ESL 신호 변환기 증폭기. 구성표, 설명

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독자의 관심을 끌기 위해 제공되는 장치는 ESL 신호를 증폭하고 변환하도록 설계되었습니다. 디자인이 설정되기 전에 범위와 출력 신호의 일정한 구성 요소를 독립적으로 조절하고 최대 범위에서도 양의 펄스와 음의 펄스를 모두 얻을 수 있는 가능성이 설정되었습니다.

증폭기의 두 조정기는 RF 신호 전압 아래에 있지 않으므로 사용자에게 편리하도록 서로 약간의 거리를 두고 분리할 수 있습니다. ESL 신호 발생기와 함께 전력 증폭기는 디지털 및 아날로그 장치를 확립하고 연구하는 데 사용되었습니다.

주요 기술 특성

ECL 입력 신호 로직 레벨, V 높음 .......-0,8
낮음 .......-1,6
입력 임피던스, kOhm 이상 .......0,6
출력 임피던스, 옴.......50
저항이 50 옴인 부하에서 출력 전압 스윙, V 이상 ....... 2,5
출력 펄스의 상승 및 하강 시간, ns, 더 이상 .......10
임펄스의 수평 상단으로부터의 편차, % 이상 .......5

쌀. 1 (확대하려면 클릭)

증폭기 회로가 그림에 나와 있습니다. 증폭기의 입력 단계는 차동이며 트랜지스터 VT1의 전류 생성기와 함께 트랜지스터 VT2 및 VT4에 조립됩니다. 다이오드 VD2 및 VD3은 기준 전압(-1,2V)을 설정합니다. ESL 로직 레벨과 기준 전압 간의 차이는 최소 200mV이며, 이는 차동 스테이지의 완전한 스위칭에 충분합니다[1].

트랜지스터 VT3의 이미 터 팔로워는 조정 가능한 차동 스테이지 전원 공급 장치의 기능을 수행합니다. 출력 전압의 상한(양) 레벨은 저항 R3에 의해 설정된 전압에 따라 달라집니다.

트랜지스터 VT4 베이스의 전압이 변경되면 차동 스테이지의 전류가 변경됩니다. 출력 전압 스윙은이 전류에 따라 달라지며 VT3 트랜지스터를 기준으로 전압에 의해 설정된 상위 (양) 레벨은 실제로 변경되지 않으며 하위 (음) 레벨은 VT4 트랜지스터의 전류에 따라 달라집니다. 생성된 직사각형 펄스는 이미 터 회로의 전류 소스 VT5을 사용하여 트랜지스터 VT7에서 만들어진 이미 터 팔로워에 공급됩니다.

저항 R6 및 R15과 함께 트랜지스터 VT16은 다극 출력 전압을 얻는 데 필요한 일정한 구성 요소의 레벨을 이동하도록 설계된 제너 다이오드의 아날로그를 형성합니다.

LED HL1 양단의 전압 강하는 트랜지스터 VT7의 전류 소스에 대한 기준으로 사용됩니다.

출력단은 트랜지스터 VT8(이미터 팔로워) 및 VT9에 전류원으로 구축됩니다. 전류는 약 80mA입니다. 인덕터 L1은 이미 터 회로의 임피던스를 증가시켜 고주파에서 전류원의 출력 임피던스를 증가시킵니다. 제너 다이오드 VD5는 트랜지스터 VT8에서 소비되는 전력을 줄입니다. 저항 R22는 증폭기의 출력 임피던스를 결정하고 이를 부하와 일치시킵니다.

트랜지스터 VT1, VT3, VT4, VT5, VT8, VT9의 기본 회로에 있는 저항은 증폭기의 기생 자기 여기 발생을 방지합니다.

증폭기의 입력 논리 레벨은 트랜지스터 VT2를 기준으로 기준 전압을 적절하게 선택하여 변경할 수 있지만 차동 스테이지 트랜지스터의 포화가 없는지 확인해야 합니다.

나는 증폭기의 인쇄 회로 기판을 설계하지 않았습니다. 전도성 층과 리드가 제거된 MLT-0,25 저항으로 만든 랙에 조립하고 호일 유리 섬유 판에 납땜했습니다.

트랜지스터를 선택할 때 VT3, VT6, VT7을 제외하고 모두 기본 전류 전달 계수의 차단 주파수가 900MHz 이상이어야 한다는 점을 기억해야 합니다. 트랜지스터 VT7의 허용 전력 손실 - 200mW 이상; 열 체계를 용이하게 하기 위해 방열판은 직경 0,5 ~ 1mm의 나선형 구리 또는 황동 와이어 형태로 링에 감겨 몸체에 배치되어야 합니다[2].

초크 L1 - DM-0,6, L2 및 L3 - DPM-1,2.

트랜지스터 VT6에서 제너 다이오드 아날로그의 안정화 전압은 약 5V 여야하며 저항 R15를 선택하여 설정됩니다. 트랜지스터 VT6 대신 스태빌라이저 KR142EN19 (TL431)를 사용할 수 있습니다. 제어 출력은 트랜지스터의베이스로, 음극은 컬렉터로, 양극은 이미 터로 연결됩니다. 이 경우 저항 R16가 아닌 R15을 선택해야 합니다. 최적은 비율 R15-R16에 해당해야 합니다.

출력 트랜지스터 VT8 및 VT9는 사용 가능한 면적이 50cm2 이상인 방열판에 설치해야 합니다.

증폭기를 조정하기 위해 가변 저항 R2 및 R3의 슬라이더는 구성표에 따라 위쪽 위치로 설정되고 주파수가 1 ~ 2kHz 인 ESL 레벨의 직사각형 펄스가 입력에 공급됩니다. 저항 R15를 선택하면 출력에 일정한 구성 요소가 없습니다. 구성표에 따라 트랜지스터 VT1 및 VT2가 R3 엔진의 낮은 위치에서 포화 상태가 되지 않도록 하십시오(트랜지스터 콜렉터의 전압은 항상 기본 전압보다 커야 함).

50ohm 저항으로 앰프를 로드하고 오실로스코프를 사용하여 주파수를 약 100kHz로 증가시키면서 출력 펄스의 모양(펄스의 전면 및 하강의 가파른 정도, 스파이크의 진폭, 상단).

문학

Naiderov V. Z., Golovanov A. I., Yusupov Z. F., Getman V. P., Galperin E. I. 미세 회로의 기능 장치. -M.: 라디오 및 통신, 3, p. 3-1985.
Plotnikov V. 저전력 반도체 소자용 라디에이터. - 라디오, 1973, No. 7, p.27.

저자: E. 맘마도프

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