트랜지스터 IRFD9014 - IRFIBC40 GLC. 참조 데이터
무선 전자 및 전기 공학 백과사전 / 참고 자료
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모델 |
Фирма |
우시,브이 |
이크, 에이 |
싸이,W |
S,mA/V |
코퍼스 |
유형 |
IRFD9014 |
IR |
60 |
1.1 |
1.3 |
700 |
4-딥 |
P-채널 |
IRFD9024 |
IR |
60 |
1.6 |
1.3 |
1300 |
|
P-채널 |
IRFD9110 |
IR |
100 |
0.7 |
1.3 |
600 |
4-딥 |
P-채널 |
IRFD9120 |
IR |
100 |
1.1 |
1.0 |
800 |
4-딥 |
P 채널, T |
IRFD9120 |
SIL |
100 |
1.1 |
1.0 |
800 |
4-딥 |
P 채널, T |
IRFD9210 |
IR |
200 |
0.4 |
1.0 |
270 |
|
P-채널 |
IRFD9220 |
IR |
200 |
0.56 |
1.3 |
550 |
4-딥 |
P-채널 |
IRFI540G |
IR |
100 |
17.0 |
48.0 |
9100 |
TO220OF |
N채널 |
IRFI630G |
IR |
200 |
5.9 |
35.0 |
3200 |
TO220OF |
N채널 |
IRFI634G |
IR |
|
|
|
|
|
|
IRFI640G |
IR |
|
|
|
|
|
|
IRFI730G |
IR |
400 |
3.7 |
35.0 |
3600 |
TO220F |
N채널 |
IRFI744G |
IR |
400 |
4.9 |
40.0 |
3300 |
TO220F |
N채널 |
IRFI830G |
IR |
500 |
3.1 |
35.0 |
2000 |
TO220F |
N채널 |
IRFI840G |
IR |
500 |
4.6 |
40.0 |
3700 |
TO220 |
N채널 |
IRFI840GLC |
IR |
500 |
4.6 |
40.0 |
3700 |
TO220 |
N채널 |
IRFI9540G |
IR |
100 |
11.0 |
48.0 |
5400 |
TO220F |
P-채널 |
IRFI9630G |
IR |
200 |
4.3 |
35.0 |
2400 |
TO220F |
P-채널 |
IRFI9634G |
IR |
|
|
|
|
|
|
IRFIBC30G |
IR |
600 |
2.5 |
35.0 |
2200 |
TO220F |
N채널 |
IRFIBC40G |
IR |
600 |
3.5 |
40.0 |
4900 |
TO220F |
N채널 |
IRFIBC40GLC |
IR |
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간행물: cxem.net
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아카이브의 무작위 뉴스 스핀 메모리 STT-MRAM
23.01.2015
스핀 메모리 STT-MRAM은 상대적으로 신뢰성과 내구성이 낮고 데이터를 쓸 때 소모되는 전력이 상대적으로 높다는 플래시 메모리의 단점이 없다. 플래시 메모리와 DRAM을 대체할 것으로 보입니다.
DSI(Data Storage Institute)와 Micron Technology가 대표하는 싱가포르 에이전시 A*STAR(Agency for Science, Technology and Research)는 스핀 토크 전달 자기 랜덤의 효과를 사용하는 랜덤 액세스 자기 메모리의 공동 개발을 계속한다고 발표했습니다. 액세스 메모리, STT-MRAM). 2011년 가을에 체결된 원래의 XNUMX년 협력 계약은 XNUMX년 더 연장되었습니다.
A*STAR DSI 기능과 STT-MRAM에 대한 연구소의 전문성은 Micron이 싱가포르에 연구 센터를 설립하는 데 도움이 되었습니다. 연구소는 협력 초기 단계에서 STT-MRAM 칩의 성공적인 제조에 필요한 경험도 공유했다.
협력사들은 성공적인 협력 경험을 바탕으로 새로운 단계에서 저전력 스위칭 메커니즘을 개발하고 STT-MRAM의 성능을 개선하는 데 집중할 계획이다. 양 당사자는 협력을 통해 새로운 메모리 기술을 상용 애플리케이션에 더 가깝게 만들 수 있기를 희망합니다.
STT-MRAM 메모리는 상대적으로 신뢰성과 내구성이 낮고 데이터를 쓸 때 소모되는 전력이 상대적으로 높다는 플래시 메모리의 단점이 없음을 상기하십시오. 플래시 메모리 및 DRAM(Random Access Memory)의 대체품으로 간주될 수 있는 품질의 조합을 가지고 있습니다.
Micron과 A*STAR만이 STT-MRAM 개발을 하는 것은 아닙니다. 8년 전 도시바 전문가들은 세계에서 가장 적은 전력을 소비하는 STT-MRAM 메모리 소자를 개발했고, 올해 XNUMX월 초 TDK는 XNUMXMbps 밀도의 STT-MRAM 메모리 칩 프로토타입을 선보였다. 작년 봄에 IMEC와 Globalfoundries는 STT-MRAM 메모리 개발 협력 확대를 발표했습니다.
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