KT805(20W)의 간단한 전력 증폭기. 계획, 설명

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클래스 B 증폭기 무선 전자 및 전기 공학 백과사전

무료 기술 라이브러리

우리는 당신에게 클래스 앰프를 제공합니다 В 다음과 같은 특성이 있습니다.

공급 전압, V	+ 24
입력 저항, kOhm	10
정격(최대) 출력 전력, W:	40 (60)
재현 가능한 주파수 범위, Hz	20 ... 20000
비선형 왜곡 계수, %	0,08

계획

(확대하려면 클릭하십시오)

출력단의 트랜지스터를 전압이 아닌 전류로 제어하여 비선형 왜곡을 극도로 감소시켰습니다. 즉, 트랜지스터 VT1 및 VT2는 VT3 및 VT4에 대한 전류 소스입니다.

깊은 세부 사항으로 들어가지 않고, 무책임한 시민이 출력 트랜지스터의 라디에이터에 맥주를 뿌릴 때까지이 앰프가 매우 오랫동안 튜닝없이 조립 및 작동되었다고 말할 수 있습니다. 어떤 이유로 그들은 그것을 좋아하지 않았습니다.

그럼에도 불구하고 회로 작성자가 설명한이 증폭기의 튜닝 방법을 제공하고 싶습니다.

우선 부하 없이 저항 R7 및 R8을 선택하여 트랜지스터 VT1 및 VT2의 베이스에 0,4-0,5볼트의 전압을 설정합니다. 그런 다음 저항 R5는 증폭기의 출력에서 XNUMX 전압을 설정합니다. 그 후, 부하가 연결되고 이 모든 것에서 일어난 일을 듣습니다.

증폭기는 요소 선택에 중요하지 않으며 트랜지스터를 선택할 필요가 없습니다. 연산 증폭기 K140UD8A는 K574UD1 또는 K544UD2로 교체할 수 있습니다. 출력단 트랜지스터는 면적이 600제곱미터 이상인 라디에이터에 장착됩니다. 1 평방 미터의 별도 라디에이터에 트랜지스터 VT2 및 VT60를 참조하십시오. 센티미터.

출판: radiokot.ru

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Stanen은 그래핀의 경쟁자입니다. 29.11.2013

주석(stanene)의 XNUMX차원 층은 훨씬 더 높은 수준의 전하 이동성을 나타낼 수 있으며 이러한 특성은 실온에서 나타납니다. Physical Review Letters의 기사에 대한 자세한 내용은 Stanford National Accelerator Laboratory에서 제공합니다.

Stanford University의 과학자들은 독일(Max Planck Institute for Solid State Physical Chemistry) 및 중국(Tsinghua University)의 동료들과 함께 Ab initio 계산을 수행했습니다. 이것은 양자 역학의 원리에서 직접 계산(일반적으로 상당히 복잡하고 번거로운)을 통해 결과를 얻는 특별한 종류의 계산입니다.

주석 원자의 XNUMX차원 층에 대한 시뮬레이션을 통해 이러한 물질에서 스핀 홀 효과가 관찰되어야 하고 또한 평평한 주석은 위상 절연체여야 한다는 것을 확립할 수 있었습니다. 이러한 특성의 조합은 과학자들이 이론적으로 예측된 형태의 주석이라고 부르는 stanen을 만드는 것으로, 마이크로일렉트로닉스에 사용하기에 유망한 재료입니다.

위상 절연체는 얇은 표면 근처 층에서만 전류를 전도하는 재료입니다. 이 현상은 표피 효과(교류가 주로 도체 표면 근처에 흐른다)와 근본적으로 다르며 절연체에서 관찰할 수 있습니다. 납작한 주석의 경우 물리학자들은 stanen 필름을 통한 전류가 가장자리를 따라 흐를 것이라고 말합니다.

그것을 예측한 과학자들에 따르면 Stanen은 마이크로 전자 장치를 만드는 데 사용될 수 있습니다. 특히 전하의 높은 이동성은 마이크로 회로의 전력 소비를 감소시킬 것이며 양자 스핀 홀 효과는 전하뿐만 아니라 스핀 전류로도 작동하는 컴퓨팅 시스템인 스핀트로닉스에 적용될 수 있다.

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