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디지털 마이크로 회로에 대한 실질적인 지식. 라디오 - 초보자용
라디오 아마추어가 설계한 디지털 기술의 다양한 기기 및 장치에서 K155LAZ 칩이 가장 널리 사용됩니다. 우리는 이 시리즈의 마이크로 회로에 대한 실질적인 지식이 그것으로 시작되어야 한다고 믿습니다. 이 미세 회로의 모양과 조건부 그래픽 지정은 그림에 나와 있습니다. 1. 구조적으로 케이스의 양쪽 긴 면을 따라 위치한 14개의 판 리드(이 시리즈의 일부 미세 회로에는 16개 또는 심지어 24개의 리드가 있음)가 있는 직사각형 플라스틱 케이스입니다. 케이스 상단에는 조건부 키가 있습니다. 핀 1의 위치를 나타내는 작은 원형 표시입니다. 나머지 핀은 여기에서 계산됩니다. 마킹 측면에서 위에서 미세 회로를 보면 시계 반대 방향으로 결론을 계산하고 아래에서 시계 방향으로 계산해야합니다. 이 규칙은 K155 시리즈뿐만 아니라 모든 미세 회로에 적용됩니다. 구조적으로 K155LAZ 미세 회로는 무엇입니까? 이것은 공통 외부 DC 전압 소스에 의해 전원이 공급되는 2개의 논리적 요소 2I-NOT(숫자 XNUMX는 각 요소의 입력 수를 나타냄)로 구성됩니다.
각 논리적 요소는 독립적으로 작동합니다. 미세 회로의 그래픽 회로 지정에 표시된 핀 번호로 요소를 선택하는 것은 어렵지 않습니다. 따라서 입력 핀 1, 2 및 출력 핀 3은 해당 요소 중 하나를 참조합니다(예: 첫 번째, 입력 4, 5 및 출력 6 - 두 번째 요소 등). 그림에는 표시되지 않습니다. 1, b 마이크로 회로의 결론 7 및 14는 모든 요소에 전원을 공급하는 데 사용됩니다. 전력선으로 복잡하지 않도록 다이어그램에 이러한 결론을 묘사하는 것은 일반적이지 않으며 또한 요소는 일반적으로 그림 1에서와 같이 장치의 회로도에 함께 위치하지 않기 때문입니다. 155b, 다른 영역에서 별도로. 요소의 전원 공급 체인은 공통으로 유지됩니다. 또한 K.14LAZ 초소형 회로의 경우 출력 7를 양극에 연결하고 출력 XNUMX을 전원의 음극에 연결해야 합니다. 이 시리즈의 다른 모든 초소형 회로와 마찬가지로 K155LAZ 초소형 회로는 5V 직류 소스에서 전원을 공급받도록 설계되었습니다.또한 0,5 배터리와 같이 전압이 3336V 낮은 갈바니 전지 배터리를 사용할 수도 있습니다. 물론 더 많은 것은 미세 회로의 작동 모드에 영향을 미치고 배터리가 일정하게 방전되면 미세 회로가 일반적으로 정상적으로 작동하지 않습니다. 따라서 5V의 안정적인 전압을 제공하는 전원 공급 장치를 사용하는 것이 바람직합니다. 이러한 전원 공급 장치는 예를 들어 그림 2에 표시된 것과 같이 조립할 수 있습니다. 1 계획. 그것에서 정전류 소스 GB3336은 직렬로 연결된 두 개의 XNUMX 배터리입니다. 전원은 제너 다이오드 VD1, 안정기 저항 R3 및 조절 트랜지스터 VT1로 구성된 전압 조정기를 통해 미세 회로에 공급됩니다. 산화물 커패시터 C1의 커패시턴스는 20 ... 50 마이크로 패럿이 될 수 있고 세라믹 또는 운모 커패시터 C2는 0,033 ... 0,047 마이크로 패럿이 될 수 있습니다. 그러한 초소형 전원 공급 장치의 전압 조정기는 어떻게 작동합니까? 저항 R3 및 제너 다이오드 VD1은 배터리 전압 분배기 GB1을 형성합니다. 제너 다이오드에 작용하는 전압은 안정화 전압과 같습니다(KS168A 제너 다이오드의 경우 6,8V). 제너 다이오드에서 제거된 전압은 트리머 저항 R2를 통해 트랜지스터 VT1의 베이스에 공급되고 열립니다. 이 트랜지스터의 베이스 전압이 클수록(따라서 베이스 전류가 더 큼) 더 많이 개방될수록 스태빌라이저 출력의 전압과 부하를 통과하는 전류가 커집니다. 5V와 동일한 장치 출력의 전압은 제어 DC 전압계를 사용하여 튜닝(또는 가변) 저항 R2를 설정합니다. 안정기는 GB1 배터리의 전압이 7 ... 7,5V로 떨어질 때 부하에서 이러한 전압을 실질적으로 변경하지 않고 유지합니다. 커패시터 C1은 미세 회로의 전원 공급 회로의 리플을 낮은 주파수에서, C2는 높은 주파수의 전기 진동을 완화하여 작동에 대한 다양한 전기 간섭의 영향으로부터 미세 회로를 보호합니다. 저항 R1은 미세 회로가 꺼져도 안정기가 부하 없이 유지되지 않도록 해야 합니다. 간단한 장치 및 장치의 성능을 확인하고 실험을 수행하는 데 필요한 모형 패널(그림 3, a)은 두께가 1,5 ... 2 mm인 유리 섬유, 게티낙 또는 기타 시트 단열재로 만들 수 있습니다. 극단적 인 경우 잘 접착 된 합판, 단단한 판지 및 단단한 판지가 가능합니다. 패널의 대략적인 치수는 120x80mm입니다. 긴면을 따라 1,2 ... 1,5mm 두께의 사전 주석 도금 구리 도체를 강화하십시오. 이것이 전력선이됩니다. 나머지 전체 영역에 걸쳐 10mm마다 직경 0,8 ... 1mm의 구멍을 뚫고 필요에 따라 루프처럼 구부러진 주석 도금 와이어 (또는 좁은 주석 스트립) 조각을 삽입합니다. 저항기, 커패시터, 장착 도체의 리드에 대한 임시 기준점이 됩니다. 아래에서 패널 모서리에 낮은 다리 받침대를 부착하고 실험을 진행합니다. 패널에 꼭 맞도록 좁은 끝을 구부린 후 핀을 아래로 하여 브레드보드의 아무 곳에나 미세 회로를 놓습니다. 장착 와이어의 세그먼트를 사용하여 미세 회로의 출력 14를 양극에 연결하고 출력 7을 음극(공통) 전력선에 연결합니다(그림 3, b). 납땜하는 동안 미세 회로를 과열시키지 않으려면 납땜 인두의 전력은 40W를 초과해서는 안되며 납땜 시간은 2초를 초과해서는 안됩니다.
납땜의 신뢰성과 정확성을 확인하고 미세 회로의 핀 사이에 단락이 없는지 확인한 후 전원을 라인에 연결하십시오. 상대 입력 저항이 최소 5kOhm/V(avometer)인 DC 전압계를 사용하여 요소의 모든 논리 출력에서 전압을 측정합니다. 이렇게 하려면 전압계의 음극 프로브를 공통 라인에 연결하고 입력 단자 1, 2, 4, 5, 9, 10, 12, 13을 교대로 터치한 다음 출력 단자 3, 6, 8, 11을 터치합니다. 전원 공급 장치 전압이 5V일 때 전압계는 소자의 입력 단자에서 약 1,4V, 출력에서 약 0,3V를 보여야 합니다.그렇지 않으면 미세 회로에 결함이 있는 것입니다. 2I-NOT 마이크로 회로의 요소 작동 논리에 대한 실험적 확인은 예를 들어 첫 번째 항목인 핀 1.1-1이 있는 DD3에서 시작할 수 있습니다(그림 4). 먼저 입력 단자 중 하나를 연결합니다. ). 전압계 PU2을 DD1 요소의 출력 단자 1에 연결합니다. 전압계 바늘은 무엇을 보여줍니까? 약 1,5 ~ 4V의 전압, 즉 높은 수준에 해당합니다. 그런 다음 전압계로 입력 핀 1의 전압을 측정합니다.그리고 여기에도 보시는 바와 같이 높은 전압 레벨이 있습니다. 따라서 결론: 2I-NOT 요소의 입력 중 하나가 높은 전압 레벨을 갖고 다른 하나는 낮은 전압 레벨을 가질 때 출력은 높은 전압 레벨을 갖습니다. 즉, 요소는 단일 상태에 있습니다. 이제 저항이 2 ... 1 kOhm인 저항을 통해 소자의 입력 단자 1,5를 양의 선으로 연결하고 동시에 공통 선이 있는 와이어 점퍼로 연결합니다(그림 4, b). 출력 단자의 전압을 측정합니다. 이전의 경우와 마찬가지로 높은 전압 레벨이 있습니다. avometer의 화살표를 따라 와이어 점퍼를 제거하여 소자의 두 번째 입력에 높은 전압 레벨이 나타나도록 합니다. 전압계는 소자의 출력에서 무엇을 감지합니까? 전압은 약 0,3V로 로우 레벨에 해당합니다. 따라서 요소는 단일 상태에서 XNUMX으로 전환되었습니다. 동일한 와이어 점퍼를 사용하여 공통 라인에 대한 첫 번째 입력을 닫습니다. 동시에 출력에 고전압 레벨이 즉시 나타납니다. 그리고 입력 단자 중 하나라도 주기적으로 공통 라인에 닫혀 있다면 마치 저레벨 전압 공급을 시뮬레이션하는 것 같습니까? 동일한 반복 속도로 요소의 출력에 전기 임펄스가 나타나고 연결된 전압계의 화살표가 진동합니다. 실험적으로 확인해 보세요. 실험은 무엇을 말합니까? 그들은 이전에 전기적 대응물에 대해 테스트한 2I-NOT 요소의 논리를 확인합니다. 높은 수준의 전압이 두 입력에 모두 적용되면 요소의 출력에 낮은 수준의 전압이 나타납니다. 즉, 요소는 단일 상태에서 XNUMX으로 전환됩니다. 또 다른 경험: 요소의 두 입력 단자를 다른 부품 및 도체에서 분리하십시오. 지금 출력은 무엇입니까? 낮은 전압. 입력 핀을 연결하지 않는 것은 입력 핀에 고전압 레벨을 적용하는 것과 마찬가지이므로 요소를 XNUMX으로 설정해야 합니다. 앞으로 논리 요소의이 기능을 잊지 마십시오! 다음 실험은 동일한 2I-NOT 논리 소자가 인버터에 의해 ON될 때, 즉 NOT 소자로 동작하는지 확인하는 것이다. 두 입력 단자를 함께 닫고 저항이 1 .... 1.5 kΩ인 저항을 통해 양극 전원 라인에 연결합니다(그림 8, c). 소자의 출력에 연결된 전압계는 무엇을 보여줍니까? 낮은 전압. 이 라인에서 저항을 분리하지 않고 음의 라인(점선 화살표로 표시)에 대한 결합된 입력을 닫고 동시에 전압계의 반응을 모니터링합니다. 높은 전압 수준을 보여줍니다. 이렇게 하면 인버터의 출력이 항상 입력과 반대가 되도록 할 수 있습니다. K155LAZ 칩의 다른 논리적 요소로 유사한 실험을 수행하고 적절한 결론을 도출하십시오. 질문에 답하기 위해 실험을 잠시 중단합시다. 논리적 요소 2I-NOT 내부에 무엇이 있습니까? 지금까지 우리는 논리 요소를 입력이 5개, 출력이 XNUMX개인 일종의 "블랙박스"로 간주했습니다. 이제 요소 내부를 보는 것처럼 전자 "스터핑"에 대해 알아 보겠습니다(그림 XNUMX). XNUMX개의 npn 트랜지스터, XNUMX개의 다이오드 및 XNUMX개의 저항으로 구성됩니다. 트랜지스터 간의 연결은 직접적입니다. 점선으로 표시된 저항 Ri는 요소의 출력에 연결된 부하를 나타냅니다. 이러한 디지털 기술의 전자 장치를 트랜지스터-트랜지스터 논리 칩 또는 줄여서 TTL이라고 합니다. 이는 입력 논리 연산(또는 입력 논리라고도 함)이 다중 이미 터 트랜지스터(첫 번째 문자 J), 증폭 및 신호 반전도 트랜지스터(두 번째 문자 T)에 의해 수행된다는 사실을 반영합니다.
공통 기본 회로에 따라 연결된 입력 트랜지스터 VT1은 1 이미 터입니다. 또한 이미 터는 다이오드 VD2, VD2를 통해 공통 전원 와이어에 연결됩니다. 이미터의 우발적 인 음극 전압으로부터 트랜지스터를 보호합니다. 트랜지스터 VT3는 이미터(저항 R2)와 컬렉터(저항 R3)의 두 가지 부하로 증폭기를 형성합니다. 그들로부터 취한 역위상 신호 (반대 레벨 : 전압 레벨이 컬렉터에서 높고 이미 터에서 낮음)는 출력 트랜지스터 VT4 및 VTXNUMX의베이스에 공급됩니다. 따라서 작동 중 출력 트랜지스터는 항상 반대 상태에 있습니다. 하나는 닫히고 두 번째는 이때 열려 있습니다. 하나 또는 두 입력에 저레벨 전압 요소가 있는 경우(예: 공통 와이어에 연결된 경우), 트랜지스터 VT1은 열리고 포화되고, 트랜지스터 VT2 및 VT4는 닫히고, 트랜지스터 VT3은 열리면 다이오드 VD3과 부하 RH가 흐릅니다. 요소는 단일 상태입니다. 같은 경우에, 고전압 레벨이 두 입력 모두에 적용되면 트랜지스터 VT1이 닫히고 트랜지스터 VT2와 VT4가 열리고 트랜지스터 VT3이 닫힙니다. 이 경우 요소가 XNUMX 상태를 취하기 때문에 부하를 통과하는 전류가 실제로 중지됩니다. 논리 소자 출력의 저전압 레벨은 개방 트랜지스터 VT4의 콜렉터 전압과 동일하며 0,4V를 초과하지 않습니다. 논리 소자 출력의 고전압 레벨(트랜지스터 VT4가 닫힌 경우) 트랜지스터 VT3과 다이오드 VD3의 전압 강하 값만큼 전원 전압보다 작습니다. 2,4V 이상입니다. 사실, 소자의 출력에서 낮은 논리 레벨과 높은 논리 레벨의 전압은 다음에 따라 다릅니다. 부하 저항은 위에 표시된 것과 약간 다를 수 있습니다. 단일 상태에서 1,2으로 요소의 전환은 입력 전압이 임계값이라고 하는 약 XNUMXV 값을 통과할 때 갑자기 발생합니다. 다른 기사 보기 섹션 초보자 라디오 아마추어. 읽고 쓰기 유용한 이 기사에 대한 의견. 과학 기술의 최신 뉴스, 새로운 전자 제품: 정원의 꽃을 솎아내는 기계
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