중 하나가 저항 R6과 직렬로 전원 공급 장치에 연결되고 이 저항의 전압은 약 4,3V가 됩니다. 이러한 잘못된 정의는 매우 간단합니다. 저항 R(그림 2)의 연결 지점을 +5V에서 공통 와이어로 또는 그 반대로 변경할 때 출력 전류는 실제로 변경되지 않습니다. 둘째, 강력한 스위치의 상태 변경 순간의 과도 현상으로 인해 저항 R6에 전압 펄스가 나타납니다. 이러한 펄스가 발생하는 동안 감지 프로세스가 차단됩니다. 셋째, 트랜지스터를 반대로 켜면 전류도 흐르지만 그 값이 작아서 이러한 오판정은 임계값소자를 이용하여 제거할 수 있다. 마지막으로, 트랜지스터가 단순히 파손되거나 X1-XXNUMX 단자가 우발적으로 닫힐 수 있습니다. 이러한 모든 요소는 장치 회로에서 고려됩니다. 결론을 결정하는 과정에 대한 설명을 진행하기 전에 연산 증폭기 DA1.2와 트랜지스터 VT11에 조립된 임계값 장치의 작동을 고려하십시오. 이 연산 증폭기의 반전 입력은 저항 R6에 연결되고 비반전 입력은 저항 R0,5, R22 및 VT25 트랜지스터 및 저항 R10의 전류 조정기에 수집된 29V의 기준 전압 소스에 연결됩니다. 이 전압은 최소 지정 값 h21e를 기반으로 트랜지스터의 출력을 결정하기 위한 하한 임계값을 설정합니다. 대부분의 경우 테스트 중인 트랜지스터의 역 모드는 이러한 매개변수로 감지되지 않습니다. 임계값 장치를 전환할 때 저항 R32의 양의 전압 강하는 DD6.1 트리거의 입력 C에 공급되어 강력한 스위치의 상태를 수정하고 베이스를 "조사"하고 다음 리셋 펄스 측정을 시작합니다. 카운터 디코더(DD2)의 출력 3에는 하이 레벨 전압이 설정된다. 이 전압은 트리거 DD2의 입력 S에 공급되고 약 3ms 동안 역 출력에서 낮은 레벨의 전압이 생성되어 OR-NOT 요소 DD2의 입력 중 하나에 공급됩니다. 스위치의 과도 상태 동안 지연된 결정을 보호하기 위해 필요합니다. 이 시간 간격 후에 클록 펄스가 DD0 요소의 출력에 나타나 트리거 DD9가 전환된 다음 카운터 디코더 DD6.1가 전환됩니다. 출력 8은 하이가 되고 핀 정의 주기가 시작됩니다. 카운터 디코더 DD9의 출력은 DD11.1-DD11.4, DD12.1, DD12.2 요소의 입력에 연결되어 6.2채널 스위치의 제어 신호가 이러한 요소의 출력에서 형성되도록 합니다. . 동일한 신호는 DD2 트리거의 출력 신호와 함께 1.2개의 동일한 코드 변환기의 작동을 제어하여 HG1.4 LCD의 최상위 2.1자리에 알파벳 문자 "C", "b" 및 "E"를 표시합니다. 지시자. 변환기는 DD2.4-DD7.1, DD7.3-DD7.4, DD8.1, DD8.2, DD8.4, DD14.1, DD14.4, DD15.1, DD15.4 요소에서 만들어집니다. -DD3.1 및 DD3.6-DD5. 강력한 스위치(개방/폐쇄)의 트랜지스터 상태는 위에서 이미 언급한 바와 같이 10V의 입력 신호를 필요한 약 1V의 출력 전압으로 변환하는 레벨 변환기 DD4-DD8을 통해 제어됩니다. 트랜지스터 VT9-VTXNUMX, VTXNUMX, VTXNUMX의 안정적인 개방. 요소 DD5.1, DD5.2의 입력은 두 개의 펄스 신호(미앤더)를 수신합니다. 반복 주기가 32ms인 경우 - 트리거 DD6.2의 역 출력과 클록 16ms에서 - 요소 DD5.4의 출력에서 .5.1. 이 전압으로부터 요소 DD5.2, DD8의 출력에서 각각 32ms의 반복 주기를 갖는 6.1ms 지속 시간의 펄스가 형성됩니다. 첫째, 펄스는 첫 번째 요소의 출력에 있고, 펄스가 끝난 후에는 두 번째 요소의 출력에 있습니다. 첫 번째 펄스의 목적은 잘못된 감지에 대한 보호이며 트리거 DD5.4의 입력 D에 들어가고 반전된 출력은 계속 낮은 전압을 유지하여 클록 펄스가 출력 DDXNUMX로 통과할 수 있도록 합니다. 두 번째 펄스의 목적은 테스트 중인 트랜지스터의 베이스(게이트)를 "폴링"하는 것입니다. 위에서 언급한 5.2개의 저항 회로 R3-R5, R12R17R19 및 R24R26R27은 DD1 요소의 출력에 연결됩니다. 1개, 13.1개 또는 13.4개의 저항을 선택하고 이에 따라 기본 전류는 SA16.3 스위치와 SB16.4 버튼의 접점 위치에 따라 결정되는 반면 아날로그 스위치 DD8-DD5, DD6, DD16 .6 이 회로에서 해당 저항을 분리하고 연결합니다. "폴링"은 npn 구조로 시작됩니다-9ms 동안 이러한 회로의 저항은 XNUMXV 공급 라인에 연결됩니다. 동시에 임계 값보다 큰 전압의 펄스가 전류에서 발생하지 않으면 센서 RXNUMX, 그런 다음 XNUMXms 동안 이 시간 간격이 지나면 이러한 회로의 저항이 공통 전원 라인에 연결됩니다. 즉, rr 구조에 대한 베이스의 "폴링"이 수행됩니다. 이 경우 지정된 펄스가 센서 RXNUMX에서 발생하지 않으면 할당된 시간 후에 카운터 디코더 DDXNUMX가 다음 상태로 전환됩니다. 강력한 스위치의 개방 및 폐쇄 트랜지스터 조합, 기지에 대한 오탐과 "심문"이 다시 반복됩니다. 나머지 저항 회로의 동작은 개방형 트랜지스터에 의해 차단되기 때문에 폴링은 강력한 스위치의 폐쇄형 트랜지스터가 있는 채널에서만 발생한다는 점을 상기해야 합니다. 임계값보다 큰 전압이 저항 R6에 나타나면 연산 증폭기 DA1.2의 비교기가 전환되고 펄스가 트리거 DD6.1의 입력 C로 전송되어 다음 상태로 전환됩니다. 역 출력에서 높은 논리 레벨 전압. 트랜지스터 VT7이 열리고 아날로그 스위치 DD10를 통한 ADC DD16.2의 입력이 테스트 중인 저전력 트랜지스터의 p14e를 측정하기 위해 두 번째 전류 센서인 저항 R21에 연결됩니다. SB1 버튼을 누르면 VT6 트랜지스터가 열리고 개방 아날로그 키 DD16.1을 통해 개방 전압이 VT5 트랜지스터의 게이트로 이동합니다. 저항 R6는 저항 R9과 병렬로 연결되고 저항 R14은 R13와 병렬로 연결됩니다. 이 경우 중간 및 고전력 트랜지스터가 테스트됩니다.
LCD 표시기 HG1은 테스트 중인 트랜지스터의 현재 전달 계수 값을 표시하고 표시기 HG2(왼쪽에서 오른쪽으로) - 핀 이름의 알파벳 문자, 오른쪽 숫자 - 구조의 알파벳 문자 전계 효과 트랜지스터의 바이폴라 또는 채널 유형 (그림 3). 테스트 대상 트랜지스터가 없거나 오작동하는 경우 p21e의 작은 값, 트리거 DD9의 입력 R에 공급되는 출력 7에서 높은 수준의 전압이 생성될 때까지 카운터 DD6.1의 스위칭이 멈추지 않습니다. 2, LCD 표시등 HG4 b", "b", "b"에 XNUMX개의 문자가 나타납니다(그림 XNUMX).
결론을 성공적으로 결정한 CN 입력과 불확실성이 있는 R 입력 모두에서 카운터 DD9를 전환하면 DD5.4 요소의 출력에서 나오는 클록 펄스가 중지됩니다. 이는 출력 상태를 의미합니다. 다음 리셋 펄스가 2초를 거쳐 도착할 때까지 강력한 스위치 및 코드 변환기가 고정됩니다. 개방 채널의 저항이 낮은 전계 효과 트랜지스터와 n21E가 1.1 이상인 복합 바이폴라 트랜지스터의 결과를 결정할 때 높은 전류가 흐를 수 있습니다. 따라서 DA7 연산 증폭기와 VT1.1 트랜지스터에 조립된 전류 제한 장치가 장치에 도입되었습니다. 220mV의 예시적인 전압이 연산 증폭기 DA2,2의 비반전 입력에 공급됩니다. 테스트 중인 트랜지스터를 통과하는 전류가 44A(고전력 트랜지스터의 경우) 또는 7mA(저전력 트랜지스터의 경우)로 증가하면 트랜지스터 VT5의 소스 전압이 예시적인 게이트 전압을 초과합니다. 트랜지스터 VT7 및 VT1의 수가 감소하고 테스트 중인 트랜지스터를 통과하는 전류가 제한됩니다. LCD 표시기 HGXNUMX은 과전류 신호를 표시합니다. 최상위 자리에 하나가 표시됩니다. DD12.4 요소의 출력 신호는 전압계 모드에서 복합 트랜지스터 및 전압을 테스트할 때 p1E 값을 천 단위로 표시하기 위해 HG21 LCD 표시기의 세 번째 자리에서 소수점을 나타내도록 설계되었습니다. DC 전압을 측정하기 위해 SA2 스위치는 "U" 위치로 전환되고 측정 프로브는 소켓 XS4, XS5 "전압계"에 연결됩니다. 이 모드에서는 SB2 "Battery" 버튼을 눌러 장치의 공급 전압을 제어할 수 있을 뿐만 아니라 h2i3을 측정하지 않고도 핀의 위치와 테스트된 트랜지스터의 구조를 결정할 수 있습니다. 저항 R13은 망가닌 또는 콘스탄탄 와이어 조각으로 만들어지고 나머지는 고정 저항 C2-23, MLT 또는 표면 실장 RN1-12이며 R30은 직렬로 연결된 여러 개의 조정 저항 SPZ-38B로 구성됩니다. 커패시터 - 세라믹 K10-17 또는 표면 장착용. 쇼트키 다이오드 1N5818(VD2, VD3)의 사용은 DD3 마이크로 회로의 최대 공급 전압을 얻음으로써 정당화되며, 이 다이오드는 Ha1N5817, 1 N5819 또는 D310으로 교체할 수 있습니다. 다이어그램에 표시된 전계 효과 트랜지스터 교체의 주요 기준은 개방형 트랜지스터 채널의 최소 저항입니다. 강력한 스위치 및 VT7의 트랜지스터의 경우 0,1V의 게이트 소스 전압에서 5 Om, VT0,01 -6 Ohm 및 / T2 - 4,5 Ohm 이하입니다. 2SK241 트랜지스터를 저전력 차단 전압으로 교체할 수 있습니다. 0,5 ... 1,5V. LM358N 연산 증폭기는 LM158, LM258, LM2904 연산 증폭기로 교체할 수 있습니다. 스위치 - VZOZZ, 버튼 - TS-0108, 소켓 X1-XZ - 가정용 2RMT 커넥터의 분해 소켓에서 금도금.
모든 부품은 각각 60x90mm의 5개의 범용 브레드보드에 장착되어 서로 위에 고정됩니다. 상단 보드에는 대부분의 미세 회로, 표시기, 테스트 중인 트랜지스터를 연결하기 위한 소켓, 스위치 및 버튼이 있습니다. 공간을 절약하기 위해 초소형 회로의 일부가 표시기 아래에 있으며 표시기를 쉽게 장착할 수 있도록 초소형 회로용 패널로 만든 소켓에 설치됩니다(그림 6). 배터리 홀더, 강력한 전계 효과 트랜지스터 및 연산 증폭기가 하단 보드에 설치됩니다(그림 0,25). 설치는 PTFE 절연 튜브가 있는 직경 0,3 ... XNUMX mm의 단일 코어 주석 도금 구리 와이어로 수행됩니다.
테스트 중인 트랜지스터의 단자 위치에 대한 정보를 올바르게 읽으려면 연결용 소켓을 XS3, XS2, XS1의 순서로 보드에 (왼쪽에서 오른쪽으로) 배치해야 합니다. 설치 중에 커패시터 C1 및 C2는 각각 미세 회로 DD1, DD5에 직접 설치됩니다. 고전류 회로(트랜지스터 VT1-VT9, 저항 R13, R14)의 설치는 짧은 전선으로 수행해야 합니다. ADC DD30(IN LO)의 핀 10은 간섭을 줄이기 위해 트랜지스터 VT5 소스의 출력에서 공통 와이어에 연결됩니다. 조정은 전압계 모드에서 저항 R10을 사용하여 장치를 교정하는 것으로 귀결되며, 이를 위해 전압은 예시적인 전압 소스의 입력에 적용됩니다. 저항 R29를 선택하면 트랜지스터 VT10의 게이트 전압이 0,5V로 설정됩니다. 저자: S. Glibin, 모스크바; 발행: radioradar.net
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