삼성 플래시 메모리 칩. 참조 데이터

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삼성 플래시 메모리 칩. 참조 데이터

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이 기사에서는 4Gbit 플래시 메모리 칩 K9K4G08Q0M-YCB0/YIB0, K9K4G16Q0M- YCBO/YIBO, K9K4G08U0M- YCBO/YIBO, K9K4G16U0M-YCB0/YIB0에 대해 설명합니다. 이 마이크로 회로는 소비자, 산업 및 컴퓨터 장치의 비휘발성 메모리로 사용됩니다. 디지털 비디오 및 사진 카메라, 음성 녹음기 및 자동 응답기에서 이러한 칩은 솔리드 스테이트 플래시 드라이브의 일부로 이미지 및 사운드용 메모리로 사용됩니다.

플래시 메모리 칩은 공급 전압과 아키텍처에 따라 그룹으로 나뉩니다(표 1). 테이블에서. 2는 플래시 메모리 칩의 핀 할당을 보여줍니다.

표 1

장치 지정	공급 전압(공칭 값)	구조	쉘 유형
K9K4G08Q0M-Y	1,70...1,95V(1,8V)	512Mbps x 8	TS0P1
K9K4G16Q0M-Y	1,70...1,95V(1,8V)	256Mbps x 16	TS0P1
K9K4G08U0M-Y	2,7...3,6V(3,3V)	512Mbps x 8	TS0P1
K9K4G16U0M-Y	2,7...3,6V(3,3V)	256Mbps x 16	TS0P1

표 2

핀 수	핀 명칭(칩 유형)	핀 할당
29-32; 41-44	I/O(0-7) (K9K4G08X0M-Y)	데이터 입력/출력. 핀은 읽기/쓰기 주기 동안 셀 주소, 데이터 또는 명령을 입력/출력하는 데 사용됩니다. 칩이 선택되지 않거나 핀이 비활성화되면 높은 임피던스 상태가 됩니다.
26, 28, 30, 32, 40, 42, 44, 46, 27, 29, 31, 33, 41, 43, 45, 47	I/0(0-15) (K9K4G16X0M-Y)
16	CLE	명령 커밋 권한. 이 핀의 높은 신호 레벨은 명령 레지스터 방향으로 I/O 입력의 멀티플렉서를 전환합니다. 명령은 신호 WE의 가장자리에 있는 레지스터에 기록됩니다.
17	의	주소 수정 권한. 이 입력의 높은 신호 레벨은 주소 레지스터 방향으로 I/O 입력의 멀티플렉서를 전환합니다. 레지스터에 명령을 접으면 신호 WE의 가장자리에서 만들어집니다.
9	CE	칩 선택. 입력의 로우 레벨은 데이터 읽기 작업을 허용하고 하이 레벨은 아무 작업도 하지 않을 때 미세 회로를 대기 모드로 전환합니다. 쓰기/지우기 작업 중에는 이 입력의 상위 수준이 무시됩니다.
8	RE	읽기 권한. 입력은 I/O 버스에서 데이터 전송이 활성화될 때 직렬 데이터 출력을 제어합니다. 데이터는 RE 신호가 떨어지고 일부 정규화된 샘플링 시간이 지난 후에 유효합니다. RE 신호는 또한 열의 내부 주소 카운터를 XNUMX씩 증가시킵니다.
18	WE	녹음 권한. 입력은 I/O 포트에 대한 쓰기를 제어합니다. 명령, 주소 및 데이터는 WE의 가장자리에 래치됩니다.
19	WP	쓰기 잠금. 출력은 전원을 켜는 동안 우발적인 쓰기/지우기를 방지합니다. 내부 프로그래밍 전압 생성기는 WP 핀이 활성 로우일 때 비활성화됩니다.
7	R/B	한가함/바쁨. R/B 출력은 칩의 상태를 나타냅니다. 낮은 수준은 임의 액세스 쓰기, 지우기 또는 읽기 작업이 진행 중임을 나타내며 이러한 작업이 완료되면 높은 수준이 설정됩니다. 이 오픈 드레인 출력은 칩이 선택되지 않았거나 출력이 비활성화되었을 때 고임피던스 상태로 전환되지 않습니다.
38	예약	전원을 켤 때 읽기 권한이 있습니다. PRE 출력은 전원을 켤 때 수행되는 자동 읽기 작업을 제어합니다. PRE 핀이 VCC 핀에 연결되어 있으면 전원 켜기 자동 읽기가 활성화됩니다.
12	VCC	공급 전압
13	VSS	일반

K9K4GXXX0M 칩은 4Mb의 예비 용량(실제 용량은 128비트)을 갖춘 4Gb의 용량과 최대 429M 쓰기/삭제 주기 안정성을 갖춘 185Mb x 024 또는 512Mb x 8 아키텍처를 갖추고 있습니다. 256비트 칩은 16 x 1페이지로 구성되고, 8비트 칩은 2112 x 8열로 구성됩니다. 모든 초소형 회로에는 16비트 초소형 회로의 경우 주소가 1056-16인 128개 행, 2048비트 초소형 회로의 경우 주소가 2111-8인 64개 열에 예비 비트가 있습니다. 메모리 셀과 I/O 포트 간의 페이지 읽기/쓰기 작업 중에 데이터 전송을 구성하기 위해 이러한 마이크로 회로에는 1024비트 마이크로 회로의 경우 크기가 1055바이트이고 16비트 마이크로 회로의 경우 2112워드 크기의 데이터 레지스터와 연결된 레지스터가 있습니다. 적절한 크기의 캐시를 서로 직렬화합니다. 메모리 어레이는 서로 다른 페이지에 위치한 8개의 연결된 셀로 구성되며 NAND 구조로 통합됩니다. 1056개의 16I-NOT 구조를 결합한 32개의 셀이 32페이지에 걸쳐 블록을 구성합니다. 135168비트 또는 2비트 블록의 집합이 메모리 어레이를 구성합니다.

읽기 작업은 페이지 단위로 수행되는 반면 지우기 작업은 블록 단위로만 수행됩니다. 개별적으로 지울 수 있는 블록 2048개 ps 128KB(8비트 미세 회로의 경우) 또는 64Kwords 블록(16비트 미세 회로의 경우)입니다. 개별 비트를 지우는 것은 불가능합니다.

초소형 회로에 페이지 쓰기는 300μs, 삭제 속도는 블록당 2ms(128비트 초소형 회로의 경우 8KB, 64비트 초소형 회로의 경우 16K워드)에 수행됩니다. 50ns 안에 페이지에서 XNUMX바이트의 데이터를 읽습니다.

마이크로 칩에 데이터를 기록하고 제어하기 위해 필요한 경우 내부 검증 및 데이터 라벨링 작업을 반복하는 것을 포함하여 전체 프로세스를 제공하는 컨트롤러가 내장되어 있습니다. K9K4GXXX0M 초소형 회로에는 실시간으로 오류 수정 및 잘못된 데이터 컬링과 함께 정보 검증을 제공하는 시스템이 있습니다.

칩에는 8개 또는 16개의 다중 I/O 주소가 있습니다. 이 솔루션은 관련된 출력 수를 크게 줄이고 크기를 늘리지 않고도 후속 장치 업그레이드를 허용합니다. 명령, 주소 및 데이터는 동일한 입력/출력 핀을 통한 WE 신호의 하강에 의해 CE 핀에 로우 레벨로 입력됩니다. 입력 정보는 WE 신호의 상승 에지에서 버퍼 레지스터에 기록됩니다. 명령 쓰기 인에이블(CLE) 및 주소 쓰기 인에이블(ALE) 신호는 동일한 I/O 핀을 통해 명령 및 주소를 각각 다중화하는 데 사용됩니다.

표 3

운전	HEX 코드 첫 번째 사이클	HEX 코드 첫 번째 사이클
독서	00	30
덮어쓰기 위해 읽기	00	35
서명 읽기	90	-
재설정	FF	-
페이지당 쓰기	80	10
캐시에 쓰기	80	15
다시 쓰기	85	10
블록 지우기	60	DO
무료 데이터 입력*	85	-
무료 데이터 출력*	05	E0
읽기 상태	70	-

* 한 페이지 내에서 임의의 데이터 입출력 가능

테이블에서. 3은 마이크로 회로의 제어 명령을 보여줍니다. 표에 나열되지 않은 다른 XNUMX진법(HEX) 명령 코드의 입력에 대한 제출은 예측할 수 없는 결과를 초래하므로 금지됩니다.

많은 양의 데이터를 수신할 때 쓰기 속도를 향상시키기 위해 온보드 컨트롤러에는 캐시 레지스터에 데이터를 쓸 수 있는 기능이 있습니다. 전원이 켜지면 내장 컨트롤러는 명령과 주소를 입력하지 않고 첫 페이지부터 시작하여 메모리 어레이에 대한 액세스를 자동으로 제공합니다. 개선된 아키텍처 및 인터페이스 외에도 컨트롤러는 외부 버퍼 메모리에 액세스하지 않고도 한 메모리 페이지의 내용을 다른 페이지로 복사(덮어쓰기)할 수 있습니다. 이 경우 시간이 많이 걸리는 순차적 액세스 및 데이터 입력 주기가 없기 때문에 데이터 전송 속도가 정상 작동보다 빠릅니다.

컬링 차단

K9K4GXXX0M 칩의 메모리 블록에 명확하게 읽을 수 없는 잘못된 비트가 하나 이상 포함되어 있으면 잘못된 것으로 정의됩니다. 유효하지 않은 블록의 정보는 "잘못된 블록 정보"로 처리됩니다. 유효하지 않은 블록이 있는 칩은 정적 및 동적 특성이 다르지 않으며 모든 올바른 블록이 있는 칩과 동일한 품질 수준을 갖습니다. 유효하지 않은 블록은 선택 트랜지스터에 의해 비트 및 공통 공급 레일로부터 절연되기 때문에 일반 블록의 작동에 영향을 미치지 않습니다. 시스템은 유효하지 않은 블록에 대해 주소가 차단되도록 설계되었습니다. 따라서 잘못된 비트에 대한 액세스는 전혀 없습니다.

잘못된 블록 식별

8비트 주소가 FFh이고 16비트 주소가 FFFFh인 모든 미세회로 셀(무효 블록에 대한 정보가 저장된 셀 제외)의 내용이 삭제될 수 있습니다. 메모리 어레이의 스페어 영역에 있는 유효하지 않은 블록의 주소는 8비트 칩의 경우 첫 번째 바이트, 16비트 칩의 경우 첫 번째 워드에 의해 결정됩니다. 제조업체는 유효하지 않은 셀의 주소가 있는 각 블록의 첫 번째 또는 두 번째 페이지에 각각 FFh 또는 FFFFh와 다른 주소 1(2비트의 경우) 또는 2048(8비트의 경우)가 있는 열의 데이터가 있음을 보장합니다. . 유효하지 않은 블록에 대한 정보도 삭제 가능하므로 대부분의 경우 불량 블록의 주소를 지워도 복원할 수 없습니다. 따라서 시스템에는 잘못된 블록에 대한 초기 정보를 기반으로 삭제로부터 보호되고 잘못된 블록 테이블을 생성할 수 있는 알고리즘이 있어야 합니다.

메모리 어레이를 지우고 나면 이 블록의 주소가 이 테이블에서 다시 로드됩니다. 잘못된 블록에 대한 원본 정보의 의도적인 삭제는 시스템 전체의 잘못된 작동으로 이어지기 때문에 금지됩니다.

시간이 지남에 따라 무효 블록의 수가 증가할 수 있으므로 백업 무효 블록 테이블의 데이터에 대해 무효 블록의 주소를 확인하여 실제 메모리 용량을 주기적으로 확인해야 합니다. 높은 내결함성을 요구하는 시스템의 경우 실제 데이터와 결과를 비교하여 잘못된 정보 블록을 신속하게 식별하고 교체하여 메모리 어레이를 블록 단위로 다시 쓸 수 있는 가능성을 제공하는 것이 가장 좋습니다. 감지된 무효 블록의 데이터는 배열의 인접 블록에 영향을 미치지 않고 블록 크기에 해당하는 크기의 내장 버퍼를 사용하여 다른 정상적인 빈 블록으로 전송됩니다. 이를 위해 블록별 재작성 명령이 제공됩니다.

간행물: cxem.net

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3D 프린터에 대한 설명에서 이러한 장치의 범위에는 일반적으로 프로토타입 부품이 포함되지만 3D 인쇄 기술을 사용하여 다른 개체도 만들 수 있습니다. 예를 들어, 이스라엘 회사 Stratasys에서 제공하는 260D 프린터 Objet EdenXNUMXV는 치과 의사를 위해 설계되었습니다. 요즘 제조업체는 시카고에서 열린 LMT Lab Day Show에서 참신함을 시연하고 있습니다.

Objet Eden260V 프린터는 구강 스캔 데이터를 기반으로 하는 수술 템플릿뿐만 아니라 치아와 턱의 3D 모델을 생성하는 기능을 제공합니다. 제조업체에 따르면 이러한 목적으로 XNUMXD 프린터를 사용하면 작업 비용이 절감되고 보다 정확한 모델을 얻을 수 있습니다.

프린터는 지정된 용도에 적합한 특수 재료를 사용합니다. 제조업체는 장치의 장점을 경쟁 모델보다 20-40% 더 많은 인쇄 영역을 참조하여 한 번의 인쇄 세션에서 여러 모델을 표시하여 생산성을 높일 수 있다고 말합니다. 그런데 인쇄 속도면에서 새 프린터가 기존 프린터에 비해 33%에 달합니다.

프린터는 젤과 같은 포토폴리머로 물체를 형성하는 레이어별 방법을 사용합니다. 수평면의 해상도는 600dpi이고 수직면은 1600dpi입니다. 인쇄 정확도 - 크기가 최대 85mm인 물체의 경우 50미크론 이상, 최대 크기의 물체의 경우 200미크론 이상입니다. 인쇄 영역은 255 x 252 x 200mm이고 전체 프린터의 치수는 870 x 735 x 1200mm입니다.

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