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AF 전력 증폭기(80와트). 무선 전자 및 전기 공학 백과사전

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무선 전자 및 전기 공학 백과사전 / 트랜지스터 전력 증폭기

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AF 증폭기는 고조파 및 상호 변조 왜곡 계수가 매우 낮고 비교적 간단하고 부하의 단기 단락을 견딜 수 있으며 출력단 트랜지스터의 열 전류 안정화를 위한 외부 요소가 필요하지 않습니다.

주요 기술 특성

저항이 4m인 부하에서 최대 전력, W. . . 0
공칭 주파수 범위, Hz. . . 20...20 000
최대 고조파 왜곡
출력 전력 80W, %, 주파수:
1kHz. . . 0,002
20kHz. . . 0,004
상호 변조 왜곡 계수, % . . . 0,0015
최대 주파수
전력은 1dB, kHz로 감소합니다. . . 오십
출력 슬루율
전압 (커패시터 C2 제외), V / μs. . . 40

AF 파워 앰프(80와트)
그림. 1

증폭기의 회로도는 그림 1에 나와 있습니다. 1. 출력단이 변경되었습니다. 입력 저항을 높이기 위해 트랜지스터 VT2, VT1가 AF 증폭기에 도입됩니다. 이는 연산 증폭기 DA3의 작동을 용이하게 하고 온도가 변할 때 트랜지스터 VT4, VT5의 안정적인 베이스 이미 터 전압을 보장할 수 있게 했습니다. 또한 증폭기는 트랜지스터 VT6, VT33의 캐스케이드로 보완되며, 전류 센서 R34, R7 및 트랜지스터 VT10-VTXNUMX의 출력 단계와 함께 유휴 모드에서 두 개의 전류 생성기를 형성하여 이미 터 전류의 차단을 제거합니다 마지막 단계의 트랜지스터의 스위칭 왜곡을 줄입니다. 후자는 알려진 바와 같이 고조파 스펙트럼에 유리하게 영향을 미칩니다.

이러한 변경 사항 외에도 트랜지스터 VT3, VT4의 이미 터 회로에서 저항의 저항을 증가시켜 출력단의 각 암에 더 깊은 로컬 OOS가 도입되어 출력단을보다 선형으로 만들었습니다. 저항 R20, R21이 전류 센서 R33, R34에 연결되어 있기 때문에 최종 단계의 트랜지스터의 대기 전류에 대한 다소 엄격한 열 안정화가 얻어집니다. . 트랜지스터 VT20, VT90의 기본 회로에 전류 센서 R150, R180, 깊은 DC 피드백 및 전류 제한 저항이 있으면 부하의 단락 중에 컬렉터 전류를 허용 가능한 값으로 제한합니다. 저항 R33는 출력단의 어깨의 대칭을 설정합니다.

증폭기에 대한 다른 변경 사항은 없습니다. 비선형 왜곡은 ZCh GZ-1 신호 발생기(Kg - 약 68%)와 발생기 키트에 포함된 정밀 이중 T 브리지를 사용하여 S118-0,002 오실로스코프로 측정되었습니다. 측정은 Yu. Mitrofanov의 "Economic mode A in a power amplifier"("Radio", 1986, No. 5, pp. 40-43 참조)의 기사에 설명된 방법에 따라 수행되었습니다. 상호 변조 왜곡 계수는 V. Kostin "Psychoacoustic sound quality criteria and selection of UMZCH parameters"("Radio", 1987, No. 12, p. 40-43 참조)의 기사에 제공된 권장 사항에 따라 측정되었습니다. 펄스 신호로 증폭기를 테스트할 때 출력 전압에서 스파이크가 관찰되지 않았습니다.

저자: G. Bragin; 간행물: cxem.net

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준금속 게르마늄과 같은 물질의 구멍은 스핀 큐비트의 우수한 후보입니다. 과학자들은 게르마늄과 실리콘의 다양한 층에서 나노구조를 구축하여 구멍을 XNUMX차원 영역으로 제한할 수 있었습니다.

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