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끈적끈적한 막대기. 포커스 시크릿

놀라운 트릭과 그 단서

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초점 설명:

당신에게 마법의 힘이 있음을 증명하기 위해 지팡이나 연필을 한 손의 손바닥에 놓고 청중을 향하지 않도록 하십시오. 천천히 손가락을 뗍니다. 스틱이 마치 자기장에 의해 고정된 것처럼 손에 달라붙는 것 같습니다.

초점 비밀:

지팡이나 연필을 서로 다른 방향으로 움직이는 조합은 마법의 도움으로 마술사의 손가락에 "고착"되는 느낌을 줍니다.

손바닥 사이에 지팡이를 잡습니다(그림 1).

포커스 스티키 스틱

한 엄지손가락을 올립니다(그림 2).

포커스 스티키 스틱

청중은 여전히 ​​두 번째 엄지 손가락이 막대기를 잡고 있다고 생각합니다. 그런 다음 두 번째 엄지손가락을 들어 올립니다(그림 3). 그들은 놀랄 것입니다!

포커스 스티키 스틱

그림 4와 5를 보면 트릭이 어떻게 수행되는지 알 수 있습니다.

포커스 스티키 스틱포커스 스티키 스틱

손가락 중 하나가 손바닥 안에 오도록 부드럽게 접습니다(그림 4 참조). 이 숨겨진 손가락으로 지팡이를 잡습니다. 트릭 시연이 끝나면 재빨리 팔을 앞으로 뻗고 스틱을 떨어뜨립니다.

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미국 국립 표준 기술 연구소(NIST)의 연구원들이 실리콘에서 하전 입자의 이동도를 측정하는 새로운 방법을 내놓았습니다. 이 방법은 뒤집히지 않았다면 반도체의 전하 이동 과정에 대한 이해를 크게 확장했습니다.

과학자들이 제안한 방법은 실리콘에서 전하의 이동 속도에 대한 가장 민감한 측정을 수행할 수 있게 했으며 이것은 반도체로서의 효율성을 나타내는 지표입니다. 결과적으로, 새로운 방법은 특정 도펀트가 실리콘 전도도에 미치는 영향을 보다 정확하게 평가할 수 있게 하고 반도체 장치의 특성을 개선하는 기반을 형성할 것입니다. 이것은 프로세스에 대한 더 나은 이해를 통해서만 거의 공짜로 칩의 성능을 향상시킬 수 있는 기회입니다. 말하자면 튜닝을 수행하십시오.

전통적으로 실리콘에서 전자와 정공의 이동도는 홀 방법으로 측정되었습니다. 이 방법은 접점이 전류를 통과시키기 위해 실리콘(반도체) 샘플에 납땜되어 있다고 가정합니다. 이 방법의 단점은 납땜 지점에 결함이나 불순물이 나타나 측정 결과에 왜곡이 발생한다는 것입니다.

실험의 순도를 위해 NIST의 과학자들은 비접촉 방식을 사용했습니다. 실리콘 시료를 가시광선의 초단파 펄스 형태로 저강도의 빛에 먼저 노출시킨 다음, 시료에 원적외선 또는 마이크로파 범위의 방사선 펄스를 조사하였다. 약한 가시광선은 실리콘에 광도핑 효과를 일으켰습니다. 전하를 띤 입자는 전자와 정공의 형태로 실리콘 층에 나타났습니다.

가시광선은 명백한 이유 때문에 실리콘 두께로 침투할 수 없습니다. 이를 위해 광도핑된 샘플에 실리콘이 투명한 테라헤르츠 방사선(원적외선 범위)을 조사했습니다. 그리고 시료에 전하를 띤 입자가 많을수록 시료에 더 많은 빛이 투과되거나 흡수됩니다. 여기에서 샘플의 전자 이동도를 보다 정확하게 측정하려면 두께가 최대 1mm로 상당히 커야 한다는 점에 유의하는 것이 중요합니다. 이것은 측정에서 샘플 표면에 대한 결함의 영향을 배제했습니다.

그러나 측정 중 감도 임계값을 낮추기 위해 샘플에서 가시광선에 의해 "도입된" 전자와 정공의 수는 가능한 한 작아야 했습니다. 이를 위해 일반적으로 샘플에 하나의 광자를 조사하지만 두꺼운 샘플의 경우 하나의 광자가 실리콘에서 불충분하게 하전된 입자를 녹아웃시켰다. 가시광선의 10개의 광자로 샘플을 조사할 때 탈출구가 발견되었습니다. 그 후, 테라헤르츠 방사선은 재료의 벌크에서 최소 수의 하전 입자로 샘플을 자유롭게 통과했습니다. 과학자들에 따르면 감도 임계값은 cm100당 2조 개의 전하 캐리어에서 10조로 XNUMX배 감소했습니다.

민감도의 문턱이 낮아지자 그 놀라움은 분명해졌다. 실리콘에서 전자의 이동성은 물질에서 매우 희박한 상태의 캐리어까지 성장할 수 있는 것으로 나타났습니다. 실제로 이동성 자체는 기존에 생각했던 것보다 50% 이상 높아졌다. 제어 확인을 위해 역시 감광성 반도체인 갈륨 비소(GaAs)에 대해 유사한 실험을 수행했습니다. 이 물질에서 전하 캐리어의 이동성은 밀도가 감소함에 따라 계속 증가한다는 것이 발견되었습니다. 새로운 방법으로 측정한 캐리어 밀도 한계는 이전에 생각했던 것보다 약 100배 낮은 것으로 밝혀졌습니다.

머지 않은 미래에 반도체는 매우 낮은 전하 수준에서 작동할 수 있을 것입니다. 적어도 이론적인 한계는 충분히 넘어갔다. 이들은 매우 민감한 태양 전지판, 단일 광자 감지기(양자 컴퓨터에 안녕하세요!), 초고효율 전자 장치 등입니다.

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