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이 기사에서는 ROM 칩을 사용하여 장치의 기능을 유지할 뿐만 아니라 장치를 크게 확장하면서 장치를 크게 단순화할 수 있는 방법에 대한 예를 설명합니다.

11년 "라디오" 1981호에는 V. Kosinov의 "오실로스코프 화면의 숫자" 기사가 출판되었습니다. 여기에 제안된 숫자 생성 블록은 독창적인 아이디어와 사려 깊은 실행이 특징입니다. 나는 이 장치와 그 수정을 여러 번 반복하여 지속적으로 좋은 결과를 얻었습니다. 예를 들어, 요일을 표시하는 시계는 XNUMX빔 오실로스코프 화면에서 매우 인상적으로 보입니다.

진리표를 사용하여 장치의 작동을 설명할 수 있다면 ROM이 이를 완전히 대체할 수 있습니다. 더욱이, 언급된 디지트 생성 블록에서는 디코더와 코드 변환기뿐만 아니라 두 시프트 레지스터 모두 ROM으로 대체될 수 있습니다. 여기서:

  • 미세 회로의 수가 14개 이상 감소하므로 장치 전체의 효율성과 신뢰성이 향상됩니다.
  • 표시된 숫자는 더 읽기 쉬운 모양을 가지며 디스플레이 화면에 형성된 문자와 유사해집니다.
  • XNUMX진수 코드 기호가 표시됩니다.
  • 4x8 도트 매트릭스에 새겨진 임의의 기호를 표시하는 것이 가능해졌습니다.
  • 직접 출력과 역 출력 모두를 갖춘 멀티플렉서를 사용할 수 있습니다.

개선된 숫자 생성 블록의 구성이 그림에 나와 있습니다.

번호 생성 단위
(확대하려면 클릭하십시오)

장치에는 23개의 마이크로 회로만 포함되어 있습니다(원래 버전에는 1.1개). 여기서는 소수점 표시가 구현되지 않지만 가능성은 남아 있습니다. 클록 생성기는 DD1.3-DD8 요소로 조립됩니다. DD5 카운터에서는 2과 3로 나누어집니다. DD8은 각각 표시되는 각 숫자를 형성하도록 설계되었으며, DD1 카운터의 숫자 용량과 사용된 멀티플렉서가 오실로스코프 화면의 총 문자 수를 결정합니다. 다른 모든 변환은 단일 DSXNUMX ROM을 사용하여 수행됩니다.

V. Kosinov가 제안한 숫자 형성 원리에 대한 설명을 간략하게 반복하겠습니다. 각 기호는 4x8 포인트(V. Kosino의 경우 - 4x7) - 수직으로 8개, 수평으로 4개의 크기를 갖는 경사 행렬 형태로 표시됩니다. 오실로스코프의 스위프에 의해 제공되는 빔의 상대적으로 느린 수평 이동과 DAC 출력 전압의 수직 편차가 입력에 적용될 때 발생하는 빠른 수직 계단 이동으로 인해 매트릭스가 형성됩니다. 저항 R4-R11로 구성됩니다. 수직 단계 수는 8입니다. 이는 DD2 카운터 작동의 전체 0사이클에 해당합니다. 각 문자에는 1개의 조명 점으로 구성된 약간 기울어진 2개의 수직 그룹이 있습니다(DD3 카운터의 상태 3, 4, 3, XNUMX). 문자 사이의 간격은 이러한 꺼진 그룹 중 하나입니다(DDXNUMX 카운터의 상태 XNUMX).

DS0 칩의 출력 중 하나에서 논리 1이 번갈아 나타나기 때문에 익숙한 위치의 수직 스캐닝이 발생합니다. 친숙도 포인트를 소멸시켜야 하는 경우 모든 DS1 출력에 로그 수준이 설정됩니다. 1. 이 경우 빔은 오실로스코프 화면을 넘어갑니다.

DD4 카운터의 상태 3에서 친숙 지점 사이의 간격을 억제하기 위해 모든 DS0 ROM 출력을 고임피던스 상태로 전환하는 것이 CE1 입력에서 사용됩니다. 테이블에 그림 1은 매트릭스와 테이블의 모든 지점을 나타낼 때 오실로스코프 빔의 이동 순서를 보여줍니다. 2 - 숫자 8을 나타낼 때.

번호 생성 단위

필요한 모든 기호를 생성하려면 논리 0을 ROM의 해당 주소에 기록해야 하며, 이는 오실로스코프 화면에서 발광점의 위치를 ​​결정합니다. 테이블에 그림 3은 ROM에 있는 셀의 상대 주소를 보여줍니다. 매트릭스의 필요한 위치 0을 강조 표시하기 위해 8을 써야하는 해당 비트와 숫자 "8"에 대한 해당 셀의 주소입니다.

번호 생성 단위

4진수 코드의 모든 문자를 표시하기 위한 ROM의 내용이 표에 나와 있습니다. 4. 최하위 이진수 7개는 표시된 문자 XNUMX개에 해당하며, ROM에 있는 이 기호의 주소는 다음 이진수 XNUMX개로 지정됩니다. 이 주소는 멀티플렉서 DDXNUMX-DDXNUMX의 출력에서 ​​제공됩니다.

번호 생성 단위
(확대하려면 클릭하십시오)

메모리 용량은 16개 문자로 구성된 556가지 세트를 설명하기에 충분합니다. 다이어그램에 표시된 것 대신 적절한 포함에 KR17RTXNUMX ROM을 사용할 수 있습니다.

숫자의 크기는 4x7이기 때문입니다. 제안된 장치의 ROM 출력 중 하나는 사용되지 않을 수 있습니다. 이렇게 하려면 저항 R4를 제외해야 합니다. 여덟 번째, 최종선은 표시되지 않습니다.

장치 설정은 클록 생성기(요소 R1.C1)에 필요한 주파수를 설정하고 DAC 저항기(R4-R11)의 저항을 명확하게 하는 것으로 요약됩니다. 허용 가능한 정확도로 화면의 지점 위치는 병렬 연결된 두 개의 저항을 사용하여 선택할 수 있습니다. 그 중 하나는 가장 가까운 높은 값이고 두 번째는 1-20kOhm의 저항입니다.

저자: A.Marievich, Voronezh

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첫 번째는 3,2GHz의 최대 주파수에서 실행되는 메인 코어로 구성됩니다. 두 번째는 최대 주파수가 2,8GHz인 2,0개의 코어로 구성된 클러스터이고 마지막으로 최대 주파수가 XNUMXGHz인 XNUMX개의 코어가 있는 효율성을 위해 설계된 코어 클러스터가 있습니다.

Qualcomm은 이 프로세서가 이전 세대가 직면한 주요 문제 중 하나인 와트보다 최대 60% 더 효율적이라고 약속합니다. 그들이 달성한 최고 성능은 훌륭했지만 시간이 지남에 따라 소비가 불규칙했고 과열을 방지하기 위해 성능을 낮춰야 했습니다. 이 2세대를 사용하면 최소한 서류상으로는 문제를 잊을 수 있습니다. 더 효율적인 것 외에도 회사는 이전 세대에 비해 35% 더 빠른 프로세서와 40%의 전반적인 전력 절감을 약속합니다.

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