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집적 회로 INF8577CN. 참조 데이터
무선 전자 및 전기 공학 백과사전 / 미세 회로의 응용
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| INF8577CN 칩은 I가 있는 액정 디스플레이(LCD) 제어 장치입니다.2디스플레이 정보 수신 인터페이스 포함. |
 |
| 초소형 회로는 40핀 DIP 패키지에 배치됩니다(그림 1). 체계에 의해 수행되는 기능: |
쌀. 1 미세 회로의 모양 |
- 직접 또는 이중 모드에서 LCD 제어, 미세 회로는 직접 모드에서 32개의 LCD 세그먼트 및 이중 모드에서 64개 세그먼트를 제어합니다.
- 버스 인터페이스 I 제공2C;
- 버스 출력 확장기 I로 사용 가능2C.
그 특징 :
- 공급 전압 - 2,5 ~ 6V;
- 저전력 소비;
- LCD 제어 신호 생성을 위한 내장 발생기;
- 자동 증가 데이터 입력;
- 직접 제어 모드에서 디스플레이 메모리 뱅크를 전환하는 기능;
- 제어되는 세그먼트의 수를 최대 256까지 늘리기 위해 칩을 계단식으로 배열할 수 있습니다.
- 전원 재설정 시 디스플레이를 비웁니다.
핀아웃은 그림 2에 나와 있습니다. 3, 블록도는 그림 4에 있다. 0. 그림에서 그림 7는 내부 메모리의 구성을 보여줍니다. 표시된 정보는 2,4,6개의 1바이트 레지스터(번호는 3~5)에 저장됩니다. 또 다른 유사한 레지스터(제어)는 마이크로 회로의 작동을 제어하는 구성 정보를 저장합니다. 레지스터 O, 7, XNUMX, XNUMX은 뱅크 "A"로, 레지스터 XNUMX, XNUMX, XNUMX, XNUMX은 뱅크 "B"로 결합됩니다.
쌀. 2. 마이크로 회로의 핀아웃
쌀. 3. 마이크로 회로의 구조도
쌀. 4. 마이크로 회로의 내부 메모리 구성
쌀. 5. 정보의 첫 번째 바이트 전송
버스 기능 I2C는 [1]에 충분히 자세히 설명되어 있습니다. INF8577CN 칩에 정보를 로드하는 기능을 고려하십시오. 첫 번째 바이트(그림 5)는 슬레이브("슬레이브") 장치의 주소를 전송합니다. 이 바이트의 상위 7비트는 장치 주소("슬레이브" 주소)를 결정하고 XNUMX번째 비트는 데이터 전송 방향을 결정합니다. 여덟 번째 비트가 XNUMX이면 데이터가 슬레이브 장치로 전송되고 있고 XNUMX이면 이 장치가 송신기가 됩니다. 케이 아이2동일한 "슬레이브" 주소를 가진 여러 장치를 C-버스에 연결할 수 있습니다. INF8577CN은 수신기 기능만 수행할 수 있으므로 0번째 비트는 항상 "0111010"입니다. 이진 "슬레이브" 주소는 01110100입니다. 따라서 첫 번째 바이트에는 항상 코드 XNUMX이 포함됩니다.
표 1
| 터미널 지정 |
핀 할당 |
기술 |
| S1...S32 |
출력 |
LCD 세그먼트 제어 출력 |
| VR1 |
출구를 입력 |
캐스케이딩 시 첫 번째 미세 회로의 경우 라인 제어 출력, 다른 미세 회로의 경우 입력 |
| A2/VR2 |
출구를 입력 |
출력 대상은 프로그래밍 가능합니다. 아니면 입력 A1입니까? 또는 VR1과 유사한 결론 |
| VDD |
음식 |
포지티브 전원 리드 |
| A1 |
입구 |
주소 입력. 핀 AO, A1, A2는 캐스케이드될 때 미세 회로의 주소와 함께 제공됩니다. 마이크로 회로는 데이터 패킷의 하위 주소가 이 주소와 일치하면 데이터를 수락합니다. |
| A0/OSC |
입구 |
핀의 목적은 연결에 따라 결정됩니다. RC 체인에 연결되면 이는 생성기 입력이고, 그렇지 않으면 주소 입력입니다. |
| VSS |
음식 |
네거티브 전원 핀 |
| SCL |
입구 |
I에 대한 클록 입력2C-타이어 |
| SDA |
출구를 입력 |
I에 대한 데이터 입력/출력2C-타이어 |
표 2
| 매개변수 이름, 측정 단위 |
지정 |
최대 허용 모드 |
제한 모드 |
| 더 적은 |
최대 |
더 적은 |
최대 |
| 공급 전압, V |
VDD |
2,5 |
6,0 |
-0,5 |
8,0 |
| 입력 전압, V |
V1 |
0 |
VDD |
-0,5 |
VDD + 0,5 |
| LCD 드라이버의 상수 구성 요소, mV |
VBP |
-20 |
20 |
- |
- |
| 소비 전류, mA |
IDDISS |
- |
0,125 |
-50 |
+50 |
| 입력 전류, mA |
I1 |
- |
- |
-20 |
+20 |
| 출력 전류, mA |
Io |
- |
- |
-25 |
+25 |
| 전원 공급 시 리셋 형성 전압, V |
VBY |
- |
2 |
- |
- |
| AO 출력의 로우 레벨 입력 전압, V |
VIL1 |
0 |
0,05 |
- |
- |
| AO 출력의 하이 레벨 입력 전압, V |
VIH1 |
VDD-0,05 |
VDD |
- |
- |
| 핀 A1, V의 로우 레벨 입력 전압 |
VIL2 |
0 |
0,3 대DD |
- |
- |
| 핀 A1, V의 하이 레벨 입력 전압 |
VIH2 |
0,7 대DD |
VDD |
- |
- |
| 핀 A2, V의 로우 레벨 입력 전압 |
VIL3 |
0 |
0,1 |
- |
- |
| 핀 A2, B의 하이 레벨 입력 전압 |
VIH3 |
VDD-0,10 |
VDD |
- |
- |
| SCL, SDA 핀, V에서 낮은 레벨 입력 전압 |
VIL4 |
0 |
0,3 대DD |
- |
- |
| SCL, SDA 핀, V에서 높은 수준의 입력 전압 |
VIH4 |
0,7 대DD |
6 |
- |
- |
| 클록 신호 주파수, kHz |
fSCL |
- |
100 |
- |
- |
| I에서의 간섭 펄스 폭2T에서 C 버스환경 = 25°C, ns |
tSW |
- |
100 |
- |
- |
표 3
| 매개변수 이름, 측정 단위 |
지정 |
표준 |
측정 모드 |
| 더 적은 |
최대 |
| 소비 전류, μA(V1=VDD 또는 V1=VSS) |
IDD |
- |
125 |
fSCL=100kHz, ROSC\u1d XNUMXMOhm, COSC\u680d XNUMXpF |
| 75 |
fSCL=0kHz, ROSC\u1d XNUMXMOhm, COSC\u680d XNUMXpF |
| 20 |
fSCL=0kHz, 직접 제어 모드. AO/OSC=VDD, VDD=5V, T환경= 25 °С |
| 40 |
fSCL=0kHz, ROSC\u1d XNUMXMOhm, COSC=680pF, VDD=5V, T환경= 25 °С |
| SDA 핀의 로우 레벨 출력 전압, V |
VOL |
- |
0,4 |
VDD=5V, 나OL=3,0mA |
| 단자 A1, SCL, SDA, μA의 입력 누설 전류 |
IL1 |
-1 |
+1 |
V1=VDD 또는 VSS |
| 단자 А2/ВР2, ВР1, μA의 입력 누설 전류 |
IL2 |
-5 |
+5 |
V1=VDD 또는 VSS |
| 출력 A2 / BP2의 유입 전류, μA |
IPD |
-5 |
- |
V1=VDD |
| A0/OSC 핀의 입력 누설 전류, μA |
IL3 |
-1 |
+1 |
V1=VDD |
| 초기 발전기 전류, µA |
IOSC |
- |
5 |
V1=VSS |
| 세그먼트 제어 출력의 로우 레벨 출력 전압, V |
VOL1 |
- |
0,8 |
VDD=5V, 나OL1=0,3mA |
| 세그먼트 제어 출력에서 높은 수준의 출력 전압, V |
VOH1 |
VDD-0,8 |
- |
VDD=5V, 나OH1=0,3mA |
| LCD 행 제어 핀(VR1, VR2)의 출력 전류, μA |
I하중 |
100 |
- |
VDD =5 BV0=Vss, VDD 또는 (VSS + VDD)/삼 |
| 세그먼트 제어 핀의 고레벨 출력 전압, V |
V0H2 |
4,5 |
- |
VDD=5V, 나OH2=100uA |
| 세그먼트 제어 핀의 로우 레벨 출력 전압, V |
V0L2 |
- |
0,5 |
VDD=5V, 나OL2=100uA |
| "오프" 상태에서 세그먼트 제어 핀의 로우 레벨 출력 전압, V |
V0L3 |
- |
0,5 |
VDD=2,5V, 나OL3=100uA |
| LCD 제어 출력의 신호 주파수, Hz |
fLCD |
65 |
120 |
COSC=680pF, ROSC=1MΩ |
두 번째 프로토콜 바이트 I2INF8577CN 칩의 C 버스는 항상 해당 레지스터에 로드되는 제어 바이트입니다(그림 4). 이 바이트의 최상위 비트는 작동 모드를 결정합니다.
- 0 - LCD 직접 제어 모드(단일 라인 모드);
- 1 - LCD 다중 제어 모드(XNUMX선 모드).
이 바이트의 다음 비트는 LCD 뱅크를 결정하며 그 내용은 직접 제어 모드의 세그먼트로 출력됩니다. "0" - 뱅크 A, "1" - 뱅크 B. 다중 제어 모드의 경우 이 비트는 의미가 없습니다. 이 바이트의 나머지 8577비트가 세그먼트 벡터를 구성합니다. 실제로 이 벡터는 표시된 정보의 로딩이 시작되는 RAM 주소(회로 번호 + 레지스터 번호)입니다. 세그먼트 벡터는 여러 INFXNUMXCN 칩의 RAM을 단일 주소 공간으로 결합합니다. 케이 I2최대 8577개의 INF8577CN 칩을 C 버스에 연결할 수 있습니다. 세그먼트 벡터의 최하위 1비트는 2개의 회로 레지스터 중 하나를 지정하고 세그먼트 벡터의 최상위 XNUMX비트는 INFXNUMXCN 칩 중 어떤 칩이 선택되는지를 결정합니다. 이 세 비트가 칩 핀 AO, AXNUMX, AXNUMX에 설정된 하위 주소와 일치하는 칩에 데이터가 기록됩니다. 이 하위 주소는 다음 규칙에 따라 형성됩니다.
- - 출력 A1은 입력이며 XNUMX 또는 XNUMX의 입력 레벨을 적용해야 합니다.
- - 핀 AO 및 A2는 입력-출력이며 2 또는 XNUMX의 입력 레벨을 적용하거나 입력 전압을 전혀 적용하지 않을 수 있습니다(필수는 아님). 이 경우 마이크로 회로는 AO 및 AXNUMX 핀의 상태를 논리적 XNUMX으로 인식합니다.
두 번째 바이트 이후에 데이터 전송이 시작됩니다. 데이터의 첫 번째 바이트는 INF8577CN 칩 중 하나의 RAM(정확히 칩 및 세그먼트 벡터가 가리키는 RAM 위치)에 기록됩니다. 정보를 수신한 마이크로 회로는 수신을 확인하는 A-조건을 생성합니다. 그 후 세그먼트 벡터가 자동으로 증가하고 칩은 다음 데이터 바이트를 수신할 준비가 됩니다. 데이터 체인의 길이는 제한되지 않습니다. 모든 미세 회로는 세그먼트 벡터의 변경 사항을 모니터링하고 데이터는 원하는 미세 회로의 RAM에 자동으로 기록됩니다. 세그먼트 벡터가 최대값 111111에 도달한 경우 다음 값은 000000이 됩니다.
증분 값은 1 또는 2이며 미세 회로가 작동하는 모드에 따라 결정됩니다. 멀티플렉스 제어 모드에서 증분은 1입니다. 즉, 칩 레지스터는 속한 뱅크에 관계없이 한 행에 차례로 로드됩니다. 직접 제어 모드에서 증분 값은 2로 표시되는 것과 상관없이 뱅크 "A" 또는 뱅크 "B"가 로드되도록 합니다.
쌀. 6. 직접 제어가 가능한 LCD 드라이버 회로
쌀. 7. 이중 제어가 있는 드라이버 회로
테이블에서. 1은 표에서 IC 핀의 목적을 보여줍니다. 2는 매개 변수의 한계 및 최대 허용 값을 표로 제공합니다. 3 - 기본 전기 매개변수. 무화과에. 도 6은 도 7의 직접 제어 LCD 드라이버의 다이어그램을 도시한다. 도 8은 도 32의 이중 제어를 갖는 드라이버의 도면이다. XNUMX - XNUMX비트 확장기의 다이어그램 I2C-타이어. 이중 제어 모드에서는 두 개의 별도 공통 단자 또는 두 개의 별도 LCD가 있는 LCD를 사용해야 합니다.
쌀. 8. 32비트 확장기 I의 다이어그램2C-타이어
문학
- K. 코노프. 인터페이스 I2TV에서 C. - 아마추어 라디오, 2000, N9, S.24 ... 26
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제임스 리 교수가 이끄는 로체스터 대학 과학자들이 탈출구를 찾았다. 전기방사를 사용하여 그들은 백금 센티미터 나노와이어를 만드는 방법을 배웠습니다. 이는 지금까지 만들어진 어떤 금속 나노와이어보다 XNUMX배나 더 길었습니다.
이러한 와이어에서 이미 촉매로 작동하기에 충분히 큰 표면을 가진 전극을 만드는 것이 가능하지만 동시에 추가 기판을 사용하지 않고도 전기를 수집할 수 있습니다.
Li 교수는 "지금까지 사람들은 나노와이어 전극을 만드는 방법을 모르기 때문에 사용에 대해 생각하지 않았다. 우리는 나노와이어를 만들었고 지금은 이러한 전극으로 연료전지를 만들고 있다"고 말했다.
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