| 트랜지스터 |
예약 |
| 2P101 |
입력 임피던스가 높은 저주파 및 DC 증폭기의 입력 단계에서 작동 |
| KP102 |
입력 임피던스가 높은 저주파 및 DC 증폭기의 입력 단계에서 작동 |
2P103
2P103-9 |
입력 임피던스가 높은 저주파 및 DC 증폭기의 입력 단계에서 작동 |
| 2PS104 |
입력 임피던스가 높은 저주파 및 직류 차동 저잡음 증폭기의 입력 단계에서 작동 |
| 2P201 |
입력 임피던스가 높은 저주파 및 DC 증폭기의 입력 단계에서 작동 |
| 2PS202 |
입력 임피던스가 높은 저주파 및 직류 차동 저잡음 증폭기의 입력 단계에서 작동 |
| KPS203 |
입력 임피던스가 높은 저주파 및 직류 차동 저잡음 증폭기의 입력 단계에서 작동 |
| KP301 |
입력 임피던스가 높은 저잡음 증폭기 및 비선형 소신호 회로의 프런트 엔드에 사용 |
| KP302 |
최대 150MHz 주파수 범위의 광대역 증폭기와 스위칭 및 스위칭 장치에 사용 |
| KP303 |
입력 임피던스가 높은 고(D, E, I) 및 저(A, B, C, G) 주파수 증폭기의 입력 단계에서 사용하도록 설계되었습니다. KP303G 트랜지스터는 전하에 민감한 증폭기 및 기타 핵 분광법 회로에 사용하도록 설계되었습니다. |
| KP304 |
입력 임피던스가 높은 스위칭 및 증폭 회로에 사용하도록 설계됨 |
| 2P305 |
입력 임피던스가 높은 고주파수 및 저주파 증폭기 단계에서 사용하도록 설계 |
| KP306 |
입력 임피던스가 높은 고주파 및 저주파의 변환기 및 증폭 단계에서 사용하도록 설계되었습니다. |
| KP307 |
입력 임피던스가 높은 고주파 및 저주파 증폭기의 입력 단계에서 사용하도록 설계되었습니다. KP307Zh 트랜지스터는 전하에 민감한 증폭기 및 기타 핵 분광법 회로에 사용하도록 설계되었습니다. |
| 2P308-9 |
입력 임피던스가 높은 스위칭 회로 및 스위치 회로(G, D)에서 저주파 및 직류 증폭기(A, B, C)의 입력 단계에서 사용하도록 설계되었습니다. |
| KP310 |
마이크로웨이브 트랜시버에 사용 |
| KP312 |
마이크로웨이브 범위의 증폭기 및 변환기의 입력 단계에서 사용하도록 설계됨 |
| KP313 |
입력 임피던스가 높은 고주파수 및 저주파 증폭기 단계에서 사용하도록 설계 |
| KP314 |
핵 분광 장치의 전치 증폭기의 냉각 캐스케이드에 사용 |
| KPS315 |
입력 임피던스가 높은 저주파 및 직류 차동 저잡음 증폭기의 입력 단계에서 작동 |
| KPS316 |
차동 증폭기의 입력단 동작용, 입력 임피던스가 높은 다양한 용도의 평형 회로 |
| 3P320-2 |
8GHz의 주파수에서 정규화된 잡음 지수를 갖는 마이크로웨이브 증폭 장치용 쇼트키 장벽이 있는 비소니도갈륨 전계 효과 트랜지스터 |
| 3P321-2 |
8GHz의 주파수에서 정규화된 잡음 지수를 갖는 마이크로웨이브 증폭 장치용 쇼트키 장벽이 있는 비소니도갈륨 전계 효과 트랜지스터 |
| KP322 |
최대 400MHz의 주파수에서 단계를 증폭 및 혼합하기 위한 pn 접합 기반의 사극 |
| KP323-2 |
저주파 및 고주파(최대 400MHz)의 저잡음 저잡음 전치 증폭기용 p-n 접합 트랜지스터 |
| 3P324-2 |
12GHz의 주파수에서 정규화된 잡음 지수를 갖는 마이크로웨이브 증폭 장치용 쇼트키 장벽이 있는 비소니도갈륨 전계 효과 트랜지스터 |
| 3P325-2 |
잡음 수준이 낮은 마이크로파 장치와 고유 잡음 수준이 낮은 광검출기용 8GHz 주파수에서 정규화된 잡음 지수를 갖는 쇼트키 장벽이 있는 비소갈륨 전계 효과 트랜지스터 |
| 3P326-2 |
프런트 엔드 및 다운스트림 저잡음 증폭기에 사용하기 위한 17.4GHz 쇼트키 장벽 FET |
| KP327 |
VHF 및 UHF TV 채널 선택기용 n채널 및 다이오드 보호 게이트가 있는 MOS 테트로드 |
| 3P328-2 |
저잡음 증폭기의 입력 및 후속 단계에서 사용하기 위해 8GHz 주파수에서 정규화된 잡음 지수를 갖는 쇼트키 장벽이 있는 비소갈륨 전계 효과 트랜지스터 |
| KP329 |
입력 임피던스가 높은 스위칭 장치 및 스위치에서 저주파수 및 고주파수(최대 200MHz) 증폭기의 입력단에 사용 |
| 3P330-2 |
저잡음 증폭기의 입력 및 후속 단계에서 사용하기 위해 25GHz(3P330A-2, 3P330B-2) 및 17.4GHz(3P330V-2)의 주파수에서 정규화된 잡음 지수를 갖는 쇼트키 장벽이 있는 갈륨 비소 전계 효과 트랜지스터 |
| 3P331-2 |
저잡음 및 확장된 다이내믹 레인지 증폭기 애플리케이션을 위한 10GHz 쇼트키 배리어 정격 잡음 지수를 갖는 비소갈륨 전계 효과 트랜지스터 |
| 2P332 |
스위칭 및 증폭 장치용 p-채널 전계 효과 트랜지스터 |
| 2P333 |
입력 저항이 높은 스위칭 장치 및 스위치에서 저주파수 및 고주파수(최대 200MHz) 증폭기의 입력단에 사용하기 위한 전계 효과 n채널 트랜지스터 |
| 2P335-2 |
증폭 장치용 |
| 2P336-1 |
스위칭 및 증폭 장치용 |
| 2P337-R |
전기 매개변수에 따라 쌍으로 선택된 트랜지스터는 평형 증폭기, 최대 400MHz의 주파수에서 높은 입력 임피던스를 갖는 차동 증폭기에 사용하도록 설계되었습니다. |
| 2P338-R1 |
전기 매개변수에 따라 쌍으로 선택된 트랜지스터는 평형 증폭기, 입력 임피던스가 높은 차동 증폭기에 사용하도록 설계되었습니다. |
| 3P339-2 |
저잡음, 확장된 다이내믹 레인지 및 광대역 증폭기에 사용하기 위한 8GHz 및 17.4GHz의 잡음 정격 쇼트키 FET |
| 2P341 |
주파수 범위 20Hz - 500MHz의 저잡음 증폭기의 입력 단계용 pn 접합이 있는 트랜지스터 |
| KP342 |
스위칭 장치용 |
| 3P343-2 |
프런트 엔드 및 다운스트림 저잡음 증폭기에 사용하기 위한 12GHz 쇼트키 장벽 FET |
| 3P344-2 |
프런트 엔드 및 다운스트림 저잡음 증폭기에 사용하기 위한 4GHz 쇼트키 장벽 FET |
| 3P345-2 |
낮은 수준의 고유 노이즈가 있는 광검출기에 사용하기 위한 쇼트키 장벽이 있는 갈륨 비소 전계 효과 트랜지스터 |
| KP346-9 |
TV 수신기 채널 선택기용 다이오드 보호 게이트가 있는 MOS n채널 이중 게이트 트랜지스터(A, B - 데시미터파용, C - 미터파용) |
| 2P347-2 |
라디오 수신기의 입력 단계를 위한 n-채널 이중 게이트 트랜지스터 |
| KP350 |
초고주파(최대 700MHz)의 캐스케이드를 증폭, 생성 및 변환하는 데 사용하도록 설계되었습니다. |
| KP351 |
3개의 게이트(351P2A-3)와 351개의 게이트(1P2AXNUMX-XNUMX)가 있는 쇼트키 배리어가 있는 트랜지스터, 저잡음 증폭기, 믹서 및 센티미터 범위의 기타 장치에 사용하도록 설계됨 |
| KP365A |
BF410C n채널 트랜지스터 |
| KP382A |
BF960 이중 게이트 FET 채널 선택기 DH |
| KP501A |
아날로그 통신의 키로 사용되는 ZVN2120 고전압 MOSFET |
KP601
2P601-9 |
증폭기 및 주파수 변환기의 입력 및 출력 단계에서 작동하는 확산 게이트 및 n 채널이 있는 전계 효과 트랜지스터 |
| AP602-2 |
쇼트키 배리어와 n채널이 있는 비소니도갈륨 전계 효과 트랜지스터는 3-12GHz 주파수 범위의 전력 증폭기, 자체 발진기, 주파수 변환기에서 작동합니다. |
| 3P603-2 |
쇼트키 배리어와 n채널이 있는 비소니도갈륨 전계 효과 트랜지스터는 최대 12GHz 주파수 범위의 전력 증폭기, 자체 발진기, 주파수 변환기에서 작동합니다. |
| 3P604-2 |
쇼트키 배리어와 n채널이 있는 비소니도갈륨 전계 효과 트랜지스터는 3-18GHz 주파수 범위의 전력 증폭기, 자체 발진기, 주파수 변환기에서 작동합니다. |
| 3P605-2 |
쇼트키 배리어 및 n-채널이 있는 갈륨 비소 전계 효과 트랜지스터는 저잡음 증폭기 및 확장된 다이내믹 증폭기에서 작동합니다.
범위 |
| 3P606-2 |
쇼트키 배리어와 n채널이 있는 비소니도갈륨 전계 효과 트랜지스터는 최대 12GHz 주파수 범위의 전력 증폭기, 자체 발진기, 주파수 변환기에서 작동합니다. |
| 3P607-2 |
최대 10GHz 주파수 범위의 전력 증폭기, 발전기, 주파수 변환기에서 작동하기 위한 n채널의 비소갈륨 전계 효과 트랜지스터 |
| 3P608-2 |
증폭기 및 생성기의 출력 단계에서 작동하기 위한 쇼트키 배리어 및 n-채널이 있는 비소갈륨 전계 효과 트랜지스터 |
| KP701 |
1차 전원 공급 장치용 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터, 스위칭 주파수가 최대 XNUMXMHz인 스위칭 및 스위칭 장치 |
| KP702 |
보조 전원 공급 장치, 스위칭 및 펄스 장치, 키 안정기 및 전압 변환기, 증폭기, 발전기를 위한 절연 게이트 및 n-채널이 있는 전계 효과 트랜지스터 |
| KP703 |
XNUMX차 전원 공급 장치, 스위칭 및 펄스 장치, 키 안정기 및 전압 변환기, 증폭기, 발전기를 위한 절연 게이트 및 p 채널이 있는 전계 효과 트랜지스터 |
| KP704 |
다색 그래픽 디스플레이의 터미널 비디오 증폭기 출력단, 보조 전원 공급 장치, 전기 회로용 스위칭 장치에 사용하기 위한 절연 게이트 및 n채널이 있는 전계 효과 트랜지스터 |
| KP705 |
스위칭 전원 공급 장치, 스위칭 및 스위칭 장치에 사용하기 위한 n채널 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터 |
| KP706 |
스위칭 전원 공급 장치, 스위칭 및 스위칭 장치에 사용하기 위한 n채널 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터 |
| KP709 |
90세대 및 90세대 TV 수신기용 스위칭 전원 공급 장치, 무선 전자 장비의 스위칭 및 임펄스 장치, 전기 구동 장치에 사용하기 위한 절연 게이트 및 n-채널 전계 효과 트랜지스터. BUZXNUMX, BUZXNUMXA Siemens와 유사합니다. |
| KP712 |
펄스 장치에서 작동하기 위한 절연 게이트 및 p-채널이 있는 전계 효과 트랜지스터 |
| KP717B |
350V, 400ohm의 IRF0.3 MOSFET |
| KP718A |
45V, 500ohm의 BUZ0.6 MOSFET |
| KP718E1 |
453V, 500ohm의 IRF0.6 MOSFET |
| KP722A |
36V, 200ohm의 BUZ0.12 MOSFET |
| KP723A |
44V, 60ohm의 IRF0.028 MOSFET |
| KP723B |
44V, 60ohm의 IRF0.028 MOSFET |
| KP723V |
45V, 60ohm의 IRF0.028 MOSFET |
| KP724G |
42V, 60ohm의 IRF0.028 MOSFET |
| KP724A |
6V, 60ohm의 MTP600N1.2 MOSFET |
| KP724B |
842V, 600ohm의 IRF1.2 MOSFET |
| KP725A |
450V, 500ohm의 TPF0.4 MOSFET |
| KP726A |
90V, 600ohm의 BUZ1.2 MOSFET |
| KP728A |
800V, 3.0ohm의 MOSFET |
| KP801 |
사운드 재생 장비의 증폭기 출력 단계에 사용하기 위한 pn 접합이 있는 전계 효과 트랜지스터 |
| KP802 |
DC-DC 변환기의 주요 회로에서 고속 스위치로 작동하는 전계 효과 트랜지스터 pn 접합 |
| KP803 |
보조 전원 공급 장치, 스위칭 및 펄스 장치, 주요 안정 장치 및 전압 변환기, 증폭기 및 발전기용 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터 |
| KP804 |
고속 스위칭 회로용 n-채널 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터 |
| KP805 |
주파수 50Hz 및 전압 220V의 산업용 AC 네트워크에서 작동하는 무변압기 입력으로 보조 전원 공급 장치를 구축하고 전기 에너지를 변환하는 기타 장치를 위한 절연 게이트 및 n채널이 있는 전계 효과 트랜지스터 |
| KP809 |
변압기가 없는 입력이 있는 스위칭 전원 공급 장치, 레귤레이터, 스태빌라이저 및 컨버터에서 최대 3MHz 이상의 주파수에서 작동하는 MOS 트랜지스터 |
| KP810 |
무변압기 입력, 주요 전력 증폭기가 있는 고주파 전원 공급 장치 회로에 사용하기 위한 정적 유도 장치 |
| KP812 |
스위칭 전원 공급 장치, 조정기, 오디오 주파수 증폭기를 위한 절연 게이트 및 n-채널이 있는 전계 효과 트랜지스터 |
| KP813 |
변압기가 없는 입력이 있는 스위칭 전원 공급 장치, 레귤레이터, 스태빌라이저 및 컨버터에서 최대 3MHz 이상의 주파수에서 작동하는 MOS 트랜지스터 |
| KP814 |
스위칭 전원 공급 장치를 위한 절연 게이트 및 n-채널이 있는 FET |
| KP901 |
절연 게이트가 있는 전계 효과 트랜지스터는 단파장 및 초단파장(최대 100MHz) 범위의 증폭 및 생성기 단계에서 사용하도록 설계되었습니다. |
| KP902 |
최대 400MHz의 주파수 범위에서 장치를 수신 및 전송하는 데 사용하기 위한 절연 게이트가 있는 전계 효과 트랜지스터 |
| KP903 |
최대 30MHz의 주파수 범위에서 수신-송신 및 스위칭 장치에 사용하기 위한 pn 접합이 있는 전계 효과 트랜지스터 |
| KP904 |
절연 게이트가 있는 전계 효과 트랜지스터는 단파장 및 초단파장 범위의 증폭, 변환 및 생성기 단계에 사용하도록 설계되었습니다. |
| KP905 |
최대 1500MHz의 주파수 범위에서 신호를 증폭하고 생성하기 위한 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터 |
| KP907 |
최대 1500MHz의 신호를 증폭 및 생성하고 나노초 범위의 빠른 스위칭 애플리케이션을 위한 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터 |
| KP908 |
최대 2.25GHz의 주파수 범위에서 신호를 증폭하고 생성하기 위한 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터 |
| KP909 |
최대 400MHz의 주파수에서 연속 및 펄스 모드의 증폭 및 생성 장치에서 작동하기 위한 절연 게이트가 있는 전계 효과 트랜지스터 |
| AP910-2 |
최대 8GHz의 주파수 범위에서 전력 증폭기, 발전기에서 작동하기 위한 쇼트키 배리어 및 n채널이 있는 비소갈륨 전계 효과 트랜지스터 |
| KP911 |
증폭 및 생성 장치에서 작동하기 위한 절연 게이트가 있는 전계 효과 트랜지스터 |
| KP912 |
주요 전압 안정기 및 변환기, 펄스 장치, 증폭기 및 발전기에 사용하기 위한 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터 |
| KP913 |
최대 400V의 공급 전압에서 최대 45MHz의 주파수 범위에서 신호를 증폭하고 생성하기 위한 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터 |
| 2P914 |
증폭기, 변환기 및 고주파 발생기 및 스위칭 장치에 사용하기 위한 pn 접합이 있는 전계 효과 트랜지스터 d |
| 3P915-2 |
최대 8GHz의 주파수 범위에서 전력 증폭기, 발전기에서 작동하기 위한 쇼트키 배리어 및 n채널이 있는 비소갈륨 전계 효과 트랜지스터 |
| KP918 |
최대 1GHz의 신호를 증폭 및 생성하고 빠른 스위칭 애플리케이션을 위한 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터 |
| KP920 |
최대 400MHz의 신호를 증폭 및 생성하고 빠른 스위칭 애플리케이션을 위한 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터 |
| KP921 |
고속 스위칭 애플리케이션용으로 설계된 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터 |
2P922
2P922-1 |
보조 전원 공급 장치, 고속 스위칭 및 펄스 장치, 안정기 및 전압 변환기에 사용하도록 설계된 절연 게이트 및 n 채널이 있는 전계 효과 트랜지스터 |
| KP923 |
최대 1GHz 주파수의 선형 증폭 장치에서 증폭 및 생성 장치에서 작동하기 위한 절연 게이트가 있는 전계 효과 트랜지스터 |
| 3P925-2 |
특성 임피던스가 3.7인 경로에서 4.2-3GHz(925P4.3A) 및 4.8-3GHz(925P50B) 주파수 범위의 광대역 전력 증폭기에서 작동하기 위한 쇼트키 장벽 및 n채널이 있는 갈륨 비소 전계 효과 트랜지스터 Ω 및 내부 정합 회로 포함 |
| 2P926 |
보조 전원 공급 장치, 스위칭 및 펄스 장치, 키 및 선형 장치용 전계 효과 트랜지스터 |
| 3P927 |
1-18GHz 주파수 범위의 전력 증폭기, 자체 발진기, 주파수 변환기에서 작동하기 위한 n-채널이 있는 쇼트키 장벽이 있는 비소갈륨 전계 효과 트랜지스터 |
| 2P928 |
n채널 및 공통 소스가 있는 XNUMX개의 MOS 트랜지스터, 전력 증폭기 및 생성기에 사용하도록 설계된 생성기 |
| 3P930 |
5.7-6.3GHz의 주파수 범위에서 작동하기 위한 쇼트키 장벽 및 n-채널이 있는 비소갈륨 전계 효과 트랜지스터 |
| KP932 |
컬러 디스플레이 비디오 증폭기의 캐스케이드에서 작동하기 위한 고전압 트랜지스터 |
| KP933 |
선형 및 광대역 증폭 장치 및 고주파 안정성을 갖춘 자체 발진기(최대 1GHz 주파수의 신호 증폭 및 생성용)에서 작동하기 위한 n채널 및 공통 소스가 있는 XNUMX개의 MIS 트랜지스터 |
| KP934 |
XNUMX차 전원 공급 장치 및 고전압 키 장치에 사용하도록 설계된 정적 유도 및 n-채널 트랜지스터 |
| KP937 |
XNUMX차 전원 공급 장치, 전압 변환기, 전기 구동 시스템, 전기 스파크 처리 단지의 펄스 발생기에 사용하기 위한 pn 접합 및 n-채널이 있는 스위칭 전계 효과 트랜지스터 |
| KP938 |
XNUMX차 전원 공급 장치, DC 및 AC 모터 전원 공급, 강력한 스위치, 저주파 증폭기에 사용하기 위한 pn 접합 및 n 채널이 있는 고전압 전계 효과 트랜지스터 스위칭 |
| 2P941 |
400V의 공급 전압에서 최대 600-12MHz의 작동 주파수로 전자 회로에서 신호 생성 및 전력 증폭용 |
| KP944 |
자기 디스크에 있는 컴퓨터 저장 장치의 제어 회로에서 작동하기 위한 p-채널이 있는 MIS 트랜지스터 |
| KP944 |
자기 디스크에 있는 컴퓨터 저장 장치의 제어 회로에서 작동하기 위한 n채널이 있는 MIS 트랜지스터 |
| KP946 |
무변압기 입력, 주요 전력 증폭기가 있는 고주파 전원 공급 장치 회로에 사용하기 위한 정적 유도 장치 |
| KP948 |
무변압기 입력, 주요 전력 증폭기가 있는 고주파 전원 공급 장치 회로에 사용하기 위한 정적 유도 장치 |
| KP953 |
무변압기 입력, 주요 전력 증폭기가 있는 고주파 전원 공급 장치 회로에 사용하기 위한 정적 유도 장치 |
| KP955 |
무변압기 입력, 주요 전력 증폭기가 있는 고주파 전원 공급 장치 회로에 사용하기 위한 정적 유도 장치 |
Arabic
Bengali
Chinese
English
French
German
Hebrew
Hindi
Italian
Japanese
Korean
Malay
Polish
Portuguese
Spanish
Turkish
Ukrainian
Vietnamese
다른 기사 보기 섹션 
과학 기술의 최신 뉴스, 새로운 전자 제품:
이 페이지의 모든 언어