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전력 반도체 장치. 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT 또는 IGBT). 무선 전자 및 전기 공학 백과사전

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절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT) (영어 약어 IGBT - 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터)는 입력에 전계 효과 트랜지스터가 있고 출력에 바이폴라 트랜지스터가 있는 반도체 장치입니다.

이러한 조합 중 하나가 그림 7.4에 나와 있습니다. XNUMX. 이 장치는 바이폴라 트랜지스터 E(이미터) 및 C(컬렉터)의 출력에 의해 전원 회로에 도입되고 출력 G(게이트)에 의해 제어 회로에 도입됩니다.

따라서 IGBT는 세 개의 외부 터미널: 이미 터, 컬렉터, 게이트. 이미터 및 드레인(D), 베이스 및 소스(S) 연결은 내부에 있습니다. 하나의 구조에 두 개의 장치를 결합함으로써 전계 효과 및 바이폴라 트랜지스터의 장점인 높은 입력 저항과 높은 전류 부하 및 낮은 온 상태 저항을 결합할 수 있었습니다.

절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT 또는 IGBT)
쌀. 7.4. 옵션 중 하나는 온 상태에서 IGBT 구조의 전류 부하 및 낮은 저항입니다.

IGBT 구조

IGBT 구조의 개략도가 그림 7.5에 나와 있습니다. 7.5. 바이폴라 트랜지스터 (그림 XNUMX, a)는 p + (에미 터), n (베이스), p (컬렉터) 층으로 구성됩니다. 필드 - 레이어 n(소스), n+(드레인) 및 금속판(게이트). 레이어 p+ 및 p에는 전원 회로에 포함된 외부 리드가 있습니다. 셔터에는 제어 회로에 포함된 출력이 있습니다.

무화과. 7.5, b가 표시됨 XNUMX세대 IGBT 구조, "recessed" 채널 기술(트렌치 게이트 기술)에 따라 제작되어 p-베이스 사이의 저항을 제거하고 장치 크기를 여러 번 줄일 수 있습니다.

절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT 또는 IGBT)
쌀. 7.5. IGBT 구조: a - 표준 트랜지스터의 구조; 트렌치 게이트 기술을 사용하여 만든 트랜지스터의 b- 구조

작동 원리 및 특징

포함 프로세스 IGBT는 두 단계로 나눌 수 있습니다.

  • 1 단계 - 게이트와 소스 사이에 양의 전압을 가한 후 전계 효과 트랜지스터가 열립니다 (소스와 드레인 사이에 n 채널이 형성됨).
  • 2 단계 - 영역 n에서 영역 p로 전하가 이동하면 바이폴라 트랜지스터가 열리고 이미 터에서 컬렉터로 전류가 나타납니다.

따라서, 전계 효과 트랜지스터는 바이폴라의 작동을 제어합니다.. 완전히 켜진 상태에서 공칭 전압이 600-1200V 범위인 IGBT의 경우 바이폴라 트랜지스터와 마찬가지로 순방향 전압 강하는 1,5-3,5V 범위입니다.

이는 동일한 정격 전압을 가진 전도성 전력 MOSFET의 일반적인 전압 강하보다 훨씬 적습니다.

반면 공칭 전압이 200V 이하인 MOSFET은 IGBT보다 온 상태 전압이 낮고 낮은 작동 전압과 최대 50A의 스위칭 전류에서 이 점에서 타의 추종을 불허합니다.

속도면에서 IGBT는 MOSFET보다 열등하지만 바이폴라보다 훨씬 우수합니다. 전형적인 재흡수 시간 값 IGBT가 꺼졌을 때 축적된 전하와 전류 강하는 각각 0,2~0,4와 0,2~1,5μs 범위에 있다.

안전한 작업 공간 IGBT는 수백 암페어의 정격 전류를 가진 모듈에 대해 10~20kHz의 주파수에서 스위칭 경로를 형성하기 위한 추가 회로를 사용하지 않고도 안정적인 작동을 성공적으로 보장할 수 있습니다. 이러한 특성은 Darlington 회로에 따라 연결된 바이폴라 트랜지스터에는 없습니다.

개별 MOSFET이 최대 500V의 스위치 전원 공급 장치에서 바이폴라 MOSFET을 대체한 것처럼 개별 IGBT는 더 높은 전압 공급 장치(최대 3500V)에서 동일하게 작동합니다.

IGBT 모듈

IGBT 모듈 내부 배선도에 따라 다음을 나타낼 수 있습니다.

  • 단일 IGBT;
  • 두 개의 IGBT가 직렬로 연결된 이중 모듈(하프 브리지)(하프 브리지);
  • 단일 IGBT가 다이오드와 직렬로 연결된 초퍼;
  • 단상 또는 삼상 브리지.

절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT 또는 IGBT)
쌀. 7.6. IGBT 모듈 구성: a - 단일 IGBT; b - 이중 모듈; c - 컬렉터 차단기(쵸퍼); g - 이미 터 차단기 (초퍼)

인터럽터를 제외한 모든 경우에 모듈에는 각 IGBT와 병렬로 플라이백 다이오드가 내장되어 있습니다. 가장 일반적인 IGBT 모듈 연결 다이어그램은 그림에 나와 있습니다. 7.6.

개별 요소와 모듈의 주요 차이점

개별 장치와 고전류 모듈의 주요 차이점은 다른 회로 요소에 전기적으로 연결되는 방식에 있습니다. 이산 부품은 납땜을 통해 인쇄 회로 기판의 회로 요소에 연결됩니다.

인쇄 회로 기판의 접점 연결에서 전류의 최대값은 일반적으로 정상 상태 작동에서 100A를 초과하지 않습니다. 이는 병렬로 연결된 구성요소의 수에 자연적인 제한을 부과합니다. 반면 고전류 모듈에는 나사 단자가 있습니다. 따라서 케이블 러그에 연결하거나 부스바에 직접 연결할 수 있습니다. 고전류 모듈은 구멍을 통해 PCB에 직접 연결할 수도 있습니다.

모듈은 세 가지 버전으로 제공됩니다.:

  • 단일 키 방식(MDTKI 시리즈)에 따라;
  • 두 개의 키 구성표(M2TKI)에 따라;
  • 현재 인터럽터, 초퍼(MTKID 시리즈)의 방식에 따라.

트랜지스터는 초고속 복구 소프트 복구 다이오드(FRD)인 플라이백 다이오드에 의해 션트됩니다.

저자: Koryakin-Chernyak S.L.

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