터치 컨트롤이 있는 고전류 전자 키. 계획, 설명

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터치 컨트롤이 있는 고전류 전자 키. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전

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이 설계는 고전류(최대 30 ... 40A)를 소비하고 전압이 2905볼트에 불과한 DC 소스로 전원을 공급받는 다양한 장치를 전환하기 위한 것입니다. 키의 기본은 강력한 전계 효과 스위칭 트랜지스터 IRLR2001 또는 이와 유사한 것입니다(Radio, 5, No. 45, p. 0,027의 참조 시트 "International Rectifier의 강력한 전계 효과 스위칭 트랜지스터" 참조). 열린 채널의 저항은 2 옴을 초과하지 않으며 제어 (개방)하려면 게이트에 XNUMXV 이상의 전압을 가하면 충분합니다.

공급 전압이 5V 미만인 경우 장치 변형을 사용해야 하며 그 회로는 그림 1에 나와 있습니다. 1. 이렇게 작동합니다. 센서 요소 E1을 만지면 커패시터 C1을 통한 픽업 전압이 제너 다이오드 VD2에 조립 된 정류기에 공급됩니다. 네거티브 반파는 제너 다이오드를 통해 공통 와이어에 닫히고 포지티브는 이에 의해 제한되며 저항 R1를 통해 트랜지스터 VT3의 게이트로 전달됩니다. 커패시터 CXNUMX은 정류된 전압의 리플을 평활화합니다. 양의 게이트 전압이 트랜지스터를 켜고 전류가 RH 부하를 통해 흐릅니다.

터치 컨트롤이 있는 고전류 전자 키

키는 최대 55V의 공급 전압에서 작동할 수 있으며 사용된 트랜지스터에 의해 결정된 최대 전류(이 경우 40A)를 소비하는 부하를 전환할 수 있습니다. 부하 저항이 본질적으로 유도성인 경우 장치에 VD2 다이오드를 도입하는 것이 바람직합니다.

공급 전압이 5V 이상이면 트랜지스터를 구동하는 데 사용할 수 있습니다. 이 경우 센서 요소는 E1과 E2의 두 판으로 구성되며(그림 2) 두 판을 모두 만지면 저항이 변경됩니다. 초기 상태에서 판 사이의 저항이 높고 트랜지스터 게이트의 전압이 XNUMX에 가까워 닫힙니다. 핑거 플레이트를 만지면 그 사이의 저항이 감소하고 트랜지스터 게이트에 일정한 전압이 흐르고 열립니다.

터치 컨트롤이 있는 고전류 전자 키

다이오드 VD2 및 제너 다이오드 VD1은 정전기 픽업 및 전하로부터 트랜지스터를 보호하며 제너 다이오드는 또한 게이트에서 정전압의 최대 값을 제한합니다. 첫 번째 옵션과 마찬가지로 터치 요소를 터치하는 동안 키가 열립니다.

언급된 참조 시트 위의 표에서 색상으로 강조 표시된 모든 트랜지스터를 장치에 사용할 수 있습니다. 물론 이 경우 타이머에 의해 스위칭되는 최대 전류는 사용되는 트랜지스터의 종류에 따라 결정됩니다. 커패시터 - K10 - 17, KLS, 저항기 - MLT, C2 - 33, P1 - 4, P1 - 12. 제너 다이오드 - 최소 안정화 전류가 낮은 5,1 ~ 10V의 모든 저전력 소형 안정화 전압. 저전력 유도 부하의 경우 그림의 VD2 다이오드. 1 - 모든 문자 색인이 있는 KD102, KD103, KD105, 강력한 경우 - KD109A - KD109V, KD212A, KD212B 또는 이와 유사한 것.

장치의 첫 번째 버전의 경우 센서 요소를 작은 접촉 패드 형태로 만들 수 있습니다. 두 번째 옵션의 경우 두 개의 전도성 패드와 그 사이의 간격이 1 ~ 2mm 인 단면 호일 유리 섬유 판 형태로 만들 수 있습니다.

부하 전류가 상당한 경우 연결 와이어는 적절한 섹션이어야 합니다.

저자: I. Nechaev, 쿠르스크

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