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곡선과 XNUMX차원 역설. 집중의 비밀

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초점 설명:

면적의 변화에 ​​따른 역설의 면적이 이제 막 개발되기 시작했습니다. 원형이나 타원과 같이 조각으로 자른 후 재배열하여 눈에 띄는 모양 왜곡 없이 내부 구멍을 만들 수 있는 곡선 모양이 있습니까? XNUMX차원에 특유한, 즉 XNUMX차원 도형의 사소한 결과가 아닌 XNUMX차원 도형이 존재하는가? 결국, 우리가 이 장에서 만난 평평한 그림에 높이가 "XNUMX차원의 길이"와 같은 충분히 두꺼운 판지를 잘라내어 "차원을 추가"할 수 있다는 것이 분명합니다. *. 큐브나 피라미드를 그다지 복잡하지 않은 방식으로 조각으로 잘라서 새로운 방식으로 구성하면 내부에 눈에 띄는 공백이 생길 수 있습니까?

사소하지 않음에 대한 동일한 요구 사항이 곡선 평면 도형을 자르는 문제에도 적용되어야 합니다. 정사각형이 새로운 방식으로 자르기와 구성을 허용한다면 내부에 주어진 정사각형을 포함하는 임의의 경계가 있는 평면 도형도 자르기와 구성을 허용한다는 것이 분명합니다.

대답은 다음과 같습니다. 부품 수를 제한하지 않으면 그러한 공간 수치를 표시하는 것이 전혀 어렵지 않습니다. 큐브의 경우 이는 매우 분명합니다. 여기에서 내부 공허함을 얻을 수 있지만 이를 달성할 수 있는 부품 수를 최소화하는 문제는 더 어렵습니다. 확실히 여섯 부분으로 만들 수 있습니다. 이는 더 적은 수로 달성될 수 있습니다.

이러한 큐브는 다음과 같은 방법으로 효과적으로 시연될 수 있습니다. 큐브와 똑같이 만들어진 상자에서 꺼내어 여러 부분으로 분해하고 내부의 공을 드러내고, 부품을 다시 단단한 큐브에 넣고 (공 없이) 보여줍니다. ) 여전히 상자를 꽉 채우고 있습니다. 평면적이고 공간적이며 단순함과 형태의 우아함으로 구별되는 그러한 인물이 많이 있어야 한다고 제안할 것입니다. 이 흥미로운 분야의 미래 탐험가들은 이를 발견하는 즐거움을 누릴 것입니다.

저자: M. 가드너

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3D V-NAND 메모리를 사용하면 10TB SSD를 만들 수 있습니다. 30.11.2014

3D V-NAND 플래시 메모리는 이미 그 가치가 입증되었습니다. 기존 MLC 칩보다 더 많은 저장 용량을 제공할 뿐만 아니라 악명 높은 TLC와 달리 매우 안정적입니다. 3D V-NAND는 최신 세대의 기존 HDD에 필적하는 용량으로 저렴한 솔리드 스테이트 드라이브 분야에서 돌파구를 마련하려는 것 같습니다. 우리는 10TB 이상의 용량에 대해 이야기하고 있습니다.

이것이 바로 Intel Corporation이 제안한 이니셔티브입니다. 최근 Intel 투자자 회의에서 2015년 하반기에 Intel-Micron Flash Technologies 합작 회사가 256Gb 및 384Gb 다층 칩의 대량 생산을 시작할 것이라고 발표했습니다.

후자의 경우 3단계 셀이 사용됩니다. 새로운 32D-NAND 칩의 10차원 구조에는 기존 TSV(실리콘 비아를 통해)와 유사한 특수 수직 구조 어레이를 사용하여 연결된 4개의 칩 레이어가 있습니다. 이러한 용량을 가진 플래시 메모리 칩의 출현은 오늘날 사용할 수 없는 엄청난 양의 솔리드 스테이트 드라이브를 만드는 길을 열어줄 것입니다. Intel의 비휘발성 메모리 사업부 부사장인 Rob Crooke는 새로운 기술을 기반으로 하는 SSD가 향후 64년 동안 512테라바이트를 초과할 수 있다고 믿습니다. 이에 비해 기존 인플레인 기술을 기반으로 64테라바이트 SSD를 만들고자 했던 SanDisk는 128개의 엄청나게 비싼 XNUMX기가비트(XNUMXGB) eMLC 칩을 사용해야 했으며, 각 칩에는 하나의 패키지에 XNUMX개의 XNUMX기가비트 다이가 들어 있습니다. 이 칩은 최첨단 얇은 제조 공정을 사용하여 제조되므로 비용이 증가하지만 신뢰성은 전혀 추가되지 않습니다.

그러나 256 및 384 기가비트(각각 32 및 48GB) 용량의 "256차원" Intel-Micron 칩은 더 크고 훨씬 저렴한 기술 프로세스와 동시에 더 안정적인 프로세스를 사용합니다. 불행히도 인텔은 여전히 ​​어떤 종류의 프로세스 기술이 문제인지에 대해 침묵하고 있습니다. 그러나 128Gb "24D" 칩을 기반으로 하는 SSD의 작업 프로토타입이 이미 존재하며 그 중 하나가 앞서 언급한 이벤트에서 시연되었습니다. 삼성은 또한 "32차원" 플래시 메모리를 적극적으로 생산하고 있다는 점에 유의해야 합니다. 42기가비트 칩에는 86개 또는 256개의 레이어가 있으며 오늘날의 표준(XNUMX나노미터)에서 비정상적으로 큰 기술 표준을 사용합니다. 이 미세 회로의 "겉보기 용량"은 XNUMXGbit입니다. 삼성은 어떤 희생을 치르더라도 신기술에 대한 가상의 문제를 피하기 위해 안전하게 플레이하는 것 같습니다. 이러한 배경에서 XNUMX기가비트 용량으로 즉시 시작하는 Intel-Micron 프로젝트는 훨씬 더 야심차게 보이지만 이 방식으로 최종 제품의 비용은 눈에 띄게 낮아질 것입니다. 물론 일반 사용자도 이점을 누릴 수 있습니다.

그러나 Intel의 새 칩이 더 나은 가격 대 용량 비율을 갖는다고 해도 Intel-Micron 동맹의 제조 능력으로 인해 아직 NAND 시장에 대한 심각한 영향에 대해 이야기할 수 없습니다. ChinaFlashMarket.com에 따르면 IMFT 연합 공장은 한 달에 약 70개의 300mm 웨이퍼를 생산할 수 있으며 이 숫자에는 다양한 유형의 메모리가 포함됩니다. IMFS와 MTV 공장을 이용하면 한 달에 80만~40만장의 300mm 웨이퍼를 생산할 수 있지만 삼성의 생산능력에 비하면 아무것도 아니다. 새로운 유형의 플래시 메모리 생산을 위해 특별히 지어진 한국 거인의 공장 중 하나만 월 100개의 웨이퍼를 생산할 수 있는 반면 동일한 목적에 적합한 삼성의 나머지 생산 시설은 400개 이상을 공급할 수 있습니다. 같은 시간에 웨이퍼.

즉, 인텔의 새로운 다층 플래시 메모리 칩이 전체 SSD 시장에 혁명을 일으키지는 않을 수 있지만 사용자가 고용량 모델에 더 쉽게 액세스할 수 있게 하고 회사가 이 마이크로일렉트로닉스 산업에서 입지를 크게 강화할 수 있도록 합니다. Intel의 NAND 및 SSD 부문은 2014년에 약 2억 달러의 매출을 달성할 것으로 예상되며 새로운 256기가비트 다층 칩의 도입으로 향후 몇 년 동안 이 수치가 증가할 것입니다.

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