Alinco DJ-191의 수정. 계획, 설명

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Alinco DJ-191의 수정. 무선 전자 및 전기 공학 백과사전

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알린코 DJ-191T를 구매했는데 등록하고 싶습니다. 그러나 수신 및 전송 모두에 대해 130MHz에서 174MHz 범위에서 작동합니다. Gossvyaznadzor는 이것을 오해할 것입니다. 스테이션을 144-146MHz 범위로 구동하는 데 필요합니다. 그것을 하는 방법? 일반적으로 이 장치(거의 모든 부르주아 장치와 마찬가지로)는 폐쇄 및 개방의 두 가지 모드로 작동합니다. 대부분의 스테이션에서 이것은 점퍼를 찌르고 배선이나 부품(보통 다이오드)을 제거하여 수행됩니다. My Alinco는 프로그래머와 함께 이 작업을 수행합니다. ERW-4 케이블을 조립하고 프로그램을 실행하고 매개변수를 설정하고 스테이션을 배선했습니다. 계획과 프로그램은 "쿠반 라디오 아마추어 사이트"에서 가져갈 수 있습니다. 폐쇄 스테이션은 144MHz에서 작동하기 시작했지만 최대 148MHz입니다. 가지 않을 것입니다. 마지막에 잘못된 글자. 러시아의 라디오 아마추어가 사용하려면 끝에 문자 "E"가 있는 이러한 유형의 방송국만 적합합니다. 무엇을 할까요?

일반적으로 괜찮은 장치의 경우 점퍼, 다이오드, 저항의 유무에 따라 모델이 변경됩니다. 결국 부르주아는 모델마다 인쇄 회로 기판인 다른 프로세서를 개발하지 않을 것입니다. Alinco DJ-191도 예외는 아닙니다. 다이어그램을 보면 모서리에 작은 판이 있습니다.

	R79	R84	R1008	J1
T	-	-	-	점퍼
TA	-	-	-	-
E	1k	1k	0	-

따라서 "T"를 "E"로 번역하려면 3개의 저항을 납땜하고 와이어를 제거해야 합니다.

다이어그램을 살펴보겠습니다.

(확대하려면 클릭하십시오)

이 저항기를 찾았습니다. 배터리, 안테나를 분리하고 후면 덮개에서 4개의 볼트를 꺼냅니다. 나는 당신이 무엇을 하고 있는지 알고 있기를 바랍니다. 스테이션에 대한 보증이 무효화되고 당신의 부적합한 행동으로 인해 작동하지 않을 수 있습니다. 보드의 세부 사항이 서명되지 않은 가장 zapadlo. 프로세서의 14번째 출력 트랙이 어디로 가는지 살펴봅니다. IC1(EEPROM) 아래에 있는 저항기 클러스터로 들어가며 그 중 하나는 납땜되지 않고 하나의 마운팅 패드가 접지됩니다. R84입니다. 프로세서 출력의 추적 9는 아무 것도 제공하지 않으며 트랙은 프로세서 아래로 이동합니다. 우리는 J1을 찾고 있으며 프로세서와 F-PTT-TB-Moni 버튼 사이에 서명되어 있습니다. 아래 왼쪽에는 저항기 그룹이 있고 두 개의 빈 공간이 있습니다. 이들은 R79(하나의 플랫폼이 접지로 호출됨) 및 R1008(J1과 병렬로 호출됨)입니다. 저항기는 다른 방법으로 찾을 수 있습니다. 우리는 빈 마운팅 사이트를 찾고 있습니다 (그 중 6 개가 있음). 한 사이트가지면을 호출하는 사이트를 선택합니다. 이들은 R79 및 R84입니다 (R77도 있음). 그런 다음 프로세서 출력에서 두 번째 플랫폼을 호출합니다. R14의 경우 84, R9의 경우 79입니다. 우리는 또한 R1008을 찾고 프로세서의 9번째 출력에 저항계를 놓고 빈 영역을 찾습니다. 두 번째 영역은 60kΩ에서 R47을 통해 접지를 호출해야 합니다.

우리는 "1"라고 말하는 102 킬로옴의 두 저항을 납땜합니다. R1008은 점퍼(저항 0옴, 비문 "0")이며 J1과 병렬로 연결되어 있으므로 납땜하지 않습니다. 표면 실장용 저항을 납땜하는 것은 매우 힘든 작업입니다. 이전에 로진 플럭스로 윤활 처리 된 패드에 올려 놓으면 달라집니다. 그러나 저항을 잡고 있어야 합니다(왼손 검지에 긴 못을 사용하는 것이 가장 좋습니다). 그렇지 않으면 납땜 중에 움직일 것입니다. 나는 팁의 맨 끝에 있는 일반 25와트 납땜 인두로 납땜합니다.

모든 것, 우리는 역을 조립하고 전원을 켭니다. 스테이션의 일반 재설정을 수행할 필요가 없습니다. Gossvyaznadzor에 갈 수 있습니다.

투명한 힌트: 프로세서에는 여전히 BP가 서명한 결론이 있습니다. 그리고 491MHz 대역에서 동작하는 Alinco DJ-430이 있는데, 같은 프로세서 보드를 가지고 있는 것 같아요. 그러나 실험할 가치가 없습니다. 신디사이저는 VCO를 추월할 수 없으며 PLL 동기화가 없으며 PTT를 누르면 결과를 예측할 수 없습니다.

저자: Sergey Gimaev, RW9UAO; 간행물: N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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미국 밴더빌트 대학(Vanderbilt University)의 재료 과학자들이 Cary Pint 조교수의 지도 아래 만든 혁신적인 슈퍼커패시터 설계를 통해 태양이 비칠 때뿐만 아니라 XNUMX시간 내내 전기를 생성할 수 있는 광전지를 만들 수 있습니다.

이것은 완전히 실리콘으로 만들어진 최초의 슈퍼커패시터이자 전원을 공급하는 마이크로 전자 회로와 함께 제공된다고 주장됩니다. 그리고 몇 초 만에 충전되고 충전 사이에 몇 주 동안 지속되는 내장 휴대폰 배터리에 사용할 수 있습니다.

과학자들은 오늘날의 태양광 전지, 센서, 휴대폰 및 기타 많은 전기 기계 장치에서 발견되는 과잉 실리콘으로 배터리를 구축하여 이러한 장치의 비용을 줄이는 것이 가능할 것이라고 믿습니다.

연구를 이끈 기계공학과의 조교수인 Carey Pint는 “사람들에게 실리콘으로 슈퍼커패시터를 만들라고 하면 미친 생각이라고 말할 것입니다. 그러나 우리는 간단한 사실을 발견했습니다. 방법."

배터리처럼 화학 반응에 에너지를 저장하는 대신 슈퍼커패시터는 다공성 물질의 표면에 이온을 모아 에너지를 저장합니다. 결과적으로 몇 시간이 아닌 몇 분 만에 충전 및 방전할 수 있으며 배터리가 할 수 있는 수천 사이클이 아닌 수백만 사이클 동안 지속됩니다.

이러한 특성 덕분에 활성탄으로 만든 슈퍼커패시터는 버스 및 전기 자동차의 회생 제동 시스템에 의해 생성된 에너지를 저장하고 바람 조건이 변화함에 따라 거대한 풍력 터빈의 블레이드를 조절하는 데 필요한 서지 전류를 제공하는 것과 같은 여러 틈새 시장을 포착할 수 있습니다. 슈퍼커패시터는 여전히 특정 용량 측면에서 리튬 이온 배터리보다 뒤떨어져 대부분의 소비자 기기에 전력을 공급하기에는 여전히 너무 부피가 큽니다. 그러나 그들은 빠르게 발전하고 있습니다.

Cary Pint 조교수는 "나노스케일 빌딩 블록에서 모든 수준의 제어가 가능한 고성능 기능 장치를 구축하는 것은 상당히 어려운 일이라는 것이 입증되었습니다. 일단 완료되면 반복하기 어려운 것으로 판명되었습니다."라고 설명했습니다.

Pint는 "우리가 얻은 장치의 뛰어난 성능에도 불구하고 우리의 목표는 기록적인 매개변수를 가진 장치를 만드는 것이 아니었습니다. 목표는 통합 에너지 저장 장치를 만드는 방법을 개발하는 것이었습니다. 실리콘은 작업하기에 이상적인 재료이기 때문에 그것은 많은 현대 기술과 장치의 기초가 됩니다. 또한 기존 장치에 있는 대부분의 실리콘은 얇은 실리콘 기판을 생산하는 데 매우 비싸고 수익성이 없다는 사실 때문에 사용되지 않고 남아 있습니다."

Pint의 그룹은 현재 이 접근 방식을 사용하여 과잉 물질 또는 광전지 및 센서 뒷면에 형성될 수 있는 에너지 저장소를 만들고 있습니다. 슈퍼커패시터는 낮 동안 태양광 전지에서 생성된 초과 전기를 저장했다가 저녁 피크 시간에 방출할 수 있습니다.

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