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이 목적을 위해 특별히 개발된 마이크로 회로의 펄스 IR 신호 수신기의 개략도가 그림 37에 나와 있습니다. XNUMX.

이 광검출기의 출력은 디지털 CMOS 칩의 입력에 직접 연결할 수도 있습니다. 그러나 출력 저항은 위에서 설명한 트랜지스터보다 낮지만 광검출기와 전자 신호 분석기를 연결하는 긴 선으로 버퍼 증폭기도 보완해야 합니다(그림 36, a, b 참조). 이 경우 통신 라인의 커패시턴스는 최대 0,01μF에 도달할 수 있습니다.

FD320 광다이오드는 FD263-01로 교체할 수 있으며 광검출기에 집광 렌즈가 있는 경우 부록 2의 거의 모든 광다이오드와 함께 사용할 수 있습니다.

칩에 적외선 수신기
쌀. 37. 칩의 IR 수신기

표 8
업핏,비 아이팟, mA
4,5 0,84
5,0 1,00
6,0 1,30
7,0 1,55
8,0 1,90
9,0 2,90

포토 헤드의 증폭은 0,3 ... 3 MΩ의 저항으로 증폭기의 입력을 분류하여 줄일 수 있습니다.

표 8은 파워 서플라이 Upp의 전압에 대한 포토헤드에 의해 현재 Iconsumed의 의존성을 보여줍니다.

간행물: cxem.net

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