마이크로파 트랜지스터 보호. 계획, 설명

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튜닝이나 실험 중에 희소하거나 매우 비싼 트랜지스터가 고장 나면 많은 사람들이 손실의 불쾌한 느낌을 알고 있을 것입니다.

조기 심장 마비로부터 당신을 보호하고 가족 예산을 절약하기 위해 실험 중에 그러한 상황에서 당신을 보호 할 간단한 장치를 사용하는 것이 좋습니다. 트랜지스터의 전류 보호에 관한 것입니다.

트랜지스터를 보호하기 위해 컬렉터 전원 회로에 저항이 포함되어 과부하 시 전류를 제한합니다. 트랜지스터의 보호 정도는 저항의 저항 값에 정비례합니다. 저항이 증가하면 캐스케이드에서 전력 손실이 발생하고 선형성이 저하되며 저항에서 전력이 쓸데없이 낭비됩니다. 따라서 특정 경우에 허용되는 절충 저항 값이 선택됩니다.

pn 접합의 커패시턴스가 트랜지스터 전극 사이의 전압에 따라 달라지는 마이크로파 기술에서는 상황이 더욱 악화됩니다. 펄스 유형의 변조(SSB, CW)의 경우 캐스케이드 전류는 0에서 최대값까지 다양합니다. 이 경우 저항기 양단의 강하로 인해 컬렉터의 전압이 변경됩니다. 이로 인해 공진 회로의 설정이 변경되고 증폭된 신호가 "산란"되며 캐스케이드의 자체 여기가 나타납니다. 따라서 트랜지스터의 컬렉터 회로에 전력을 공급하려면 보다 안정적인 전압을 사용해야 하며 임계 전류 제한기를 사용하여 전류 보호를 구현해야 합니다.

마이크로파 트랜지스터 보호
Pic.1

저항 R1296 단자의 전압이 VD1 다이오드가 열리는 값에 도달하면 트랜지스터 VT2이 열리고 VT1가 열리는 1MHz TX 믹서 회로의 예를 사용하여이 장치의 작동을 고려할 것입니다 (그림 2). 닫히면 공급 전압이 떨어집니다. 보호 회로를 사용하면 믹서의 보다 선형적인 작동 모드를 얻을 수 있고 144MHz 입력을 통해 펌핑할 때 트랜지스터를 보호할 수 있습니다. 1296단계 2MHz 증폭기에서는 증폭기 트랜지스터 중 하나의 지정된 전류 값을 초과할 때 두 단계에서 공급 전압을 동시에 제거하는 보호 회로가 사용됩니다(그림 XNUMX).

그림 2(확대하려면 클릭)

셧다운 전류는 다이오드 수에 따라 단계적으로 조절되며 저항 R2, R4의 저항을 선택하여 원활하게 조절됩니다. 일부 트랜지스터(예: KT979, KT946)는 설계 특성으로 인해 초기 무부하 전류가 있습니다. 수신 모드 및 다른 범위에서 작업할 때 캐스케이드에서 공급 전압을 제거해야 합니다. 이 작업은 장치에 의해 수행되며 그 구성표는 그림 3에 나와 있습니다.

마이크로파 트랜지스터 보호
Pic.3

전압 스위칭 외에도 회로는 캐스케이드의 전류 보호를 제공합니다.

저자: V. Petrushnko(RB5EC), Dnepropetrovsk; 간행물: N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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갈륨 질화물은 고온 전자 장치를 만드는 기본 재료로 사용되었습니다. 사실 마이크로프로세서와 메모리 모듈을 만드는 데 전통적으로 사용되는 실리콘은 상대적으로 낮은 밴드 갭(이 표시기는 전자가 가전자대에서 전도대로 이동하는 데 필요한 최소 에너지를 결정함)(1,12eV에 불과함)을 가지고 있습니다. 동시에 질화갈륨의 경우 3,4eV이므로 장치가 훨씬 더 높은 온도에서 정상적으로 작동할 수 있습니다. 동시에 고온 전자 프로그램의 일부로 연구되고 있는 넓은 밴드 갭을 가진 반도체 재료가 이것이 유일한 것은 아니라는 점에 주목해야 합니다. 넓은 밴드갭을 가진 또 다른 가치 있는 후보는 탄화규소입니다.

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