사이리스터 코드 잠금. 계획, 설명

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사이리스터의 조합 잠금 장치. 무선전자공학 및 전기공학 백과사전

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조합 자물쇠를 설치할 때 키패드를 제어 회로 가까이에 배치하는 것이 항상 가능한 것은 아닙니다. 이 경우 브레인 코드의 올바른 조합을 기억하는 트리거로 사이리스터를 사용하면 CMOS 마이크로 회로에만 조립된 회로에 비해 더 높은 노이즈 내성과 의도적인 손상에 대한 저항이 제공됩니다.

그림 2에 표시된 다이어그램을 사용하면 낯선 사람의 건물 접근을 제한할 수 있습니다. 걸쇠를 여는 YA20 전자석을 활성화하려면 특정 순서로 1자리 코드(4개 중 가능)를 눌러야 합니다.

이 계획은 다음과 같이 작동합니다. 초기 상태에서는 저항 R1를 통해 제어 입력 D1 6/12에 로그 1이 공급되고 미세 회로의 내부 키가 닫힙니다. S4 S3 S2 S1 순서로 버튼을 누르면 해당 사이리스터 VS4, VS3, VS2, VS1이 교대로 열립니다. 저항 R8 R10을 통과하는 전류를 통해 트리거된 사이리스터를 켜짐 상태로 유지할 수 있습니다. 또한, 전화를 걸 때 실수로 다른 버튼을 누른 경우 D1 칩 요소의 키가 트리거됩니다. 3은 입력 D0에서 로그 1이 나타나는 것을 보장합니다. 1/6 - 키가 열리고 부분적으로 올바르게 입력된 코드가 재설정됩니다.

무화과. 2.20. 조합 자물쇠의 전기 다이어그램(확대하려면 클릭)

사이리스터 코드 잠금
쌀. 2.21. 트랜지스터 VT1의 교체 다이어그램

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쌀. 2.22. PCB 토폴로지 및 요소 레이아웃

번호를 올바르게 다이얼하면 저항 R6 R7을 통해 전류가 흐르고 트랜지스터 VT1이 열립니다. 그러면 전자석 YA1에 전원이 공급됩니다. 그리고 작동 후 오랜 시간 동안 전자석이 통전되지 않도록 요소 D1. 2는 커패시터 R11 C1의 충전 회로와 함께 작동 기간을 24초 간격으로 제한할 수 있습니다. 시간은 커패시터 C1의 값에 의해 결정됩니다. 커패시터 충전 중에 입력 D1 2/12의 전압이 스위치 임계값에 도달하자마자 로그 "0"을 제어 D1.1에 보내 모든 사이리스터를 원래 상태로 되돌립니다.

장치는 다이어그램에 표시된 것보다 더 넓은 범위 내에서 공급 전압이 변경될 때 작동할 수 있지만, 그 값은 사용되는 전자석의 안정적인 작동에 필요한 것에 따라 선택됩니다. 회로를 설정할 때 저항 R7과 커패시터 C1의 값을 선택해야 할 수도 있습니다.

트랜지스터 VT1은 높은 이득을 가지며 그림 2에 표시된 회로에 따라 두 개의 기존 트랜지스터로 대체될 수 있습니다. 21. 50. 사이리스터는 지정의 마지막 문자와 함께 사용할 수 있습니다. 커패시터는 35V의 작동 전압에 대해 K40 XNUMX를 사용하며 모든 저항이 작동합니다.

버튼 SB1은 실내에서 원격으로 자물쇠를 여는 데 사용되며 정격 전류는 3A여야 합니다.

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쌀. 2.23. 교체 가능한 코드 설정 플러그 X2 연결

변압기, 다이오드 VD5 VD8 및 전자석 YA1을 제외한 모든 회로 요소는 그림 2의 단면 인쇄 회로 기판에 있습니다. 22.

다이얼 버튼에서 코드 변경 및 회로 연결의 편의를 위해 필요한 와이어가 고정되는 M2,5 나사가 보드에 설치됩니다(그림 참조). 교체 가능한 코드 설정 플러그가 있는 추가 16핀 커넥터(X2, 그림 2)를 설치하는 경우 코드 변경에 몇 초가 걸립니다(필요한 조합에 대해 점퍼가 설치된 플러그를 미리 준비하는 경우). 코드 숫자).

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무화과. 2.24. 시간 제한 방식

초소형 회로의 요소 중 하나는 사용되지 않으며 이를 통해 코드 입력에 필요한 시간을 제한할 수 있으므로 코드 선택이 더욱 복잡해집니다. 이러한 연결 D1.4의 예가 그림 2.24에 나와 있습니다. XNUMX.

간행물: cxem.net

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