KR1182PM1 칩으로 작업하십시오. 참조 데이터

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KR1182PM1 칩으로 작업하십시오. 참조 데이터

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1182V 네트워크의 위상 전력 조정기인 KR1PM1182 마이크로 회로(K1PM220R과 유사)를 사용하면 간단하고 안정적으로 작동하는 장치를 만들 수 있습니다. 그들은 라디오 아마추어들 사이에서 당연히 인기가 있습니다. 마이크로회로를 사용하면 최대 150W의 부하를 제어할 수 있습니다. 부하 전원 공급 장치를 원활하게 켜고 끌 수 있습니다. 나는 약 10년 동안 이러한 초소형 회로를 기반으로 장치를 설계해 왔습니다. 이 기간 동안 사용 경험이 어느 정도 축적되었습니다.

KR1182PM1 칩으로 작업하기

KR1182PM1에 대한 일반적인 스위칭 회로와 간략한 정보는 [1,2]에서 찾을 수 있으며, 다양한 장치에 대한 옵션: 이러한 미세 회로가 사용되는 회로 및 설계는 [4-10]에서 찾을 수 있습니다. 이러한 마이크로 회로를 장기간 사용하면 실망스러운 결론을 내릴 수 있습니다. 가볍게 말하면 신뢰성이 낮습니다.

내 개발 과정에서 불안정한 네트워크에서 작업할 때 이러한 마이크로 회로가 부하를 직접 제어하는 모든 장치(부착된 트라이악 없이)가 반복적으로 실패했습니다. 더욱이, 고장이 나기 전의 각 마이크로 회로의 작동 시간은 1000~2000시간으로 매우 안정적이었습니다. 손상된 모든 미세 회로는 작은 구리 또는 황동 방열판에 설치되고 60W 이하의 전력을 갖는 부하(백열등)로 작동했지만 케이스 파열로 인해 실패했습니다. 동시에, 장착된 트라이악(사이리스터)과 함께 작동하고 그림에 표시된 다이어그램에 따라 스위치를 켜면 이러한 미세 회로의 고장이 기록되지 않았습니다.

그러한 포함의 특징은 다음과 같습니다. 현재 부하의 대부분은 외부 트라이악 VS1에 해당됩니다. 이는 아마도 마이크로회로 결정의 분해 속도를 감소시킬 것입니다. 또한 배리스터 R4는 네트워크 전압 서지로 인한 미세 회로 및 트라이 액 손상을 방지합니다. 네트워크 전압 진폭이 400...450V를 초과하면 배리스터의 저항이 급격히 감소하여 결과적으로 배리스터를 통과하는 전류, 전류 -제한 저항 R5 및 트라이악의 제어 전극이 증가합니다. VS1이 열리고 주전원 전압의 일부가 부하에 공급되는데, 일반적으로 백열등이나 전기 가열 장치의 코일을 태우기에 충분하지 않습니다.

제 생각에는 권장되는 스위칭 회로는 커패시터 C2 및 C3의 커패시턴스를 과대평가합니다. 이러한 커패시터의 정전 용량을 0,47~0,33μF로 줄임으로써 부하에 전달되는 최대 전력을 늘리고 간섭 수준도 줄일 수 있습니다. 같은 목적으로 R1의 저항을 150kOhm 미만으로 줄이는 것을 권장하지 않습니다. 네트워크에서 장치를 분리하는 데 사용할 수 있는 스위치와 함께 이 저항기를 사용하는 것이 가장 좋습니다. 부하 전류가 스위치 접점의 허용 전류(일반적으로 1...2A)를 크게 초과하는 경우 스위치는 저항기 R2 근처의 개방 회로에 연결될 수 있습니다. 이 초소형 회로에는 가져온 아날로그가 없습니다.

다양한 위상 전력 조정기, 스위치, 계전기 및 기타 자동화 장치에서는 작동 전압이 600V 이상인 트라이액과 커패시터 C4를 사용하는 것이 좋습니다. C5 - 전압이 최소 630V(필름의 경우, 예: K73-17) 또는 1000V(세라믹의 경우, 예: K15-5)입니다. 제 생각에는 장치, 특히 XNUMX시간 내내 작동하는 장치의 높은 신뢰성이 필요한 경우 이러한 마이크로 회로를 사용하지 않는 것이 좋습니다.

독자 중 일부는 이러한 초소형 회로의 신뢰성에 대해 자신의 의견을 가질 수도 있습니다. 이에 대해 알고 싶습니다.

문학

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저자: A. Butov, Yaroslavl 지역 Kurba 마을

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