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라디오 전자 및 전기 공학의 백과사전 메모리 장치. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전
무선 전자 및 전기 공학 백과사전 / 초보자 라디오 아마추어 램 RAM 칩은 바이폴라 및 MIS 트랜지스터를 기반으로 구축되었습니다. 첫 번째 메모리 요소는 간단한 트리거이고 두 번째는 요소의 단일 상태에 해당하는 전압으로 충전되는 트리거 또는 커패시터입니다. 바이폴라 트리거 마이크로 회로는 상당한 성능을 가지며 MIS 마이크로 회로는 더 큰 저장 용량을 갖습니다. 또한 MIS 칩은 훨씬 적은 에너지를 소비합니다. 트리거 RAM의 일반적인 예는 병렬 레지스터입니다. 14비트의 정보가 저장된 모든 구성 요소는 XNUMX핀이 있는 하나의 패키지에 들어있어 XNUMX개 메모리 요소의 모든 입력 및 출력에 대한 액세스를 제공합니다. 저용량 RAM을 만들 때 별도의 레지스터 형태로 메모리를 구성하는 것이 사용됩니다. RAM 용량이 증가함에 따라 패키지의 제한된 수의 핀으로 인해 각 메모리 요소에 액세스하는 문제가 발생합니다. 이 문제는 주소 코드 디코더를 사용하여 메모리의 주소 구성을 사용하여 해결됩니다. 앞에서 언급했듯이 n개의 주소 입력을 가진 디코더는 2개를 해독합니다.n 상태. 따라서 16개의 입력을 사용하면 10~1024개의 요소가 있는 XNUMX개의 메모리 요소에 액세스할 수 있습니다. 주소 지정 가능한 저장 장치는 메모리 요소 배열(드라이브), 주소 샘플링 장치(주소 디코더) 및 제어 장치의 세 가지 주요 블록으로 구성됩니다. 64개의 16비트 단어(16개 단어 x 4비트 = 64비트)로 구성된 주소 지정이 가능한 샘플링 구성을 갖춘 XNUMX비트 RAM의 예를 사용하여 이러한 블록의 목적과 상호 작용을 고려해 보겠습니다. 이러한 마이크로 회로의 기존 이미지와 기능 다이어그램이 그림 1, a에 나와 있습니다. 메모리 어레이는 16개의 0비트 트리거 체인으로 구성됩니다. 신호 V=1일 때 설정된 주소 A4-A7에 해당하는 체인 중 하나가 작동 상태로 들어가고 해당 신호는 AND 요소(10-1)의 입력으로 전송됩니다. V-0 신호의 경우 모든 DC 출력은 낮은 레벨에 있으므로 모든 플립플롭은 드라이브 출력 버스에서 연결이 끊어집니다. V=0, W=0일 때 선택된 체인에 정보 입력 신호(D4-D1)가 공급되고 요소 1에서 기록 신호가 생성됩니다. 이 모드에서는 RAM 입력의 정보를 변경할 때 배열의 이 워드에 있는 정보를 덮어씁니다. 신호 V=0 및 W=1을 사용하면 입력 정보가 트리거 어레이를 우회하여 마이크로 회로의 출력으로 직접 전달됩니다(디코더는 어떤 회로도 선택하지 않음). 그리고 마지막으로 V=1이고 W=XNUMX인 경우 디코더, “Record” 신호를 생성하는 노드 및 AND 입력 요소의 동작이 금지됩니다.
따라서 제어 장치(XNUMX개의 AND 요소)는 쓰기, 읽기, 종단 간 전송, 정보 저장 모드에서 RAM의 작동을 보장합니다. 출력 AND 게이트는 개방형 컬렉터 회로로 구현되어 여러 RAM 칩의 Q 출력을 함께 연결할 수 있습니다. 이 경우 RAM 용량이 증가합니다. 칩 32개 - 48개 단어, XNUMX개 - XNUMX개 등. 모든 미세 회로의 주소 제어 A1-A4, 정보 입력 D1-D4 및 출력 Q1-Q4가 공통 버스로 결합되고 작업 배열 선택은 입력 V 및 W를 사용하는 추가 디코더에 의해 수행됩니다. 이것이 K155RU2의 방법입니다. 마이크로 회로가 구축되었습니다(그림 1, b).
단일 패키지에 수십만 비트 용량의 RAM을 설계할 때 이러한 수의 출력을 가진 암호 해독기를 만드는 것이 어려워집니다. 이러한 문제는 각 메모리 요소가 하나의 버스가 아닌 두 버스(행과 열)에 걸쳐 샘플링되는 매트릭스 드라이브를 구성함으로써 극복되었습니다. 이러한 256비트 RAM의 기능 다이어그램은 그림 2에 나와 있습니다. 256개 셀을 선택하려면 16개의 주소 입력이 필요합니다. 이는 두 개의 쿼드러플(quadruple)로 나누어지며, 각 쿼드러플은 1개 위치에 대한 디코더를 제어합니다. 신호 A8-A1의 조합에 대해 행 버스와 열 버스의 단일 신호 값은 하나의 메모리 요소에만 나타납니다. 이 요소만이 공통 버스(CS(Chip Select) 칩 선택, 비트 버스 0, 비트 버스 XNUMX)를 따라 이동하는 제어 신호를 인식합니다. 로컬 제어 장치(XNUMX개의 AND 요소)의 논리 구조를 분석하면 다음과 같은 테이블을 만들 수 있습니다. 이 RAM의 작동 모드.
정보 기록 및 저장 모드에서 RAM의 출력 증폭기는 세 번째 상태(저항이 높은 상태)에 있으므로 K155RU2 마이크로 회로와 동일한 방식으로 메모리 용량을 늘릴 수 있습니다. K176RU2 및 1K561RU2 마이크로 회로의 핀아웃(이 구조의 RAM은 KMDP 기술을 사용하여 만들어졌습니다. 그림 2b에 나와 있습니다. 이를 사용하면 주소 정보(A1-A8) 및 정보 입력이 높은 수준에서 변경되어야 한다는 점을 기억해야 합니다. CS 신호의 기록 모드 및 읽기 모드와 동일합니다. 그렇지 않으면 이전에 기록된 정보가 파괴됩니다. 정보는 CS=0,1 신호 시작 최소 0μs 전 또는 종료 후 0,5μs 이전에 변경되어야 합니다. . ROM 영구 메모리는 그 안에 저장된 정보만 읽을 수 있도록 허용합니다. ROM에는 각 n비트 주소에 대해 미리 설정된 하나의 m비트 워드가 포함되어 있습니다. 따라서 ROM은 주소 코드를 워드 코드로 변환하는 장치, 즉 n개의 입력과 m개의 출력을 갖는 조합 시스템입니다. ROM 드라이브는 일반적으로 상호 수직 버스 시스템의 형태로 만들어지며, 교차점에는 해당 수평 및 수직 버스를 연결하는 요소(논리 1)가 있거나 없는(논리 0) 요소가 있습니다. 단어는 디코더를 사용하여 RAM과 동일한 방식으로 샘플링됩니다. 증폭기 출력 트랜지스터는 개방형 컬렉터 또는 세 번째 상태일 수 있습니다. 그런 다음 스트로브 신호 V=1이면 마이크로 회로가 출력 버스에서 분리되어 ROM 칩의 출력을 간단히 결합하여 메모리를 확장할 수 있습니다. 현재 직렬 및 병렬 유형 모두에서 엄청난 양의 ROM, 즉 비휘발성 메모리가 생산되고 있습니다. 이 기사에서는 병렬 ROM에 대해서만 설명하겠습니다. 왜냐하면 다음과 같은 순차 ROM에 대해 이야기하기 때문입니다.2. 일회용 프로그래밍 가능 ROM k155re3을 고려해 보겠습니다. 정보 용량은 256비트, 조직 32x8입니다. 이러한 ROM에서 메모리 요소는 번인 점퍼가 있는 바이폴라 트랜지스터입니다. 0을 써야 하는 셀에 프로그래밍할 때 점퍼를 파괴하기에 충분한 전류 펄스가 트랜지스터를 통과합니다. 자외선 소거 기능이 있는 칩 K573RF6 ROM, 메모리 크기 64Kbit 조직 8192x8. 초소형 회로에는 하우징에 창이 있으며 자외선으로 지울 때 사용됩니다. 지우고 나면 이 창은 불투명 필름으로 밀봉됩니다. 삭제 후 모든 셀은 논리적인 하나의 상태에 있습니다. 마이크로 회로는 전원 공급 장치 전압이 25V이고 입력 -OE 전압이 높을 때 프로그래밍 모드에서 작동합니다. 정보를 쓰려면 데이터 출력에 데이터 바이트를 제출해야 합니다. 주소 신호와 데이터 신호는 TTL 레벨입니다. 주소 및 입력 정보가 설정되면 TTL 레벨 및 지속 시간이 50ms인 프로그래밍 펄스가 -CE/PGM 입력에 적용됩니다. 기록되는 정보의 각 바이트에 대해 프로그래밍 펄스가 제공됩니다. 각 셀을 프로그래밍한 후에는 올바르게 프로그래밍되었는지 확인해야 합니다. ROM에서 읽은 바이트가 기록 중인 바이트와 일치하지 않으면 이 셀에 대한 프로그래밍 절차를 반복해야 합니다. 작성자: -=GiG=-, gig@sibmail; 간행물: cxem.net
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